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SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改良配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久性应用。
战壕远征传说样本
在第一次十字军东征期间，教会军队占领了圣城。在最神圣的寺庙地下，圣殿骑士发现了秘密的金库，里面有一个古老的恶魔神器。圣殿骑士被贪婪蒙蔽了双眼，内心软弱，跪倒在地。他们找到了一位新领主。看到神器所代表的邪恶智慧后，他们开始与魔鬼交易，并举行各种不可言说的仪式。这是第一次叛乱。教会军队撤退，耶路撒冷变成了一个堕落的深渊，地狱和我们的凡人世界现在融为一体。八个世纪以来，教会一直在发动十字军东征，夺回圣城。这片土地被彻底毁坏，到处都是纵横交错的泥泞、战壕和弹坑，绵延数千英里。这场圣战由手持恐怖武器的军队发起，双方都召唤出超自然生物，这些生物拥有巨大的力量，几乎无法阻挡。即使拥有如此不可估量的力量，两军仍处于僵持状态。
AR Radiance Sneak预览NMC811中通过Lithicone层减轻第一循环的容量损失
瑞士联邦材料科学技术实验室（EMPA）的科学家的这份新报告强调，与（1）和（2）相关的容量损失可以通过创建人工阴极电解质相（CEI）层来减轻。他们使用分子层沉积（MLD）将岩石酮层直接生长到多孔的NMC811粒子电极上。在这项工作中，将岩石酮层与锂丁氧化锂（Liotbu）和乙二醇作为前体沉积，在Arradiance Gemstar TM TM XTM XT-P反应器中，偶联，与Argon-Flove Box偶联，在低反应器温度下，以避免了电极温的热降解。在基于Si晶片的高射线比结构上的膜厚度覆盖率从210nm线性下降到20：1纵横比的30-40Nm，这是尝试对该技术进行商业化的重要工程变量。尝试在实际电极上，碳颗粒的聚集（以NMC811颗粒之间提供电子接触）阻碍了MLD均匀的生长，从而导致岩石酮覆盖率较小。
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。
迪拉塞 250
Dilase 250 是一款实用的台式高分辨率激光光刻系统。因此，可以使用 Dilase 250 在对蓝色或紫外线激光波长敏感的光刻胶中写入光刻微结构，方法是使用发射波长为 375 或 405 nm 的固定连续激光源。写入表面可以延伸至 4 英寸，而可实现的最小特征尺寸（宽度）为 1 µm。该设备提供矢量和扫描写入模式，并确保轨迹在 100 nm 的最大偏差范围内。随附的电动光学聚焦系统提供快速和精细的聚焦设置，以满足各种基板厚度要求，从 150 µm 到 5 mm。这款紧凑型系统还为基板室提供了可选的晶圆装载和卸载系统，从而提高了清洁度、提高了产量并提高了用户安全性。Dilase 250 系统与大多数市售光刻胶兼容，例如 SU8、Shipley 和 AZ 光刻胶。它仅针对与 KLOE 开发的用于高纵横比微结构化应用（1x20）的 K-CL 光刻胶配合使用进行了优化，通过激光光刻技术。
316L基板上VDM合金780激光金属沉积的过程图定义
摘要：VDM合金780是一种新型的基于Ni的超合金，与Inconel 718相比，机械性能较大的机械性能较大，其工作温度较高约50℃。年龄可硬化的尼古拉合金结合了提高的温度强度与氧化耐药性，以及由于γ' - 沉淀而提高的微观结构稳定性。这些优点使其适用于可用于高温应用中的耐磨性和耐腐蚀涂料。但是，VDM合金780尚未足够研究激光金属沉积应用。进行了316升标本上单个轨道的实验设计，以评估过程参数对clad质量的影响。随后，通过破坏性和非破坏性测试方法评估了外壳的质量，以验证VDM Alloy 780对于激光金属沉积应用的适用性。单轨实验为涂料或添加剂制造应用提供了基础。用于传达结果，提出了带有回归线的散点图，这说明了特定能量密度对所得孔隙率，稀释，粉末效率，纵横比，宽度，宽度和高度的影响。最后，在孔隙率方面，包裹的质量通过每个单位长度质量不同的两个过程图可视化。
钻石和相关材料
直接观察超大型望远镜的METIS仪器对系外行星和原始磁盘的直接观察将为行星形成和系外行星大气的过程提供新的见解。这是由于功能强大的矢量涡流冠状动曲，可以抑制星光以揭示周围微弱的信号。在这里，我们介绍了将相位掩膜处于冠状动脉核心的过程。这些环形凹槽相掩膜由钻石中的深层次波长组成，这些光栅使用具有强偏见的电感耦合氧等离子体蚀刻。METIS仪器所需的带宽比以前证明了此类com ponents的带宽，从而导致具有更高纵横比和更垂直壁的光栅设计。为了实现这一目标，用于钻石蚀刻的蚀刻面膜从铝更改为硅，并增加了血浆功率。我们还改进了减少成品成分的光栅深度以微调它们的方法。以及改进的光学测试，这使我们能够生成迄今为止为天文N波段展示的最佳涡旋相掩码。
三维纳米石墨烯与介孔锗的集成
摘要：石墨烯是用于改性物理化学表面性质的关键材料。然而，其平坦表面限制了需要高比表面积的应用。可以通过将二维材料集成到三维结构中来克服这一限制。本文介绍了一种石墨烯-介孔锗 (Gr-MP-Ge) 纳米材料的受控合成策略。分别采用双极电化学蚀刻和化学气相渗透对 Ge 基底进行纳米结构化，随后进行 3D 纳米石墨烯涂层。虽然拉曼光谱显示纳米石墨烯的域尺寸可随处理温度而调整，但透射电子显微镜数据证实 Gr-MP-Ge 的结晶度得以保留。X 射线光电子能谱表明，对于 Gr-MP-Ge，碳与 Ge 之间存在非共价键合。最先进的分子动力学建模可以通过自由基的存在更深入地了解合成过程。这种纳米材料的成功合成使得纳米石墨烯可以集成到具有高纵横比和轻重量的三维结构中，从而为这种多功能纳米材料的多种应用开辟了道路。
支持信息：受支持的纳米颗粒的等离子间在纳米级上揭示了粘附：对介质的金属的影响
培训该案。一旦计算出截短物体的确切极性i Z，5,10,16,23 25复杂的效果去极化因子就可以从与等效自由式球形相对应的eq S1中得出。在图S6中绘制了e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e s6 s6和具有代表性纵横比r = 0的截短颗粒。5、1、2、4和给定的t r值（主要文本中的truncation参数de ned）。对于粒子的形状不太接近全球（r>1。5），α由偏振电荷类似于偶极的模式主导。它们的效果去极化因子几乎是恒定接近共振的（请参阅图S6中的仪表板上的垂直线），它们的行为实际上是振荡器。
Abigail Nieves Delgado b i o g r a p h y
在这项工作中，我们展示了如何使用A-Lith来制造悬浮的单层石墨烯。通过热蒸发在第二个金属沉积步骤中添加了介电材料（SIO 2），并用作牺牲层。单层CVD石墨烯在金属/介电堆栈上传递的铜箔上生长的cVD石墨烯是在牺牲层的缓冲氧化物蚀刻之后通过临界点干燥步骤释放的。制造过程利用了A-Lith和光刻学，以对大底物上的一系列悬浮石墨烯结构进行模板，其中实现了沟槽宽度与沟槽深度约10的宽高比。这种悬浮的石墨烯设备可以用作机电开关，气体传感器和压力传感器[4]。在以前的工作中，考虑单层石墨烯的屈服强度阻碍了可靠性，这种系统通常依赖于多层石墨烯。基于机电设备的理论模型的沟渠纵横比的仔细设计允许更高的产量，而可以实现的几何形状与低压驱动石墨烯开关兼容[4，5，6]。