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World File Search System绝缘子
硅在绝缘子中的单事件传播效应...
亲爱的编辑，铁电隧道FET（FETFET）是关于新型低功率电子设备的越来越重要的研究主题[1，2]，因为铁电气材料的负电容效应有助于提高潜在的通道并增加TFET中的状态电流。铁电疗法显示辐射性能对辐射的辐射硬性能，这对于基于这种苛刻环境中使用的这种材料的设备很有帮助[3，4]。单事件传播（集合）效应是由空间或陆地辐射环境中的高能量颗粒引起的，这可能会导致软错误的可能性，甚至可能导致航天器中的灾难性事故[5，6]。对重离子打击下FETFET的辐射效应的搜索对于评估这些设备在太空环境中的潜在误差非常重要。为了提高设备的性能，我们提出了一种新的硅在绝缘子双门栅极FETFET（SOI DG-FETFET）中，并使用Si：HFO 2铁电栅极介电。使用Synopsys Sentaurus Tech-Nology Computer Adided Design（TCAD）Simulator [7]研究了SOI DG-FETFET中的单事件传播效应[7]。设备结构和仿真设置。
在三维拓扑绝缘子BI 2 TE 3
Chun Wang，C，D Gaoshuai Wei，C，D Tianxiao nie，A，E， * Weisheng Zhao，A，E，E， * Jungang Miao，B Yutong Li，C，D Li Wang，C， *和Xiaojun Wu B，中国北京，北京大学，中国中国北部中国北部，中国北京，北京，中国C中国科学学院，北京国家凝集物理学实验室，北京，北京，中国科学院北京中国青岛福汉国家光电实验室，华盛科学技术大学，中国
实现时间反向不变光子拓扑结构Anderson绝缘子
Yi-Wen Liu 1,§ , Zhe Hou 2,§ , Si-Yu Li 1,§ , Qing-Feng Sun 2,3,4, *, and Lin He 1,5, * 1 Center for Advanced Quantum Studies, Department of Physics, Beijing Normal University, Beijing, 100875, People's Republic of China 2 International Center for Quantum Materials, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, China 3 Quantum Matter的合作创新中心，北京100871，中国4北京量子信息科学学院，西BLD。＃3，编号10 Xibeiwang East Road，Haidian区，北京100193，中国5个国家主要材料的国家主要实验室，上海宏观系统和信息技术研究所，中国科学院，上海865 Changnai Road，20005010 Xibeiwang East Road，Haidian区，北京100193，中国5个国家主要材料的国家主要实验室，上海宏观系统和信息技术研究所，中国科学院，上海865 Changnai Road，200050
LEC 17：量子自旋霍尔绝缘子，Kene-Mele模型
因此，我们将谈论超电导率。因此，在凝结物理学（例如磁性）中看到了各种现象，然后将金属行为绝缘行为隔离，对绿色的铁磁性，并进行了彻底的分析，就绿色的功能而言，我们现在谈论超保守性，最初我们将在历史上启动了较早的成就，使您对超级成就的态度进行了启发。，还将尝试为您提供一些有关超导性的最新实验，这些实验不是最近的实验，但与发现它有一些最近的发展相比，它仍然存在。然后，我们将讨论最重要的事情，这被称为BCS理论是关于超导性的微观理论。因此，在这几个幻灯片中，我们试图首先为您提供大纲，然后再讨论更多细节，然后看看元素周期表。