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World File Search System耦合器
模块：光刻作者（CW）
微加工正从核心领域发展到现代科学技术。许多技术机会都源于制造新型微结构或以缩小尺寸重建现有结构的能力。微结构还应提供研究在小尺寸下发生的基本科学现象的机会，例如在纳米结构中观察到的量子限制。然而，微加工的基本用途是微电子学，其应用范围从微分析到微机电系统 (MEMS)。用于执行化学/生化反应和分析的微型系统需要腔体、通道、泵、阀门、储存容器、耦合器、电极、窗口、桥梁等。这些组件的典型尺寸在长度或宽度上在几微米到几毫米的范围内，在深度和高度上在 100nm 和 100µm 之间。由于微加工，基于微系统的设备的一些优势如下：
抛物面介质反射器，用于宽带宽的极端片上光斑尺寸转换
光斑转换器是实现不同尺寸波导间光高效耦合的关键。虽然绝热锥形非常适合小尺寸差异，但当扩展因子达到 × 100 左右时，它们会变得太长，这在耦合集成波导和自由空间光束时通常需要。在这种情况下可以使用衰减耦合器和布拉格偏转器，但它们的操作本质上受到带宽的限制。这里，我们提出了一种基于抛物面电介质界面的解决方案，该界面将光从 0.5 µ m 宽的波导耦合到 285 µ m 宽的波导，即扩展因子为 × 570 。我们通过实验证明了前所未有的超过 380 nm 的带宽，插入损耗低于 0.35 dB 。此外，我们提供了针对任意扩展因子设计此类抛物面光斑转换器的解析表达式。
CA-IS372xC 通用双通道数字隔离器
注：1. 爬电距离和电气间隙要求应根据具体应用的设备隔离标准来制定。应注意保持电路板设计的爬电距离和电气间隙，以确保印刷电路板上隔离器的安装垫不会减小此距离。在某些情况下，印刷电路板上的爬电距离和电气间隙会相等。在印刷电路板上插入凹槽和/或肋条等技术可用于帮助提高这些规格。2. 此耦合器仅适用于安全等级内的安全电气绝缘。应通过适当的保护电路确保符合安全等级。3. 在空气或油中进行测试，以确定隔离屏障的固有浪涌抗扰度。4. 视在电荷是由局部放电 (pd) 引起的放电。5. 屏障两侧的所有引脚连接在一起，形成一个双端子设备。
CTech™ ViPER® ANLYTX 软件 - 版本发布说明
快速动力学 • 解决了影响已启动运行的初始斜率收集的问题 • 提高了报告中散射校正细节的清晰度 • 在报告中实现了 I/O 配置细节 • 解决了 I/O 配置未根据用户请求重置的问题 • 解决了阻止已启动运行根据用户请求停止的问题 • 解决了禁用时使间隔读取成为可编辑参数的问题 • 提高了尝试运行快速检查失败的方法时耦合器检查要求的清晰度 • 解决了阻止在方法中保存 I/O 配置的问题 • 实现了在 I/O 配置中清除测试信号的方法 • 解决了 I/O 功能问题，该问题阻止信号在运行结束后返回到正确状态
ingaas/gaas纳米ridge激光器，具有无定形硅光栅，在300毫米Si Wafer上单层生长
简介。利用互补的金属 - 氧化物 - 溶剂导体（CMOS）工业的发达过程，硅光子电路，这些电路融合了各种光学组件，包括高效的光栅耦合器，高响应速度 - 速度速度光电探测器，以及优秀的调制器[1-3]，现在已广泛使用和使用。但是，缺乏高性能激光是进一步开发硅光子平台的主要瓶颈。直接伴侣III – V半导体是实现实用和紧凑的光源但不容易集成在硅上的有前途的候选者。探索了几种使用应变 - 释放的缓冲层[4-11]的III – V材料的直接键盘，传输印刷和直接整体外观的方法[4-11]来实现这一目标，但都有其局限性。新颖的纳米ridge
边缘的晶圆和芯片级表征
n近年来，使用CMOS兼容的过程制造硅光子IC（SI PIC）已使具有光学和电函数性具有成本效益的硅芯片的开发。1 - 5）这项技术是光子学 - 电力融合的高性能平台，可在各种行业提供有希望的应用。6 - 9）为增强硅光子学的整合和功能密度，已提出异质和杂交整合方法，以将各种材料系统与单个包装中的各种材料系统相结合。10，11）但是，基于PIC的模块的总成本受到测试，组装和包装过程的影响，这可能占常规INP PIC模块的总成本的80％。12，13）仅产品测试可贡献总成本的约29％，14）对于较不发达的硅光子技术技术，该图可能会增加到约60％ - 90％。15）因此，减少测试，组装和包装成本对于降低基于SI PIC模块的整体成本至关重要。先前的研究采用了两种主要策略来降低测试成本：利用增强的测试结构，16）并增强了测试过程的自动化水平。14）在图片中，一种普遍的测试方法涉及信号通过具有不平衡分裂比的定向耦合器（例如99：1）。这种构造允许99％的信号正常通过波导，而1％的信号被击倒到测试分支。21）17）开发信号通常通过表面耦合器耦合到测试设备，从而促进了自动晶圆级测试系统用于原位和筛选测试的利用。18）然而，在组装和包装阶段，表面光栅耦合器（GCS）在带宽，极化和效率方面遇到限制。19）相比之下，利用点尺寸转换器（SSC）的边缘耦合提供了优点，例如带宽的带宽，降低极化敏感性和增强的耦合效率。20）然而，边缘耦合预先挑战，例如与SSC相关的较大足迹，固定的耦合位置，有限的对齐耐受性和耦合方面的严格规范。
功率并不总是与尺寸有关 - 罗德与施瓦茨
基于 LDMOS 功率晶体管的可靠 Rohde&Schwarz 放大器设计在 Rohde&Schwarz 的所有 UHF 放大器中均有使用。R&S®VH60xxA 放大器有多种版本。1 W、5 W、50 W 和 100 W 的模块可用于 DVB-T/-H。15 W、30 W、70 W 或 130 W 的功率水平可用于 ATSC。通过组合 R&S®SV8000 UHF 低功率发射机系列的四种放大器版本，可以在 470 MHz 至 86 MHz 的频率范围内实现输出功率水平从 5 W 到 400 W (rms) 的配置。每个放大器都有自己的电源和冷却系统。保护电路监控各个模块中的温度和 VSWR。带有两个、三个或四个耦合器的系统允许您设置冗余系统 - 即使在低功率水平下也是如此。
VOM452，VOM453
说明VOM452和VOM453，高速光电耦合器，每个由Gaalas红外发射二极管组成，光学地与集成的光子探测器和高速晶体管组成。光检测器是从晶体管中分离出来的，以减少米勒电容效应。开放的收集器输出功能允许电路设计人员与不同逻辑系统（例如TTL，CMOS等）接口时调整负载条件。由于VOM452和VOM453在检测器芯片上具有法拉第盾，因此它也可以拒绝并最大程度地减少输入通用模式瞬态电压。没有基本连接，进一步降低了进入包装的潜在电噪声。VOM452和VOM453包装在行业标准SOP-5软件包中，适用于表面安装。这是工业通信总线隔离的理想解决方案，以及隔离的驱动电路应用，例如IPM（智能电源模块）驱动程序。
真空密封硅光子 MEMS 可调环形谐振器，具有对耦合和相位的独立控制
摘要：环形谐振器是硅光子学中滤波器、光延迟线或传感器的重要元件。然而，目前工厂中还没有低功耗的可重构环形谐振器。我们展示了一种使用低功耗微机电 (MEMS) 驱动独立调节往返相位和耦合的加/减环形谐振器。在波长为 1540 nm 且最大电压为 40 V 的情况下，移相器提供 0.15 nm 的谐振波长调谐，而可调耦合器可以将直通端口处的光学谐振消光比从 0 调节到 30 dB。光学谐振显示出 29 000 的被动品质因数，通过驱动可以增加到近 50 000。MEMS 环在晶圆级上单独真空密封，能够可靠且长期地保护免受环境影响。我们循环机械致动器超过 4 × 10 9
用于太赫兹光子学的拓扑赋能膜装置
摘要。太赫兹波的控制为下一代传感、成像和信息通信提供了深厚的平台。然而，所有传统的太赫兹元件和系统都存在体积庞大、对缺陷敏感和传输损耗大等问题。我们提出并通过实验证明了拓扑器件的片上集成和小型化，这可能解决太赫兹技术的许多现有缺陷。我们设计和制造了基于谷-霍尔光子结构的拓扑器件，可用于片上太赫兹系统的各种集成组件。我们用拓扑波导、多端口耦合器、波分和回音壁模式谐振器证明了谷锁定非对称能量流和模式转换。我们的设备基于拓扑膜超表面，这对于开发片上光子学具有重要意义，并为太赫兹技术带来了许多特性。