'_ '~海上(码头)船舶故障,脆性断裂的概率成为焦点。与船舶故障相关的数据具有很好的相关性,因此,从激发这些研究的研究中可以学到很多东西。非船舶故障数据不存在类似的相关性,因此进行此项调查是为了补充船舶故障的研究。总共研究了 64 个结构故障以及天然气输送管道故障。这些故障发生在铆钉和焊接结构中,例如油箱桥梁、压力容器、烟囱、PM 库存、电力铲子,以及 M 天然气输送管线。结果表明,脆性破坏的历史至少可以追溯到 1879 年。结论是:(1)非船舶结构中的脆性破坏与船舶中的脆性破坏是相同的现象;(2)多种类型的船舶结构都会发生脆性破坏;(3)脆性断裂可以穿过铆钉接头;(4)没有证据表明随着焊接的出现,脆性破坏的发生率是降低还是增加;(5)与其他因素一起,热应力可能很重要;(6)残余应力不是脆性破坏的主要因素,但这种应力与其他因素一起,会引发表面破坏;(7)冶金变量的影响很重要; (S) 冷成型可提高脆性破坏的敏感性,但由于数据缺乏,其作用无法评估;(9) 在有数据的情况下,板的冲击强度一般低于破坏温度;(10) 在大多数情况下,非船舶脆性破坏的断裂起源于纤维制造缺陷,少数断裂起源于设计缺陷;(11) 似乎在所有情况下,断裂都起源于几何连续面; (12) 没有证据表明这些失效结构能显示各种焊接工艺对脆性断裂敏感性的影响;(13) 除焊接质量特别差的情况外,焊接焊缝没有断裂的趋势;(14) 绝大多数非船舶脆性断裂似乎发生在完全静态的条件下;(1.5) 结构的 AGC 似乎与脆性断裂无关;(10) 大多数工程规范允许使用已知特别容易发生脆性断裂的钢材。同时,除一个规范外,所有规范都将应力水平保持在极保守的值;(17) 最后,证明了脆性断裂是多种因素共同作用的结果。船。我没有任何一种易加工的材料能够完全防止其断裂,而且目前也没有已知的试验能够根据小试样的行为准确预测给定钢材在可能发生结构脆性破坏的情况下的性能,因此,精心的设计、材料的选择和良好的工艺对于防止结构脆性破坏至关重要。
硅纳米结构已在现代微电子学中广泛使用。微电芯片中不断增加的整合密度不可避免地导致Si纳米结构的明显温度升高,这是承受大量热应力所必需的,以维持其适当的功能。si纳米结构也是许多新型纳米技术应用的基础,包括能量收集和存储,灵活且可拉伸的电子设备,传感器和纳米机械系统。[1]这些应用的可靠性问题要求对升高温度下的Si纳米结构的机械行为有基本的了解。在这里,我们报告了在RT至600 K的温度范围内单晶Si NWS的原位拉伸测试。[2]我们采用新开发的微电力系统(MEMS)[3-6]来进行透射电子显微镜(TEM)内的纳米热测试。该平台允许在不同温度下同时对原子尺度变形的TEM成像进行应力 - 应变测量。[2,7]基于MEMS的平台内置了一个片上加热器,从而使样品的受控加热。
在格子离散元法 (LDEM) 中,不同类型的质量被视为集中在节点处并通过具有任意本构关系的一维元素连接起来。在先前对岩石样品拉伸断裂行为的研究中,已经验证了使用 LDEM 模型对非均质材料断裂进行数值预测的可行性,并且得到的结果与迄今为止可用的实验证据一致。在本文中,讨论了使用 LDEM 获得的结果。使用 LDEM 模拟一组不同尺寸的岩石样品,使其受到单调增加的简单拉伸。从 Alberto Carpinteri 提出的脆性数的角度分析了结果,以衡量所研究结构的脆性水平。实验结果和 LDEM 结果之间令人满意的相关性证实了该方法作为一种模拟准脆性材料断裂过程的数值工具的稳健性。
作为其改进船舶船体结构的研究计划的一部分,船舶结构委员会正在巴特尔纪念研究所赞助一个项目,以评估焊缝中可能存在的缺陷对船舶脆性行为的影响。随函附上该项目的第一份进度报告 SSC-863,题为“评估焊缝缺陷作为脆性断裂的起始点”,作者为 DO C. Martin、R. S. Ryan 和 p. J* Riemel=
摘要:改善脆性底物上纳米化薄膜的界面稳定性对于诸如微电子等技术应用至关重要,因为所谓的脆性 - 延性 - 延性 - 延性界面限制了其整体可靠性。通过调整薄膜特性,由于分层过程中的外部韧性机制,可以改善界面粘附。在这项工作中,在模型的脆性 - 凝胶界面上研究了膜微结构对界面粘附的影响,该模型由脆性玻璃底物上的纳米化cufim插头组成。因此,使用磁控溅射将110 nm薄的Cu纤维沉积在玻璃基板上。虽然在溅射过程中保持纤维厚度,残留应力和纹理的质地可比,但在沉积过程中和通过等温退火过程中,纤维微结构变化了,导致四个不同的cufifms产生了晶粒尺寸分布。然后使用应力的MO覆盖剂确定每个Cufim的界面粘附,这触发了直接自发扣的形状的Cufifm分解。每个薄膜的混合模式粘附能的范围从较大晶粒的膜的2.35 j/m 2到4.90 j/m 2的纤维,对于纳米晶粒量最高的薄膜。使用聚焦的离子束切割和通过共聚焦激光扫描显微镜对扣子进行额外研究,可以通过对扣的额外研究进行清晰的效果,以将其切换并量化固定在弯曲的薄膜中的弹性和塑性变形的量。关键字:薄膜粘附,脆性 - 延性界面,自发扣,纤维微观结构,纳米化的cufifms可以证明,具有较小晶粒的膜表现出在分层过程中吸收更高量的能量的可能性,这解释了它们较高的粘附能量。
卡罗来纳发育障碍研究所和精神病学系(Shen、Girault、Kim、Smith、Graves、Weisenfeld、Gross、Styner、Hazlett、Piven)和北卡罗来纳大学教堂山分校医学院神经科学中心(Shen);明尼阿波利斯明尼苏达大学教育心理学系(Wolff)、儿童发展研究所(Elison)和儿科学系(Elison、Burrows);圣路易斯华盛顿大学医学院 Mallinckrodt 放射学研究所(Flake、McKinstry、Botteron);西雅图华盛顿大学医学中心放射学系(Dager);费城宾夕法尼亚大学佩雷尔曼医学院费城儿童医院自闭症研究中心(Pandey、Schultz);纽约大学坦登工程学院计算机科学与工程系(Gerig);蒙特利尔神经学研究所,麦吉尔大学,蒙特利尔(MacIntyre、Fonov、Collins、Evans);加拿大艾伯塔大学,埃德蒙顿,儿科系(Zwaigenbaum);华盛顿大学,西雅图,言语和听力科学系(St. John、Estes);德克萨斯大学达拉斯分校,行为与脑科学学院(Swanson)。
脑脊液体积在 24 个月时恢复正常(12),这与横断面研究中老年人胼胝体体积减小的报告一致(13)。脑脊液体积的变化轨迹代表了另一种发育模式,即在被诊断为 ASD 的儿童中,从 6 个月大(14、15)到 4 岁(16)期间持续增加。综上所述,这些研究表明,ASD 儿童出生后早期大脑发育会发生一系列年龄特异性变化,同时行为也会发生动态变化。这表明,婴儿早期的症状前大脑变化可能代表一系列相互关联的大脑和行为变化,这些变化会导致自闭症整个综合症的出现,并在生命的 2 和 3 年内巩固为一种临床可诊断的疾病(17)。进一步描述大脑变化的性质和顺序将为阐明这种疾病的发病机制提供重要线索,并为制定针对这些发展轨迹的针对性干预措施提供信息。尽管长期以来,结构和功能神经影像学和尸检研究表明皮层下结构,特别是杏仁核,与 ASD 有关,但尚无研究检查过 ASD 婴儿期皮层下大脑发育的性质和时间。神经影像学研究表明 2 至 4 岁的 ASD 儿童杏仁核增大(18 – 22),尸检研究表明杏仁核神经元数量过多(23)和树突棘密度增加(24)可能是导致早期杏仁核过度生长的细胞过程。然而,绝大多数神经影像学研究都是横断面研究,并且是在确诊后的儿童(即 2 岁及以上)中进行的,因此无法了解杏仁核增大的发育时间过程、其与出现诊断特征和最终诊断的时间关系,以及增大是杏仁核特有的还是也发生在婴儿期的其他皮质下结构中,例如基底神经节。此外,对患有 ASD 的婴儿进行的神经影像学研究尚未检查 ASD 与其他神经发育障碍关系中脑部发现的特异性。在这项研究中,我们检查了选定的皮质下结构(杏仁核、尾状核、壳核、苍白球、丘脑)的纵向结构 MRI,以对比四组婴儿出生后早期脑发育情况:患有脆性 X 综合征(FXS)的婴儿;患自闭症可能性较高的婴儿(因为有一个患有自闭症的哥哥姐姐),后来患上了自闭症;患自闭症可能性较高的婴儿没有患上自闭症;对照组婴儿患自闭症的可能性较低,但发育正常。研究设计通过对比特发性自闭症(一种行为定义的发育障碍)与遗传定义的障碍 FXS 的大脑和行为发育,研究了疾病特异性问题。具有重叠的认知和行为特征(25)。此外,我们注意到,这项研究将家族性自闭症(自闭症的一个亚组,其病因通常归因于常见的多基因遗传[26])与 FXS(一种遗传性发育障碍和