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在130 nm sige bicmos Technology的Beol中，晶圆级薄膜封装的MM-Wave RF-MEMS开关的单片整合
摘要 - 对于任何微电动机械系统（MEMS）设备的工厂最为明显的挑战之一，是该设备的低成本和高吞吐包装，以保护其免受环境颗粒，水分和配置的影响。在这项工作中，通过晶状级别CMOS（BICMOS）技术的130 nm双极CMOS（BICMOS）技术的RF-MEMS开关单一地整合到基于铝的后端线（BEOL）中，这是通过晶状级级别的薄级薄薄薄层薄层包装（WLE）。在晶片级封装包装之前，开发并证明了用于释放MEMS设备的湿式和蒸气释放技术。最终装置的封装是用Ti/Tin/Tin/Alcu/Ti/Tin层的堆栈实现为3- µm金属网格的晶圆级包装的。最后，将具有高沉积速率（HDR）的二氧化硅沉积过程用于释放孔的完整封装。通过低频C - V和D-Band时高频S-参数测量值评估了封装对RF-MEMS开关性能的影响。结果指示设备的完整功能，没有明显的性能下降。封装不需要额外的掩码，并且将其开发为8英寸晶圆级工艺，因此为RF-MEMS设备封装和包装提供了低成本和高吞吐量解决方案。
位置描述
研究活动的描述： - TMD中的准2D超导性的研究以及在超导导体的集体模式的NBSE2和NBS2的薄层中观察到的自旋轨道耦合和单旋转旋转旋转的效果。-Calculation of Raman response functions and THz optical conductivity of thin layers of TMDs in the presence of a current flow -Investigation of strong and ultra-strong coupling of collective modes of a quasi-2D superconductor to THz metamaterials, assessing the possibility of a "Higgs polariton" condensate and other exotic phases.
湍流环境中的对称性破缺
在本文中，我们研究了湍流环境下的对称性破缺。我们用两个例子展示了从对称状态到对称性破缺状态的转变：（1）随着流体层厚度的变化，二维流动向三维流动的转变；（2）随着磁雷诺数的变化，薄层流动中的发电机不稳定性。我们表明，这些例子具有相似的临界指数，但与平均场预测不同。临界行为可以与波动的乘法性质相关联，并且可以使用随机界面的统计特性结果在一定限度内进行预测。我们的结果表明，可能存在一类受乘法噪声控制的新型非平衡相变。
Bio301：生物学技术和技能
5。生物化学分析中的技术5.1）5.1生物化学分析简介5.2）5.2提取方法5.3）5.3）5.3色谱原理和技术5.4）5.4）5.4）5.3.1纸色谱5.5）5.3.2薄层色谱法（TLC）5.6 5.6）5.3.3高性能液体液体液体液态学（HPLC）5。3. 3. 3. 3. 3. 3.4 asemomant 5.3.4 asemoticaphy 5.3 3.4 asemoticaphy（gc）53. 4 gcomatempraphy（gc）。色谱法（SEC）5.9）5.3.6离子交换色谱5.10）5.3.7亲和色谱5.11）5.4分光光度法5.12）5.4.1啤酒定律
退火对铁、钴离子掺杂硅表面晶体结构的影响
摘要：本文报告了应用卢瑟福背散射光谱 (RBS) 研究硅中植入的铁和钴原子的分布曲线随辐射剂量和退火温度变化的结果。研究了热退火对铁、钴，特别是氧的分布的影响。作者强烈建议，在某些热处理条件下，通过施加特定的辐射剂量，所谓的外延硅化物将在单晶表面形成，这些硅化物可以起到导电层或金属层的作用。可以考虑使用 RBS 方法来分析掺杂剂的拓扑分布和杂质的相互作用。关键词：杂质、分布、影响、热退火、植入原子、薄层、深度、辐射剂量、结构、薄膜 ________________________________________________________________________________________ 1. 简介