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产品/工艺变更通知 1.PCN...
ST 深圳（中国）组装和测试线升级为工业级 SO8N 封装 105°C EEPROM 产品 SO8N 封装 105°C EEPROM 产品被所有客户和所有应用广泛地大批量使用。为了长期保持高水平服务和支持大批量生产，ST 决定将组装和测试线从高密度（HD）条带测试线转换为超高密度（SHD）条带测试线。这两条线都安装在 ST 深圳（中国）。自 2012 年以来，SHD 条带测试线已经为工业市场生产大批量 EEPROM SO8N 产品。有什么变化？ST 深圳（中国）的 SO8N 封装 105°C EEPROM 组装和测试从高密度（HD）条带测试线升级为超高密度（SHD）条带测试线。SHD 组装线以更高的并行度运行，组装流程与当前的 HD 线相同。随着持续改进，在芯片贴装和引线键合之间引入了等离子清洗步骤。已对引线框架尺寸进行了合理化。 SHD 条带测试线具有更高的并行度，并且测试流程和测试顺序与当前 HD 线相同。 SHD 条带测试线采用与当前 HD 线相同的测试设备运行。有关装配和测试流程的更多详细信息，请参阅附录 B。 为什么？ 意法半导体存储器部门的战略是长期为客户提供产品和服务质量支持。 根据这一承诺，这一变革将确保长期可用性和 105°C SO8N 产能，同时提高产品制造质量。 什么时候？ 发货将从 2023 年第 01 周开始。 当前 HD 条带测试线上的 105°C EEPROM SO8N 生产将持续到 2023 年 6 月底，以便有时间逐步提高 SHD 生产线的产能。 从 2023 年 6 月起，105°C EEPROM SO8N 产品将仅在 SHD 线上生产。 如何认证变更？ 此变更已使用标准意法半导体公司质量和可靠性程序进行了认证。组装资格报告 RERMMY2005 现已提供，包含在本文档中。测试 (I2C/SPI) 资格报告 TERMMY2005-2 预计于 2022 年第 26 周发布。
推进航空航天的新时代：
INCE于1958年首次演示，碳 - 碳复合材料现在通常用于防御和航空应用中。 碳 - 碳复合材料是由碳纤维和基质相组成的热稳定复合材料。 这些材料被美国国防部归类为“关键技术”，用于弹道性诺塞术；火箭电动机；和重新进入材料，例如隔热罩和Aeroshells。 当前的碳 - 碳复合材料通常是通过聚合物浸润和热解过程创建的，并且散装密度较低，约为1.60 g/cc。 具有较高散装密度的碳 - 碳复合材料是可取的，因为该特性等于在其他领域的性能提高，包括更高的硬度，更高的导热率以及更大的机械侵蚀和耐磨性。 使用热等位压力浸入碳化（HIPIC）过程可以实现较高的大量密度约为1.95 g/cc。 但是，几十年前开发的过程旨在为洲际弹道导弹制造鼻孔，是危险的，非常昂贵且难以实施的。 材料研发公司Matech（加利福尼亚州韦斯特莱克村）最近开发了一种申请专利的技术，用于制造全新的超高密度（UHD）碳 - 碳复合材料。 这种开发扩展了Matech先前使用现场辅助烧结技术（FAST）的SIC/SIC和C/SIC陶瓷基质复合材料致密的工作。 1,2INCE于1958年首次演示，碳 - 碳复合材料现在通常用于防御和航空应用中。碳 - 碳复合材料是由碳纤维和基质相组成的热稳定复合材料。这些材料被美国国防部归类为“关键技术”，用于弹道性诺塞术；火箭电动机；和重新进入材料，例如隔热罩和Aeroshells。当前的碳 - 碳复合材料通常是通过聚合物浸润和热解过程创建的，并且散装密度较低，约为1.60 g/cc。具有较高散装密度的碳 - 碳复合材料是可取的，因为该特性等于在其他领域的性能提高，包括更高的硬度，更高的导热率以及更大的机械侵蚀和耐磨性。使用热等位压力浸入碳化（HIPIC）过程可以实现较高的大量密度约为1.95 g/cc。但是，几十年前开发的过程旨在为洲际弹道导弹制造鼻孔，是危险的，非常昂贵且难以实施的。材料研发公司Matech（加利福尼亚州韦斯特莱克村）最近开发了一种申请专利的技术，用于制造全新的超高密度（UHD）碳 - 碳复合材料。这种开发扩展了Matech先前使用现场辅助烧结技术（FAST）的SIC/SIC和C/SIC陶瓷基质复合材料致密的工作。1,2
集成数字、射频和光学功能的封装系统 (SOP) 基板和模块
摘要 封装研究中心一直在开发下一代系统级封装 (SOP) 技术，该技术将数字、RF 和光学系统集成在一个封装上。SOP 旨在充分利用片上 SOC 集成和封装集成的优势，以最低的成本实现最高的系统性能。微型多功能 SOP 封装高度集成，并制造在类似于晶圆到 IC 概念的大面积基板上。除了新颖的混合信号设计方法外，PRC 的 SOP 研究还旨在开发封装级集成的支持技术，包括超高密度布线、嵌入式无源元件、嵌入式光学互连、晶圆级封装和细间距组装。这些支持技术中的几项最近已集成到使用智能网络通信器 (INC) 测试平台的首次成功的 SOP 技术系统级演示中。本文报告了 PRC 上最新的 INC 和 SOP 测试平台结果，并深入了解了未来融合微系统的 SOP 集成策略。本文的重点是将材料、工艺和结构集成到单个封装基板中，以实现系统级封装 (SOP)。
具有数字、射频和光学集成功能的系统级封装 (SOP) 基板和模块 Venky Sundaram*、Rao Tummala、George White、Kyutae Lim、Lixi Wan、Daniel Guidotti、Fuhan Liu、Swapan Bhattacharya、Raj M Pulugurtha、Isaac Robin Abothu、Ravi Doraiswami、Raghuram V. Pucha、Joy Laskar、Manos Tentzeris、G. K. Chang、Madhavan Swaminathan 佐治亚理工学院包装研究中心 * vsunda@ece.gatech.edu，404-894-9394，404-894-3842（传真）
摘要 封装研究中心一直在开发下一代系统级封装 (SOP) 技术，该技术将数字、RF 和光学系统集成在一个封装上。SOP 旨在充分利用片上 SOC 集成和封装集成的优势，以最低的成本实现最高的系统性能。微型多功能 SOP 封装高度集成，并制造在类似于晶圆到 IC 概念的大面积基板上。除了新颖的混合信号设计方法外，PRC 的 SOP 研究还旨在开发封装级集成的支持技术，包括超高密度布线、嵌入式无源元件、嵌入式光学互连、晶圆级封装和细间距组装。这些支持技术中的几项最近已集成到使用智能网络通信器 (INC) 测试平台的首次成功的 SOP 技术系统级演示中。本文报告了 PRC 上最新的 INC 和 SOP 测试平台结果，并深入了解了未来融合微系统的 SOP 集成策略。本文的重点是将材料、工艺和结构集成到单个封装基板中以实现系统级封装 (SOP)。
低功耗、可扩展、兼容 BEOL 的 IGZO TFT eDRAM 电荷域计算
摘要 — 在有限的芯片占用空间和能源供应下，边缘人工智能 (AI) 的快速发展对边缘设备的数据密集型神经网络 (NN) 计算和存储提出了很高的要求。作为一种有前途的节能处理方法，内存计算 (CiM) 近年来在缓解数据传输瓶颈的努力中得到了广泛的探索。然而，片上内存容量较小的 CiM 会导致昂贵的数据重新加载，限制了其在大规模 NN 应用中的部署。此外，先进 CMOS 缩放下增加的泄漏降低了能源效率。在本文中，采用基于铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的器件电路协同来应对这些挑战。首先，提出了 4 晶体管 1 电容器 (4T1C) IGZO eDRAM CiM，其密度高于基于 SRAM 的 CiM，并且通过较低的器件泄漏和差分单元结构增强了数据保留。其次，利用新兴全通道 (CAA) IGZO 器件的后端 (BEOL) 兼容性和垂直集成，提出了 3D eDRAM CiM，为基于 IGZO 的超高密度 CiM 铺平了道路。提出了包括时间交错计算和差分刷新在内的电路技术，以保证大容量 3D CiM 下的准确性。作为概念验证，在代工厂低温多晶和氧化物 (LTPO) 技术下制造了一个 128 × 32 CiM 阵列，展示了高计算线性度和长数据保留时间。在扩展的 45nm IGZO 技术上的基准测试显示，仅阵列的能效为 686 TOPS/W，考虑外围开销时为 138 TOPS/W。
用于高密度、精确定位神经生理学的细胞级硅探针
Egert D、Pettibone JR、Lemke S、Patel PR、Caldwell CM、Cai D、Ganguly K、Chestek CA、Berke JD。用于高密度、精确定位神经生理学的细胞级硅探针。J Neurophysiol 124：1578–1587，2020 年。首次发表于 2020 年 9 月 23 日；doi：10。1152/jn.00352.2020。—带有大量电极的神经植入物已成为检查大脑功能的重要工具。然而，与它们记录的神经元相比，这些设备通常会取代很大的颅内容积。这种大尺寸限制了植入物的密度，引发组织反应，从而降低慢性性能，并妨碍了准确可视化完整电路内记录位置的能力。我们在此报告了下一代细胞级硅基神经探针（横截面积为 5 10 毫米），具有超高密度填充（柄间最小 66 毫米），每个探针有 64 或 256 个紧密分布的记录点。我们表明，这些探针可以插入浅层或深层脑结构，并在自由活动的大鼠中连续数周记录大量尖峰。最后，我们展示了一种切片就位方法，用于精确记录相对于附近神经元和解剖特征（包括纹状体 m -阿片受体贴片）的记录点。这种可扩展的技术为检查神经回路内的信息处理以及潜在的人脑机接口提供了一种有价值的工具。
Devesh Misra 冶金与材料工程系主任 自由港麦克莫兰公司冶金与材料工程师杰出主席
教育经历 1980-84 英国剑桥大学冶金与材料科学博士学位 1980-81 英国剑桥大学自然科学研究生学习证书 1975-80 印度理工学院、贝拿勒斯印度教大学冶金工程技术学士学位 专业经历 2014 年至今 冶金与材料工程系教授、系主任、Freeport McMoRan 冶金与材料工程杰出教授 2009-2014 路易斯安那大学拉斐特分校材料科学与工程杰出教授（化学工程系） 2013-14 材料研究与创新研究所所长（创始所长 - 2013 年） 2013-14 路易斯安那大学拉斐特分校路易斯安那加速器中心副主任 2004-14 路易斯安那大学拉斐特分校结构与功能材料中心主任拉斐特（创始主任 - 2001 年构思，2004 年成立并获批准） 2001-14 路易斯安那大学拉斐特分校 Stuller 冶金学讲座教授兼教授 2012-至今 中国东北大学名誉教授 1984-98 印度国防冶金研究实验室科学家 研究兴趣 高强度高韧性组合金属和合金；纳米结构材料；生物材料；先进性能材料；能源系统材料；聚合物纳米复合材料 - 特别关注加工-微观结构-性能关系；变形和断裂。这些感兴趣的领域涉及使用广泛的材料表征技术，包括透射和扫描电子显微镜、电子背散射衍射 (EBSD)、电子断层扫描、原子力显微镜和机械测试。奖项、荣誉和专利 2013 年印度贝拿勒斯印度教大学杰出校友奖 2013 年路易斯安那大学拉斐特分校创新者奖 2012 年美国专利 (8197890 B2)，“制造磁性纳米棒的方法。” 2011 年美国专利 (7964013 B2)，“用于超高密度存储介质的 FeRh-FePt 核壳纳米结构。” 2009 年杰出大学教授 2009 年美国专利 (7504130 B1)，“合成具有磁核和光催化壳的抗菌纳米粒子的方法：TiO 2 -NiFe 2 O 4 体系。” 2009 年美国专利 (7635518)，“树枝状磁性纳米结构及其制造方法。” 2007 年英国材料研究所颁发的 2007 年 Charles Hatchett 奖。 2007年荣获英国材料学会颁发的2007年度复合材料奖。
2022 年年度报告
2022年全球经济受到疫情、战争、通胀、加息、地缘政治等因素冲击，抑制市场需求，造成库存过剩。旺宏电子长期耕耘高质量应用市场，成效显著，有效缓解终端需求波动影响，逆势维持相对稳定表现，让旺宏电子营收维持高位，以优质服务与高质量维持产品价格。旺宏电子全年毛利率较上年(2021年)增加2.6%，表现不俗。面对经济下行、产业与客户库存调整等因素，旺宏电子紧随推出减产措施，控制库存水位，并转移资源加速技术开发，让旺宏电子在制程技术上抢占先机，进一步提升长期竞争力。 2022年营运表现如下：全年合并营业净额为新台币434.87亿元，全年合并毛利为新台币192.38亿元，全年平均毛利率提升至44.2%，税后净利为新台币89.7亿元，EPS为新台币4.85元。营业活动现金流入为新台币116.56亿元，投资活动现金流出为新台币103.39亿元，期末现金等价物为新台币197.64亿元，负债率降低至37.3%，每股账面值提升至新台币28.38元，股东权益回报率为18%。旺宏电子多年来致力创新研发，专利强化其与竞争对手的壁垒。以专利为例，旺宏电子2022年在各国申请专利共计240件，截至2022年底，旺宏电子全球专利数达8,894件，除专利数量位居半导体产业前列外，更在全球拥有大量优质关键技术及商业机密，这些对于维持公司竞争力，在全球非挥发性内存市场占据领先地位至关重要。去年(2022)，旺宏电子不仅荣获2022 EE Awards Asia 车用电子解决方案供应商殊荣，更连续第二年荣获年度最佳内存产品奖。此外，旺宏电子也于2023年入选LexisNexis全球百大创新者，这些肯定，都显示旺宏电子勇于创新，坚持产品改良，并有能力为客户创造增值应用，这也是旺宏电子能在众多竞争对手中脱颖而出的原因。在制程与产品开发方面，ROM在2022年占年营收的25%。NOR Flash 占年营收 55%，目前正向高附加值市场拓展，例如 256Mb 以上高密度产品占 NOR Flash 营收比重逐年提升，截至 2022 年已达 50%，并正加速开发全球首款超高密度 3D NOR Flash，有助拓展高容量 NOR 市场。此外，来自车用、工业、医疗、航太等优质应用领域的 Flash 产品营收已达 41%，将成为旺宏业务成长的最大推动力之一。车用应用领域营收较上年 (2021) 大幅增加 43%，位元出货量也创下历史新高，过去五年位元出货量年复合增长率达 30%，累计出货量突破 5.6 亿颗。 NAND Flash方面，全年营收占比11%，96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并持续开发更高层数堆叠技术，满足客户更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场、5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术、产能、严谨品管的精神，以及为客户提供高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，获得多项优异的认证与肯定，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，获得全球各大车用芯片厂的认可。而96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并将持续发展更高层数堆叠技术，满足客户对更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场及5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术精神、生产能力、严谨品管，以及提供客户高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，并因此获得优异的认证与认可，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，受到全球各大车用芯片厂认可。而96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并将持续发展更高层数堆叠技术，满足客户对更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场及5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术精神、生产能力、严谨品管，以及提供客户高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，并因此获得优异的认证与认可，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，受到全球各大车用芯片厂认可。