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World File Search System退火
Ni(Pt)Si薄膜形成对团聚阈值温度的影响及对3D成像技术集成的影响
Ni(10 at.% Pt) 单硅化物在微电子中用作接触件，但由于团聚，在相对较低的温度下会遭受性能下降。最近在 28 nm-FDSOI 微电子器件上获得的结果显示，在与 Ni(Pt)Si 薄膜脱湿相关的 550 °C/2 小时退火后，产量损失严重。这种团聚热预算比使用原位或非原位四点探针测量在毯状晶圆上测得的热预算低 100 °C。在此背景下，本文旨在研究 Ni(Pt)Si 形成过程对 Ni(Pt)Si 团聚的影响，采用不同的方法，如 (i) 经典方法，即进行一次退火以形成硅化物并导致团聚，(ii) 通过标准 SALICIDE 工艺“自对准硅化物”形成硅化物，然后进行退火以诱导团聚，以及 (iii) 标准 SALICIDE 工艺形成硅化物，然后用 SiN 层封装顶部硅化物表面，如器件中所用，最后进行团聚退火。我们的研究表明，薄膜的热稳定性受形成过程中选择性蚀刻 (SE) 的顺序以及薄膜是通过单次退火还是双次退火形成的影响。这项研究的另一个结论是，四点探针测量不够灵敏，无法很好地估计团聚现象的真正起点，这对器件是有害的（三重结处形成孔洞）。为了准确确定团聚热预算，迫切需要一些额外的特性，例如倾斜扫描电子显微镜 (倾斜 SEM)。这项研究可以阐明导致团聚的主要参数：薄膜厚度和晶粒尺寸似乎是更重要的参数。 * 通讯作者电子邮件：magali.gregoire@st.com。
基于石墨烯的纳米球中的缺陷工程增强了氢纳米颗粒的氢进化反应性能
已证明，基于石墨烯的碳材料中的晶格缺陷在改善支持金属催化剂的氢进化反应（她）行为方面起着至关重要的作用。然而，准确地操纵最佳碳结构缺陷的强度和分布仍然是一个重要的挑战。在此，石墨烯纳米球的微观结构（GNS）以缺陷分布和石墨化度的形式通过退火准确地调节。最佳电催化剂（RU@GNS300）是通过在300 C下退火来实现的，在10 mA CM 2的电流密度下，超电势为40 mV，并在1 M KOH的性能测试中效果较高。尤其是Ru@GNS催化剂已在透射电子显微镜的原位退火，以监测其结构演化。结果表明，Ru纳米颗粒的聚集尚未观察到900 C，而碳支持的石墨化度随温度升高而增加。值得注意的是，RU@GNS300的优化电催化活性源自退火诱导的GNS的缺陷。因此，缺陷工程对碳支持的结构优化提供了一种有效的方法来改善她的催化性能。©2020 Elsevier Ltd.保留所有权利。
硅中铂的扩散及其在电力设备寿命工程中的应用综述
然后进行退火。后者将注入剂量作为附加设计参数。首先，从 Pt 硅化物层引入铂的实验中，我们可以学到很多东西。这些知识对于校准基本机制的模型参数非常有用，因为它与注入后退火相比不太复杂，而注入后退火不可避免地会导致注入损伤以及高注入剂量下铂团块的形成。另一个有趣的过程是硅中铂的磷扩散吸杂 (PDG)。它可用于进一步定制铂分布和载流子寿命调整，从而进一步优化硅功率器件在软开关方面的性能。[1,2]
故事
通过传统冶金法（在熔体中生长的过程）和核嬗变法（硅同位素在捕获热中子的过程中发生变化）研究了掺杂磷的n型硅晶体。嬗变合金化与冶金合金化方法的根本区别在于，合金杂质不是从外部引入到源材料中，而是在辐照过程中直接从被合金材料的原子中形成的。为了退火辐射缺陷并激活磷-31原子（该原子在硅块中仅在晶格位置表现出施主特性），先对嬗变掺杂的硅进行 850°C 温度下 2 小时的技术退火，然后再进行热处理并以不同的速率进一步冷却。揭示了热退火时间和从退火温度到室温的冷却速度对通过熔体掺杂和核嬗变方法掺杂的n-Si〈P〉晶体的结构和电物理特性变化的影响。经过 2 小时的高温退火以及随后的快速冷却后，检测到了嬗变掺杂 Si 晶体中出现位错。研究发现，无论采用何种磷掺杂方法，对Si样品进行72小时的高温退火，均能在慢速和快速冷却过程中促进深施主中心的产生，并显著降低载流子的浓度。
使用 D-Wave 量子退火器对质因数分解问题进行实验
本文以我们最近发表的一篇论文为基础，在这篇论文中，我们提出了一种通过量子退火进行素数分解 (PF) 的新方法，其中 8,219,999 = 32,749 × 251 是我们能够分解的最高素数乘积——据我们所知，这是有史以来通过量子设备分解的最大数字。然而，导致我们得到这些结果的一系列退火实验并没有遵循直线路径；相反，它们涉及一个复杂的反复试验过程，充满了失败或部分失败的尝试和回溯，最终只能促使我们找到成功的退火策略。在本文中，我们深入探讨了实验决策背后的原因，并介绍了在构思最终策略之前我们进行的一些尝试，这些策略使我们能够实现结果。这还涉及我们研究的一系列想法、技术和策略，尽管结果证明它们不如前者。我们最终采用的方法，可能会为更专业的 D-Wave 用户和从业者提供见解。具体来说，我们展示了以下见解：（i）不同的初始化技术会影响性能，其中通量偏差在针对局部结构化嵌入时是有效的；（ii）与依赖全局嵌入的问题相比，链强度在局部结构化嵌入中的影响较小；（iii）断链和激发的 CFA 之间存在权衡，这表明基于模块而不是单个量子位的增量退火偏移补救方法。因此，通过分享我们经验的细节，我们旨在提供对量子退火不断发展的前景的见解，并帮助人们访问和有效使用 D-Wave 量子退火器。
Pd/a-Ge 双层生长和生长后退火过程中界面介导固相反应的原位研究
图 2：(a) 在 SIXS 光束线 (SOLEIL) 进行实时研究的实验装置，(b) 入射角为 α i 的掠入射散射几何。指示了反射的 x 射线束。显示了布拉格角 2 θ 处主 Pd(111) 布拉格反射的指向几何。由于掠入射几何，动量转移 q = kf − ki 与表面法线 n 成角度 θ − α i 。ki 和 kf 分别是入射和散射 x 射线束的波矢。通过扫描探测器角度 δ 和 γ 获得 XRD 图。在沉积过程中，2D 探测器监测白色矩形指示的区域。
光热表征硅基退火薄金膜的热扩散率、载流子扩散和复合特性
CK Sheng*、MGM Sabri、MF Hassan、EAGE Ali 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 瓜拉尼鲁斯，登嘉楼，马来西亚 这项工作首次实施了基于光声 (PA) 技术的光热波表征，以研究在不同温度下退火的 Si 晶片 (Au/Si) 上沉积的金薄膜层的热特性和载流子传输特性。XRD 图案表明，在退火温度为 330 o C 时追踪到了 Au81Si19 相的亚稳态金 (Au) 硅化物，当温度进一步升高到 370 o C 时，该结构消失。结果表明，获得 Au/Si 结构的 PA 信号低于纯 Si 晶片。通过拟合 PA 信号相位关系阐明了 Si 和 Au/Si 的热特性和载流子传输特性。结果表明，随着退火温度的升高，Au/Si 的热扩散率和表面复合速度增加，复合寿命缩短。然而，当温度接近 370 o C 时，表面复合和热传输过程减弱，这可能是由于硅化物团簇的断裂造成的。（2021 年 7 月 20 日收到；2021 年 10 月 29 日接受）关键词：金硅化物，热退火，光声，热扩散率，复合
通过快速热退火，辅以嵌段共聚物薄膜中的液晶排序，在多功能基底上形成垂直排列的纳米域
除极少数例外情况外，这都是必要的。32,33 由于 c 值低，该系统的特征尺寸很难达到 22 纳米以下。26,34 因此，人们对这种 BCP 以及包含相关片段的相关 BCP 进行了广泛关注，以提高其在下一代光刻技术中的性能。35,36 然而，到目前为止，通过在低温下快速热退火（例如几分钟）在多功能基底上的小特征尺寸的 BCP 薄膜内获得正常排列的圆柱形或层状畴仍然是一项艰巨的挑战。此前，一些研究小组报道，聚甲基丙烯酸酯疏水嵌段（表示为 PMA(Az)）侧链中含偶氮苯的液晶 (LC) 链段有助于通过热退火或溶剂退火形成正常排列的圆柱形微区 37 – 39，包括聚环氧乙烷 (PEO) 40 – 42 和聚 (4-乙烯基吡啶) (P4VP) 43。对于这些 BCP，圆柱体的相窗口相当宽。此外，P4VP- b -PMA(Az) 薄膜需要长期溶剂退火，43 这不适合用于下一代光刻技术。而且，这些 BCP 的蚀刻选择性不足。44,45
日本财产保险开始在保险承保业务中使用量子计算机
日本财产保险开始在保险承保业务中使用量子启发计算机 东京，2022 年 3 月 29 日——Sompo Holdings, Inc. (TSE: 8630)、Sompo Japan Insurance Inc.、Sompo Risk Management Inc. 和日立有限公司 (TSE: 6501) 今天宣布，他们就 CMOS 退火*1 在 Sompo Japan Insurance 的非寿险业务中的实际应用达成协议。CMOS 退火是日立开发的一种模拟量子计算机行为的技术。这是量子启发计算机首次在保险公司的核心业务中得到实际应用。*2 未来，这四家公司将使用 CMOS 退火实现非寿险业务的数字化转型。他们还将把各种数据与技术相结合，以加速协作创造活动，从而提供新的社会价值。 1. 背景 近年来，量子计算和量子启发计算技术*3 越来越受到国际社会的关注。在美国、欧洲、中国等国家，它们被视为未来经济社会重大变革的创新技术源泉。研发投入大幅增加，建设开发基地、培养人才等战略性努力也在加速。在日本，成立了多个研究小组，使政府能够与私营部门合作。全国范围内都在努力将量子计算和量子启发计算技术应用于社会。2. 适用范围通过反复验证*4 CMOS 退火技术在保险承保业务中的可行性，四家公司一直专注于在实际操作中对复杂条件进行建模、在实际操作中实施以及解决业务中遇到的问题。结果，他们利用 Sompo Risk 的自然灾害风险量化技术和日立的 CMOS 退火技术，开发出了一种从大量可能的组合中提取平衡风险承担和稳定收益条件的方法。在该方法中，日本财产保险为客户承保的自然灾害风险组合中，需要实际考虑的条件被精确建模。这里考虑的条件包括，例如，日本财产保险应保留的风险、应通过再保险转移到外部组织的其他风险以及风险外部转移的条件（再保险条件）。作为这项工作的一部分，日立在 CMOS 退火方面取得了新的技术创新，使日本财产保险能够处理优化其非寿险组合这一庞大而复杂的问题，这在实践层面上是必要的。 *5 CMOS退火预计将于 2022 年 4 月在非寿险承保业务中开始实际使用。
红外探测器铟基微凸块阵列制造技术中的金属间化合物层形成
本研究报告了对凸块金属化下 Ti/Pt/Au 上放置的铟微凸块/柱内部均匀性的研究。这对于连接电阻率、长期耐用性和后续混合工艺（例如芯片键合）非常重要。金与铟发生反应，形成具有与纯铟不同的化学物理参数的金属间合金。根据透射电子显微镜图像分析了金属间合金的几何和结构参数。使用透射电子显微镜和能量色散谱法确定所研究样品中元素的分布。未退火（A）和退火（B）铟柱中的金属间合金厚度分别为 1.02 μm 和 1.67 μm。两个样品均观察到合金的层状和柱状内部结构，样品 B 中的晶粒大两倍。检测到未退火 In 柱的 Au-In 金属间合金的分级化学成分，而退火样品 B 的恒定成分为 40% Au 和 60% In。原子分布对 In 柱的机械稳定性影响较小。对于厚度为 1.67 μm 的均匀柱状金属间合金结构，直径为 25 µm、高度为 11 µm 的 In 柱的产率可能超过 99%。