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World File Search System退火
利用电子风力对伽马射线辐照的 GaN HEMT 进行非热退火
电子产品中的辐射损伤减轻仍然是一个挑战，因为唯一成熟的技术——热退火，并不能保证获得良好的结果。在本研究中，我们介绍了一种非热退火技术，其中使用来自非常短持续时间和高电流密度脉冲的电子动量来瞄准和调动缺陷。该技术在 60 Co 伽马辐照（5 × 10 6 拉德剂量和 180 × 10 3 拉德 h − 1 剂量率）GaN 高电子迁移率晶体管上进行了演示。在 30 °C 或更低温度下，饱和电流和最大跨导完全恢复，阈值电压部分恢复。相比之下，300 °C 下的热退火大多使辐照后特性恶化。拉曼光谱显示缺陷增加，从而降低了二维电子气 (2DEG) 浓度并增加了载流子散射。由于电子动量力不适用于聚合物表面钝化，因此所提出的技术无法恢复栅极漏电流，但性能优于热退火。这项研究的结果可能有助于减轻电子器件中某些形式的辐射损伤，而这些损伤很难通过热退火实现。© 2022 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac7f5a ]
原位拉伸观察退火对激光添加剂制成的钛合金裂缝行为的影响
近年来，激光添加剂制造（LAM）技术引发了航空航天场的制造革命[1，2]。该技术使用高能激光束融化合金粉末。熔融池是连续形成的，然后迅速形成固体，从而将层沉积到近乎网络的金属成分[3]。钛合金作为重要的结构金属具有高强度，高韧性，低密度和良好耐腐蚀性的优势[4-6]。使用LAM准备钛合金零件有望获得高性能和高质量的关键组件。钛合金零件在LAM过程中经历了高温梯度和高冷却速率，从而导致与传统材料的微观结构差异很大。通常，在先前的β晶粒中存在α相，马氏体α'相或两者的混合物，并且连续α相也沿先前的β晶界嵌入[7-9]。Carroll等。 [10]报告说，晶界α相和先前的β晶粒形态引起了添加性生产的钛合金的各向异性机械性能。 此外，具有高强度和低韧性的α相导致形成部分的强度和韧性不匹配[11]。 通过热处理过程，可以有效地控制阶段的形态，大小和比例，从而获得良好的机械性能[12-15]。 Yadroitsev等。 [16]报告说，在β相过渡温度附近产生了大量球形α相。 Zhao等。Carroll等。[10]报告说，晶界α相和先前的β晶粒形态引起了添加性生产的钛合金的各向异性机械性能。此外，具有高强度和低韧性的α相导致形成部分的强度和韧性不匹配[11]。通过热处理过程，可以有效地控制阶段的形态，大小和比例，从而获得良好的机械性能[12-15]。Yadroitsev等。 [16]报告说，在β相过渡温度附近产生了大量球形α相。 Zhao等。Yadroitsev等。[16]报告说，在β相过渡温度附近产生了大量球形α相。Zhao等。Zhao等。[17]通过控制冷却速率，获得了两种类型的篮子编织和菌落结构的微观结构。拉伸结果表明，前者具有更高的强度和韧性，这可能归因于篮子编织结构中的层状α相，从而有效地减少了脱位长度并分散局部应力浓度。但是，由于缺乏在拉伸过程中微观结构演变的观察，变形和失败
塑料零件加工指南 - MCAM
什么是退火？退火是一种热处理工艺，可改善塑料的物理特性，提高其延展性并降低其硬度，使形状更易于加工。退火有助于释放塑料内部的内部压力，使加工部件随着时间的推移具有更高的尺寸稳定性。退火工艺涉及将塑料形状加热至其熔化温度的一半并保持一定时间，然后以特定速率冷却。
原始和rb- ...
图S1。 RBV 3 SB 5的退火实验。 （a）退火循环的示意图。 （b）样品的退火过程。 时间轴的数字表示单个周期的退火时间。 退火实验的代表性STM地形显示在（D-G）中。 （C1，C2）原始RB表面的STM构图。 设定点：（C1）1 UM×1 UM，偏置电压V s = -300 mV，隧道电流i t = 20 pa; （C2）20 nm×20 nm，V s = -200 mV，i t = 0.1 Na。 （D1 -G1）Rb表面的地形（1 UM×1 UM，V s = -300 mV，I T = 20 pa）在退火循环D -G下标记为（b）。 （d2-g2）（d1-g1）（v s = -300 mV，i t = 20 pa）的相应的缩放形状图像，可以清楚地观察到RB的解吸：更多的RB效率出现在（D2）中； （E2）和（F2）中的短距离RB-√3×1重建形式；最后，RB-√3×√3重建显示在（G2）中。图S1。RBV 3 SB 5的退火实验。 （a）退火循环的示意图。 （b）样品的退火过程。 时间轴的数字表示单个周期的退火时间。 退火实验的代表性STM地形显示在（D-G）中。 （C1，C2）原始RB表面的STM构图。 设定点：（C1）1 UM×1 UM，偏置电压V s = -300 mV，隧道电流i t = 20 pa; （C2）20 nm×20 nm，V s = -200 mV，i t = 0.1 Na。 （D1 -G1）Rb表面的地形（1 UM×1 UM，V s = -300 mV，I T = 20 pa）在退火循环D -G下标记为（b）。 （d2-g2）（d1-g1）（v s = -300 mV，i t = 20 pa）的相应的缩放形状图像，可以清楚地观察到RB的解吸：更多的RB效率出现在（D2）中； （E2）和（F2）中的短距离RB-√3×1重建形式；最后，RB-√3×√3重建显示在（G2）中。RBV 3 SB 5的退火实验。（a）退火循环的示意图。（b）样品的退火过程。时间轴的数字表示单个周期的退火时间。退火实验的代表性STM地形显示在（D-G）中。（C1，C2）原始RB表面的STM构图。设定点：（C1）1 UM×1 UM，偏置电压V s = -300 mV，隧道电流i t = 20 pa; （C2）20 nm×20 nm，V s = -200 mV，i t = 0.1 Na。（D1 -G1）Rb表面的地形（1 UM×1 UM，V s = -300 mV，I T = 20 pa）在退火循环D -G下标记为（b）。（d2-g2）（d1-g1）（v s = -300 mV，i t = 20 pa）的相应的缩放形状图像，可以清楚地观察到RB的解吸：更多的RB效率出现在（D2）中； （E2）和（F2）中的短距离RB-√3×1重建形式；最后，RB-√3×√3重建显示在（G2）中。
研究基于钒的欧姆触点的横向扩散
氮化铝（Algan）是紫外发光光子设备开发的一种材料。基于钒的金属堆栈是与N型Algan形成欧姆接触的流行方法。但是，这些金属堆栈必须退火至600°C以上的温度[6]，以形成VN，在此期间，欧姆接触堆栈中的金属可以横向散布和短图案设备。这项研究的目的是确定将V/al/ni/au堆栈的横向扩散最小化的退火条件，并研究退火下的这些堆栈的行为。金属堆栈在8×8毫米硅（SI）块上图案化，并在不同的温度和时间上退火。退火条件的“安全区域”并未确定设备。通过C-TLM结构的扫描电子显微镜（SEM）图像确定扩散量。我们还观察到退火下的Ni的“弹力”可能是由于其高表面能。在以后的研究中，这种观察结果激发了将Ni切换为具有较低表面能量的金属。
热退火对摩擦纳米发电机用氧化锌纳米粉末形貌和结构特征的影响
1纳米 - 电子中心（NET），电气工程学院，工程学院，Universiti teknologi Mara，40450 Shah Alam，马来西亚2号雪兰莪2号电气工程学院，工程学院，Teknologi teknologi Mara，Terengganu Mara，Terengun Branch，Dungun Campus，23000 Dungun funcation and nenne nanne nanne nensia，纳米技术，科学研究所（IOS），Universiti teknologi Mara，40450 Shah Alam，雪兰莪，马来西亚4电气和电子工程技术学院，马来西亚大学马来西亚大学，Hang tuah jaya，MALASKA，MELARESIA，MARARESIA INDERCENIOL，MALAKE MARANOMIAL INCERATION，MALARESIA INDERCTION，MARASIINOLIOG马来西亚槟城的Atang Pauh 6马来西亚Sabah大学工程学院，88400 Kota Kinabalu，马来西亚Sabah，马来西亚Sabah 7应用科学学院，Universiti Teknologi Mara，40450 Shah Alam，Shah Alam，Selangor，Selangor，Malaysia 8 Physemia and Malaysia school and Malaysia school and Malaysia school and Malaysia cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres abdur，印度钦奈 Vandalur 科学技术研究所 600 048 9 马来西亚苏丹依德里斯教育大学科学与数学学院纳米技术研究中心 35900 丹戎马林 10 马来西亚敦胡先翁大学电气与电子工程学院微电子与纳米技术 - Shamsuddin 研究中心
快速热退火对纳米级 MOSFET 技术中超薄高 k HfO2 薄膜性能影响的研究
研究了快速热退火对射频溅射系统沉积的高 k HfO 2 超薄膜结构和电学性能的影响。分别在氧气和氮气环境下研究了薄膜特性以获得最佳快速热退火温度，以获得作为 MOS 器件结构的最佳电学效果。使用傅里叶变换红外光谱 (FT-IR) 详细研究了温度诱导退火对 HfO 2 /Si 界面的影响。分别通过椭圆偏振仪、XRD 和 AFM 研究了薄膜厚度、成分和微观结构，并显示了退火对这些参数的影响。采用 Si/HfO 2 /Si MOS 电容器结构研究了退火电介质薄膜的 I-V 和 C-V 特性。结果表明，在氮气环境下采用快速热退火 (RTA) 的 HfO 2 /Si 堆栈比在氧气环境下表现出更好的物理和电学性能。结果表明，RTA 改善了 HfO 2 /Si 的界面特性和 HfO 2 超薄膜的致密化。在氮气和氧气中分别以 700 C 退火后，沉积的薄膜为非晶态和正交晶系。我们发现，氮气退火样品的等效氧化物厚度、界面态密度、电容-电压滞后和漏电流均有所降低；此外，在正电压偏置和温度应力下，电荷俘获也几乎可以忽略不计。本文对结果进行了介绍和讨论。2011 Elsevier BV 保留所有权利。
二元溶剂体系用于制造完全无退火钙钛矿太阳能电池
有机-无机金属卤化物钙钛矿正在迅速接近最先进的硅太阳能电池，性能最佳的设备现在已达到 25.7% 的能量转换效率 (PCE)。[1] 尽管稳定性仍然是钙钛矿太阳能电池 (PSC) 面临的挑战，但它们的溶液加工性是一大优势。刮刀涂布、[2] 狭缝模头涂布 [3] 和喷涂 [4] 等技术与卷对卷 (R2R) 加工兼容，原则上，这应该可以实现比现有硅太阳能技术高得多的生产速度。然而，用于结晶钙钛矿活性层的漫长退火时间降低了实际制造过程中可以达到的最大理论网速。2020 年，Rolston 等人展示了所有可扩展 PSC 加工技术中最高的涂层速度，实现了 > 12 m min −1 的生产速度。 [5] 喷涂工艺与大气等离子体后处理工艺相结合，[6] 制备出的 PSC 器件和模块的 PCE 分别为 18% 和 15.5%。至关重要的是，它们是在不对钙钛矿层进行退火的情况下制造的。在这种速度下，模块成本预计可以与 Si 完全竞争。[7] 相比之下，经过 10 分钟退火的旋涂 PSC 的计算吞吐率仅为 0.017 m min −1 ；这个速率远远超出了商业化要求。此外，高温处理步骤会增加公用设施成本并降低吞吐率，从而增加了器件制造成本。[8] 高工艺温度也与许多敏感的柔性（聚合物）基板不兼容，而这些基板预计在“物联网”应用中非常重要。[9,10] 这个不断增长的市场预计将使钙钛矿的初始投资和市场进入门槛降低一个数量级。[11]
辐射和对辐射敏感的晶体管的自发退火，门氧化物厚度为400和1000 nm
我们研究了50 Gy（H 2 O）对辐射敏感的P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 磁性晶体效应晶体管，其栅极（RADFET）具有400和1000 nm的氧化物氧化物厚度（RADFETS），并具有0和5 V的栅极。辐照后（ir），在室温下进行自发退火（SA），而在门口没有电压。我们介绍了由MIDGAP技术确定的固定陷阱和开关陷阱的行为，以及在IR和SA期间由电荷泵送技术确定的快速开关陷阱的行为。剂量晶体管的一个非常重要的特征是褪色，它代表了SA期间辐射辐射的阈值电压的恢复。9100小时后的最大褪色约为15％，除了磁氧化物厚度为1000 nm，栅极电压为5V的RADFET，其含量约为30％。提出了一个用于褪色的拟合方程，它很好地拟合了实验褪色值。