机构名称：
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通过传统冶金法（在熔体中生长的过程）和核嬗变法（硅同位素在捕获热中子的过程中发生变化）研究了掺杂磷的n型硅晶体。嬗变合金化与冶金合金化方法的根本区别在于，合金杂质不是从外部引入到源材料中，而是在辐照过程中直接从被合金材料的原子中形成的。为了退火辐射缺陷并激活磷-31原子（该原子在硅块中仅在晶格位置表现出施主特性），先对嬗变掺杂的硅进行 850°C 温度下 2 小时的技术退火，然后再进行热处理并以不同的速率进一步冷却。揭示了热退火时间和从退火温度到室温的冷却速度对通过熔体掺杂和核嬗变方法掺杂的n-Si〈P〉晶体的结构和电物理特性变化的影响。经过 2 小时的高温退火以及随后的快速冷却后，检测到了嬗变掺杂 Si 晶体中出现位错。研究发现，无论采用何种磷掺杂方法，对Si样品进行72小时的高温退火，均能在慢速和快速冷却过程中促进深施主中心的产生，并显著降低载流子的浓度。
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