XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System金属化
用于制造 NanoLam 金属化聚合物薄膜电容器的元件评估
• 技术出版物。已完成的研究或重要研究阶段的报告，介绍 NASA 项目的成果，包括大量数据或理论分析。包括被认为具有持续参考价值的重要科学和技术数据和信息的汇编。NASA 的同行评审的正式专业论文的对应部分，但对手稿长度和图形演示范围的限制不那么严格。 • 技术备忘录。初步的或具有专门意义的科学和技术发现，例如快速发布报告、工作文件和包含最少注释的参考书目。不包含广泛的分析。 • 承包商报告。NASA 赞助的承包商和受资助者的科学和技术发现。
基于有限元法的模块化多电平换流器金属化聚丙烯电容器寿命分析
摘要 金属化聚丙烯电容器（MPPC）因损耗低、自愈能力强等优点，在高压直流输电系统的模块化多电平换流器（MMC）中得到广泛应用。由于等效串联电阻的增加和电容量的减小，MMC中MPPC的性能随时间推移而劣化，因此MPPC的可靠性分析至关重要。本文提出一种考虑腐蚀失效的有限元法（FEM）来分析MPPC的可靠性。首先，建立MPPC的等效电模型和实际热模型，计算MPPC的损耗和温度分布。其次，利用FEM模型对MPPC的腐蚀失效进行分析和仿真，利用聚丙烯薄膜老化模型建立MPPC的寿命模型，并通过传统腐蚀失效寿命模型和浮充老化试验对模型进行验证。最后，在MMC模型中提取各子模块（SM）的电压，结合FEM模型和寿命模型分析各SM中MPPC的寿命。结果表明，在MMC中，靠近直流线或中间部分的各臂中的SM具有较短的MPPC寿命。
通过 C–H 金属化和芳基化实现多芳基化立方烷的可编程合成
基团。C – C 键的高反应性还会在各种反应条件下引起立方烷骨架的分解。13 为了开辟立方烷分子科学的新前景，我们开始了立方烷 C – H 转化化学的研究，其中我们选择立方烷的芳基化作为第一个也是最有价值的目标反应。芳基立方烷是立方烷衍生物，最近作为药理学上重要的联芳烃的生物电子等排体而受到关注。14 多芳基化立方烷是前所未有的立方烷衍生物，它们也因其由刚性定向芳基构建的独特、三维和多样化的化学空间而引人注目。在此，我们报道了一种通过定向邻位 -C – H 金属化进行的氨基立方烷钯催化芳基化反应。该方法允许在后期阶段对各种芳基基团进行区域选择性地安装到立方烷骨架上，最终首次合成了多芳基立方烷（图 1）。1988 年，Bashir-Hashemi 报道了立方烷的 C – H 苯基化，其中立方烷基溴化镁通过立方烷-1,4-双（N , N - 二异丙基酰胺）（ 1a ）的定向邻位锂化生成，然后用苯炔处理得到
通过Micro-Ag颗粒与Si芯片的AU金属化基板的无压直接键
基于可用的GAAS，GAN或SIC半导体，对高功率电子设备的需求不断增长，能够在超过200°C的温度下连续运行[1-3]。这需要芯片到基底组装技术的必要变化以及对替代组装基板的研究。在如此高的连续操作温度下，不能使用SAC焊料和层压板底物。SAC焊料连续操作的限制是在150°C左右的温度，而不是最佳导热率：低于50 W/MK。在底物方面，正在研究带有Cu，Ag，Au或Ni安装金属化的陶瓷底物。这些要求在过去十年[4-7]中对其他组装技术（例如基于Ag糊的烧结或滑动（固体液体互化）技术）的兴趣日益增长[4-7]。基于糊状的烧结技术正在变得重要。通过正确调整温度和烧结时间以及接触压力，具有非常好的粘附，导热率和可靠性的接触压力。经典的烧结过程可以在200°C至300°C的温度下进行，范围从10 MPa到40 MPa。键合过程的参数取决于糊剂中Ag粉末粒的大小和形状，添加剂以防止结块和使用的溶剂[8]。
薄膜金属化堆栈可作为有源植入物陶瓷基基板上的可靠导体
摘要 — 有源植入式医疗设备的密封和非密封封装通常由氧化铝等陶瓷制成。丝网印刷 PtAu 糊剂是功能结构最先进的金属化方法。由于 Au 在热暴露下会发生固态和液态扩散，焊接时间有限；否则金属结构容易分层。此外，研究表明，带焊料的 PtAu 会在 37.4 年后失效。我们建立了一种氧化铝薄膜金属化工艺来克服这些缺点。金属化由溅射铂和钨钛制成的底层粘附层组成，以增加与氧化铝基板的粘附强度。由于金具有较高的扩散趋势，我们避免在这项工作中使用金。相反，所使用的材料具有相对较低的扩散特性，这可能会提高组装和封装过程中的长期机械性能和可用性。
在非胶线磁相中，金属化$ {\ rm nis} _2 $的电子结构
我们通过密度函数理论计算研究了原型Mott绝缘子NIS 2的电子结构，在这些计算中，我们明确地说明了非共线性抗铁磁序，如最近在IsoelectRonic Analog Ni（S，SE，SE）2中建立的。对于金属NIS 2在高压下，我们的计算预测了Fermi表面拓扑和体积，这与最近的量子振荡研究非常吻合。但是，我们发现，即使在环境压力下，密度功能理论也错误地预测了金属基态，类似于以前的非磁性或共线性抗抗铁磁模型。通过包括Hubbard相互作用U和现场交换J，金属相被抑制，但即使是这样的扩展模型也无法描述金属到构造的相位转变的性质，并错误地描述了绝缘阶段本身。这些结果突出了更复杂的计算方法的重要性，甚至在绝缘阶段深处，远离莫特绝缘相变。
太阳能电池
太阳能电池市场由硅光伏电池主导，约占整个市场的 92%。硅太阳能电池制造工艺涉及几个关键步骤，这些步骤在很大程度上影响电池效率。这包括表面纹理化、扩散、抗反射涂层和接触金属化。在关键工艺中，金属化更为重要。通过优化接触金属化，可以减少或控制太阳能电池的电和光损耗。本文简要讨论了传统和先进的硅太阳能电池工艺。随后，详细回顾了传统硅太阳能电池中用于前接触的不同金属化技术，例如丝网印刷和镀镍/镀铜。背面金属化对于提高钝化发射极背接触电池和交错背接触电池的效率非常重要。本文回顾了钝化发射极背接触 (PERC) 电池中局部 Al 接触形成的当前模型，并讨论了工艺参数对局部 Al 接触形成的影响。此外，本文还简要回顾了交错背接触 (IBC) 电池中的接触机制和金属接触的影响。对传统丝网印刷太阳能电池的金属化研究重点与 PERC 和 IBC 电池进行了比较。
真空镀铝 CPP 薄膜用金属附着力促进剂
自从柔性薄膜发明以来，包装行业的发展达到了惊人的高度。通过制造实践对这些薄膜的利用不断创新，对最适合进一步增强其理想特性的广泛产品的需求不断增长。虽然柔性包装行业使用了许多聚合物，但最常见的是聚丙烯 (PP)、聚乙烯 (PE)、聚氯乙烯 (PVC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)。最近发生的最受欢迎的创新之一是将金属化薄膜引入柔性包装行业。通过在真空条件下在聚合物表面沉积一层极薄的铝蒸气，成品被证明具有更好的防水和防氧性能，并提供金属光泽的外观——非常像铝箔。能够提供铝箔所具有的一些关键特性，同时成本和皮重却低得多，这使得金属化薄膜成为食品和糖果领域的热门选择。聚酯和 PP 薄膜是生产这些高阻隔包装薄膜（金属化薄膜）最常用的基材。铸造 PP 薄膜正迅速成为包装行业首选的金属化基材。真空金属化铸造 PP 薄膜在行业中被称为 VMCPP 或简称为 MCPP。应用领域包括食品包装、化妆品包装、烟草和酒类包装，以及众多装饰应用。MCPP 薄膜的阻隔性能取决于薄膜表面金属附着力的质量，而这又取决于：
汽车电力电子的热机械可靠性方面：现状和未来趋势
— 键合过程中铜 (Cu) 箔的氧化会使熔化温度从 1,083°C 降低到 1,065°C — 最大金属化厚度为 1 毫米 — 陶瓷的两侧都必须有金属化层 — 例如氧化铝 (Al 2 O 3 )、氮化铝 (AlN) 和氧化锆 (ZrO 2 ) 掺杂的高性能基板 (HPS)。 o 活性金属键合 (AMB)