XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System闪存
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
空间环境应用程序的安全启动策略
所有GPNVM位都存储在Flash 0模块中。Flash 1模块中没有GPNVM位。•GPNVM0是安全位。•GPNVM1位用于在ROM或Flash上选择引导模式（始终在0x00处）。- 设置GPNVM位1从Flash中选择启动，清除其从ROM中选择启动。- 断言擦除清除GPNVM位1，因此默认情况下从ROM中选择启动。•GPNVM2仅用于交换闪光0和闪存1。如果启用了GPNVM2，则在地址为0x0008_0000（闪存1和Flash 0是连续的）绘制闪存1。如果禁用GPNVM2，则在地址0x0008_0000（闪存0和Flash 1是连续的）绘制闪存0。
FUJITSU Storage ETERNUS DX200F 全闪存阵列设计指南（基础版）
图 1.1 RAID0 概念................................................................................................................................................17 图 1.2 RAID1 概念................................................................................................................................................17 图 1.3 RAID1+0 概念........................................................................................................................................18 图 1.4 RAID5 概念.....................................................................................................................................18 图 1.5 RAID5+0 概念.....................................................................................................................................19 图 1.6 RAID6 概念.....................................................................................................................................20 图 1.7 RAID6-FR 概念.....................................................................................................................................21 图 1.8 卷概念.....................................................................................................................................................25 图 1.9 热备援.....................................................................................................................................................27 图 1.10 数据块
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构
eMMC 组件 - 面向设备制造商的嵌入式多媒体卡
金士顿 eMMC™ 是一种嵌入式非易失性内存系统，由闪存和闪存控制器组成，可简化应用程序接口设计，并使主机处理器摆脱低级闪存管理。eMMC 是许多消费电子设备（包括智能手机、平板电脑和移动互联网设备）的流行存储组件。它越来越多地被许多工业和嵌入式应用所采用。
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
采用 90nm CMOS 工艺多路复用器编码器设计低功耗 4 位闪存 ADC
在各种 ADC 架构中，FLASH ADC 被证明是高性能 ADC。所提出的 ADC 由基于多路复用器的编码器、开环比较器和电阻梯形网络组成。所提出的 ADC 采用 90nm CMOS 技术进行模拟。所提出的 ADC 的主要优点是静态功耗低。这是通过将基于多路复用器的编码器集成到 Flash ADC 中实现的。所提出的 ADC 的功耗为 26.65µw，输入电压为 1V，频率为 100MHz。设计的 Flash ADC 可用于高速应用。
chip-off-forensic_dfrws17.pdf - 卡内基梅隆大学
数字取证调查员通常需要从包含 NAND 闪存的被扣押设备中提取数据。许多此类设备都受到物理损坏，导致调查员无法使用自动化技术提取设备中存储的数据。相反，调查员转向芯片分析，他们使用基于热的程序从设备中物理移除 NAND 闪存芯片，并直接访问芯片以提取存储在芯片上的原始数据。我们对设备被扣押后引入多层单元 (MLC) NAND 闪存芯片的错误进行分析。我们有两个主要观察结果。首先，在设备被扣押和数字取证调查员进行数据提取之间，由于 NAND 闪存单元的电荷泄漏（称为数据保留错误），可能会引入大量错误。其次，当执行基于热的芯片移除时，由于施加到芯片上的高温大大加速了电荷泄漏，NAND 闪存中存储的数据中的错误数量可能会增加两个或更多个数量级。我们证明基于芯片分析的法医数据恢复程序具有相当大的破坏性，并且通常会导致 NAND 闪存中的大部分数据无法纠正，从而无法恢复。为了减轻法医恢复过程中引入的错误，我们探索了一种新的基于硬件的方法。我们利用现代 NAND 闪存芯片中实现的一种细粒度读取参考电压控制机制，称为读取重试，它可以补偿由于 (1) 保留损失和 (2) 基于热的芯片移除而发生的电荷泄漏。读取重试机制成功减少了错误数量，只要芯片在被扣押前没有被大量使用，原始数据就可以在我们测试的芯片中完全恢复。我们得出结论，读取重试机制应该作为法医数据恢复过程的一部分。© 2017 作者。由 Elsevier Ltd 代表 DFRWS 发布。这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可证开放获取的文章（ http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ ）。
2023 年 ESG 报告 - 我们的技术
1 | 列出的 Pure Storage 产品与配置和性能类似的竞争产品进行了比较。FlashArray//X、FlashArray//XL 和 FlashBlade//S 与竞争性全闪存进行了比较，FlashArray//C 与混合闪存进行了比较。FlashArray//E 和 FlashBlade//E 的能耗将
l- 470同意书（143）
注意：1。DA设备已更改了要支持的外部闪存。2。将程序写入DA1453X设备，其尺寸不超过每个设备中的RAM的设备。在编写规模更大的程序的情况下，操作不能保证。1.，2。如果程序在编写后不运行，请使用重置。•先前使用RFP-CLI擦除DA设备中的外部闪存，当使用RFP-CLI命令行软件来指定擦除外部闪存存储器的地址范围时，只能擦除指定范围。但是，RFP-CLI现在可用于删除外部闪存的所有区域。•使用RFP-CLI写入RFP-CLI时，将其写入RFP-CLI来指定通过SWD接口写入RA或DA设备的地址范围，但指定的范围违反了对齐方式的要求，现在生成了地址错误。•对Ubuntu的支持24.04 LTS Ubuntu 24.04 LTS作为支持OS。•SWD接口信号信号SWD信号通信的稳定性现在已改善了E2模拟器和RA设备的组合。•减少了RFP-CLI启动时间的RFP-CLI命令行软件的启动时间。