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World File Search System集成电路
引入了用于光子集成电路设计的新范式 - 最终
● Head Office: Canada, founded in 2006 ● Branch Offices: CBS Japan (2006) & CBS Europe (2020) ● Additionally: We provide specialized tools for opto-mechanical simulation (FRED) and optical measurement systems (opsira) to support the full optical development cycle ● Today's Presenter: Tom Davies, COO
超高速集成电路 (VHSIC) - DTIC
在此之前，国防部已经花了数年时间仔细评估其在该技术领域的需求和不足之处。其主要不足之处是国防部对最先进微电子产品的采购比其在商业市场上推出的时间晚了 10 年甚至更久。更糟糕的是，这种延迟还在随着时间的推移而增加。然而，随着所部署的武器系统越来越依赖于电子子系统的效能、响应速度和在快速变化的战斗环境中的适应性，随时获得该技术的需求对美国的国防态势越来越重要。VHSIC 计划的目标过去是、现在仍然是，通过为系统开发人员和采购经理提供与商用技术相当甚至更好的军用微电子技术来弥补这一不足。
2024 IEEE 定制集成电路会议 (CICC) 21
3:50pm 11-6：每通道 7.4μW 和 860μm² 的冷冻 CMOS IC，用于半导体量子位的 70 通道频率复用 μs 读出 » Quentin Schmidt 先生（法国）1 、Brian Martinez 先生（法国）1 、Thomas Houriez 先生（法国）1 、Baptiste Jadot 博士（法国）1 、Dr. Aloysius Jansen (法国) 2 , Xavier Jehl 博士 (法国) 2 , Tristan Meunier 博士 (法国) 3 , Gaël Pillonnet 博士 (法国) 1 , Gérard Billiot 先生 (法国) 1 , Adrien Morel 博士 (法国) 4 , Yvain Thonnart 博士 (法国) 5 , Franck Badets 博士（法国）1 (1.大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，Leti，F-38000 格勒诺布尔，法国，2. 大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，PHELIQS，F-38000 格勒诺布尔，法国，3. Quobly，F-38000 格勒诺布尔，法国；大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CNRS，尼尔研究所，F-38000 格勒诺布尔，法国，4. SYMME，大学。萨瓦勃朗峰，安纳西，法国，5.大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，List，F-38000 格勒诺布尔，法国）
2024 IEEE自定义集成电路会议（CICC）21
3:50 pm 11-6：70-通道频率频率的每通道冷冻-CMOS IC的7.4μW和860μm²，半导体Qubits的μs读取“ Quentin Schmidt先生（法国）1，Brian Martinez（France）1，Thomas Houriez（France）（France）1，France）1，Brian Martinez先生（France）。 （法国）1，Aloysius Jansen博士（法国）2，Xavier Jehl博士（法国）2，Tristan Meunier博士（法国）3，GaëlPillonnet博士（法国）1，GérardBilliot（法国）1，法国先生（法国）1，Adrien Morel（法国）4，France（France）（France）（France）5，France）5，5，France）5，5，5，France），5，5大学。Grenoble Alpes，CEA，Leti，F-38000 Grenoble，法国，2。大学。Grenoble Alpes，CEA，Pheliqs，F-38000 Grenoble，法国，3。Quobly，F-38000 Grenoble，法国；大学。Grenoble Alpes，CNRS，Institut Neel，F-38000 Grenoble，法国，4。Symme，Univ。Savoie Mont Blanc，法国Annecy，5。大学。Grenoble Alpes，CEA，List，F-38000 Grenoble，法国）
2025 IEEE自定义集成电路会议（CICC）13
1:30 pm 10-1 ：（被邀请）类似基于变压器的语言模型（被邀请）类似类似的硬件加速器»Geoffrey W. Burr（美国）1，Hsinyu Tsai（美国）1，IEM Boybat（瑞士）博士（瑞士）2，William A. Simon（Switzerland） Vasilopoulos（瑞士）2，Pritish Narayanan博士（美国）1，Andrea Fasoli博士（美国）1，Kohji Hosokawa先生（日本）3（日本）3，Manuel Lealoo（瑞士）博士（瑞士）2国家）1，查尔斯·麦金（Charles Mackin）（美国）1，埃琳娜·费罗（Elena Ferro）（瑞士）2，Kaoutar El Maghraoui博士（美国）4，Hadjer Benmeziane博士（瑞士）2，Timothy Philicelli（美国）5，美国的Timothy Philicelli博士（瑞士） ，Shubham Jain博士（美国）4，Abu Sebastian博士（瑞士）2，Vijay Narayanan博士（美国）4（1。IBM研究-Almaden，2。IBM Research Europe，3。IBM东京研究实验室，4。 IBM T. J. Watson Research Center，5。 IBM Albany Nanotech）IBM东京研究实验室，4。IBM T. J. Watson Research Center，5。 IBM Albany Nanotech）IBM T. J. Watson Research Center，5。IBM Albany Nanotech）IBM Albany Nanotech）
MC4558N8集成电路
MC4558N88 IC DUAL OPAMP 8P 5.5MHz SOSTITUISCE：AN4558，BA4558N，CD45558，GL4558，KIA4558，LA3130，LM45558，LS4558N，LS4558N，LS4558N，MC45558CN，MC4555855585555585558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RCRC4558，RC4558，RC4558，RCRC4558，RC4558，RC4558，RC4558。
130nm BiCMOS带通型负群延迟恒移相微波无源集成电路设计方法
Blaise Ravelo 1，IEEE 会员，Mathieu Guerin 2，IEEE 会员，Jaroslav Frnda 3,4，IEEE 高级会员，Frank Elliot Sahoa 5，Glauco Fontgalland 6，IEEE 高级会员，Hugerles S. Silva 7,8，IEEE 会员，Samuel Ngoho 9，Fayrouz Haddad 2，IEEE 会员，以及 Wenceslas Rahajandraibe 2，IEEE 会员 1 南京信息工程大学（NUIST），电子信息工程学院，江苏南京 210044 2 艾克斯-马赛大学，CNRS，土伦大学，IM2NP UMR7334，13007 马赛，法国 3 日利纳大学交通运输与通信运营与经济学院定量方法与经济信息学系， 01026 Zilina, 斯洛伐克 4 电信系，电气工程和计算机科学学院，VSB 俄斯特拉发技术大学，70800 俄斯特拉发，捷克共和国 5 Laboratoire de Physique Nucléaire et Physique de l'Environnement (LPNPE), Université d'Antananarivo, Antananarivo 101, Madagascar 6 联邦大学Campina Grande，应用电磁和微波实验室，Campina Grande/PB，58429，巴西 7 Instituto de Telecomunicações and Departamento de Eletrónica，Telecomunicações e Informática，Universidade de Aveiro，Campus Universitário de Santiago，3810-193 Aveiro，葡萄牙 8 巴西利亚大学电气工程系(UnB)，联邦区70910-900，巴西 9 法国系统科学协会 (AFSCET)，巴黎 75013，法国
用于量子计算集成电路的低温电子学
3 格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CNRS IMEP-LAHC，F-38000 格勒诺布尔，法国 通讯作者电子邮件：mikael.casse@cea.fr 我们概述了 FDSOI CMOS 晶体管在深低温下的性能，特别强调了背偏带来的好处。FDSOI 晶体管可在室温到低至 100mK 的温度下工作。测量和分析了主要的直流电特性、可变性和可靠性。我们还指出了在低温下出现的特定行为，并讨论了它们的物理起源和建模。 介绍 为了设计高效的量子计算机，需要将传统电子器件尽可能靠近量子比特 (qubit) 设备，考虑超导或 Si-spin 量子比特，以便读出和控制，从而减少对室温布线的需求 (1)。这种需求凸显了探索和开发低温 CMOS 技术的广泛重要性，其工作温度范围从 4.2K 到远低于 1K。此外，Si-spin 量子比特工艺也与 CMOS 工艺兼容，原则上可以将两者单片集成在单个芯片上 (2)、(3)。这可以为任何大规模量子处理器提供基本构建模块，通过设计可扩展的近量子比特低温电子器件来实现大规模量子比特矩阵索引，并最终开发容错通用门量子计算机 (4)。
评论：模拟/射频集成电路设计、合成、布局和测试中的机器学习技术
半导体技术的快速发展大大提高了计算机的计算能力。由于这一发展以及理论方面的最新发展，机器学习 (ML) 技术在许多新应用中变得颇具吸引力。这一趋势也启发了从事集成电路 (IC) 设计和优化的研究人员。基于 ML 的设计方法在挑战/辅助传统设计方法方面具有重要意义，因为它们可以在从建模到测试的不同设计层面使用，以学习任何模拟和射频 (RF) 设备或电路的任何非线性输入输出关系；从而为他们所学的任务提供快速而准确的响应。此外，在模拟/射频电子设计自动化 (EDA) 工具中使用 ML 技术可以提高此类工具的性能。在本文中，我们总结了最近的研究，并全面回顾了用于模拟/射频电路建模、设计、综合、布局和测试的 ML 技术。