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摘要 自 2010 年 1 月 1 日起，氨氮是《环境质量法》（EQA）中《工业废水管理条例》中新增的参数之一。根据该条例，工业设施位于集水区上游还是下游，氨氮限值最高限制为 10 ppm 和 20 ppm。然而，由于一些受影响公司的担忧，对于 2010 年之前开始运营的半导体公司，氨氮限值已提高到最初限值的两倍。这一临时限制将放宽至 2020 年 1 月 1 日。氨氮是由晶圆制造行业使用氢氧化铵溶液产生的，特别是在化学机械抛光（CMP）过程中。在 CMP 中，用浆料抛光硅晶圆表面会导致碎屑沉积在晶圆上。抛光后的清洁过程称为 CMP 后步骤。本文重点介绍使用 SpeedFam IPEC (SFI) AvantGaard™ 776 抛光机工具评估 CMP 后清洁效率。CMP 后步骤分为两个阶段，即抛光和擦洗过程。过去的研究人员对 CMP 后清洁进行了研究，但这些研究都无法采用，因为与湿法清洁工艺相比，这些技术在生产规模上不经济，或者所选化学品是氨基的。这项研究的目的是分析抛光和擦洗步骤的清洁效率，并制定一种不含氨的替代溶液，而不会影响清洁效率。研究发现，在抛光步骤中，晶圆上的颗粒被有效去除，去除效率为 99%，特殊配制的酸 SilTerra 清洁溶液 (SCS) 对颗粒和金属的去除能力与氢氧化铵相当，两者都实现了高于 97% 的阳离子和阴离子去除效率。SCS 的独特配方含有过氧化氢、硫酸和添加剂。该化学品是 SilTerra 的专利，由包括通讯作者在内的四位发明人拥有。之所以选择 SCS 进行评估，是因为它含有氧化和溶解污染物的必要成分。在 CMP 后清洗过程中跳过使用化学品的尝试并不理想，因为阴离子去除效率低于 95%。关键词：氨氮、环境和 CMP 后清洗。1. 简介氨氮是衡量废品或废水中氨含量的指标。根据《环境质量法》（工业废水）2009 年法规 [1]，必须对废水废水分析中的氨氮进行监测和报告。
用于 CMP 后清洗的无氨清洗溶液
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