3. 需要注意的是,M1 的 V OV 指定为 0.15 V,因此根据计算,V1 的直流偏置值应为 0.55V。这将使 M1 接近三极管区域,因此 VO 的信号摆幅将受到限制。这是因为问题解决方案中的计算结果没有考虑由于沟道长度调制 (LAMBDA) 而流动的电流。由于 NMOS 的 LAMBDA 大于 PMOS,因此它将输出端的工作点拉低至地。由于 L 非常小,因此这里的影响非常显著。因此,V1 的直流偏置略低于 0.53V。4. 执行瞬态分析并绘制 V(VO) 和 V(VI)。找到电路的增益。增益为 21.7 V/V。