机构名称：
¥ 2.0
图 1 用于 PCM 后端集成的 SiN 辅助硅光子工艺。(a) 器件制造流程图。(b) 测量具有不同数量级联沟槽的波导的透射光谱。插图是级联器件的布局。(c) 采用切割法评估 SiO 2 沟槽蚀刻工艺引入的波导损耗。(d) 制造后的器件的 3D 示意图。后端集成的 SbSe 可实现推挽式 MZI 开关的微调
适用于单片后端生产线的“零变化”平台……
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