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• BESS 使用隔离拓扑(例如双有源桥 (DAB) 后接有源前端转换器 (AFEC))集成到 MV 电网(2.3 kV、4.16 kV 或 13.8 kV) • 与两级拓扑相比,3 级中性点钳位拓扑既降低了滤波器要求,又降低了 SiC MOSFET 两端的电压应力 • 根据电网电压,可以串联 SiC 3.3 kV MOSFET 二极管器件

3.3 kV SiC MOSFET 加速电网连接储能

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