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图S2。 原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。 （a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。 此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。 （c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。 单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。图S2。原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。（a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。（c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。
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