机构名称：
¥ 2.0
本文报告了基于氮化铝（ALSCN）的设计，制造和实验验证，基于下一代内在计算机中的多重元素（MAC）操作。女性乘数利用ALSCN中的铁电偏振开关改变了压电系数（D 31），促进了神经网络中的权重的非挥发性，模拟记忆存储。然后，使用膜的压电参数来更改电容差距进行读数。在100V V P（5MV/cm）的电压下，铁电薄膜可以部分极化，并达到216 µC/cm 2的峰值残余极化。对光学测量位移的实验结果证实了ALSCN Unimorph乘数的操作。最大共振模式位移线性取决于极化和输入电压。这项工作为在内存计算中利用ALSCN的利用提供了基本见解，开放了用于高速，低功率和高精度计算应用程序的新途径。
底切蚀刻 - 康奈尔纳米级设施
主要关键词
相关文件推荐
