机构名称：
¥ 1.0
摘要 对辐射敏感的金属氧化物半导体场效应晶体管 (RADFET) 经 110 Gy(H 2 O) 伽马射线辐照。在不同正栅极偏压下辐照过程中的阈值电压 VT 结果表明，VT 随栅极偏压的增加而增加。辐照过程中的阈值电压偏移 Δ VT 拟合得很好。分析了辐射过程中固定陷阱 (FT) 和开关陷阱 (ST) 对 Δ VT 的贡献。结果表明，FT 的贡献明显高于 ST。提出了一个描述阈值电压偏移及其分量对栅极偏压依赖性的函数，该函数与实验值非常吻合。研究了辐照后 RADFET 在室温下无栅极偏压的退火情况。阈值电压的恢复（称为衰减）会随着辐射期间施加的栅极偏压而略有增加。 Δ VT 表现出与固定状态引起的阈值电压分量 Δ V ft 相同的变化，而由于开关陷阱引起的阈值电压分量 Δ V st 没有变化。
辐射敏感 MOSFET 受到各种正栅极偏压的照射
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