机构名称：
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电子和光学特性。例如，通过 PES 和 DFT 计算研究了掺杂一个和两个 V 原子的 Si 3–6，表明 V 2 Si 3–6 中存在强的 V–V 键。30 结合 PES 测量和 DFT 计算对 V 3 Si 3 14 31 和 V 1 3 Si 12 21 进行研究，可以识别它们的结构，并发现 V 3 Si 12 中的亚铁磁序。通过比较测量的红外多光子解离光谱和模拟的红外吸收光谱，确定了 n = 6–9 和 12–16 的 VSi n + 的结构。52–54 在为数不多的较大团簇研究中，PES 和 DFT 计算相结合表明 V 2 Si 20 采用类似富勒烯的 Si 20 笼，内部封装着 V 2 单元。55 另一项理论研究预测了 Si 14–18 V + 的结构。 40 然而，缺乏 VSi n 和 VSi n for n Z 14 的实验数据。本文，我们基于 PES 测量和 DFT 计算，对掺杂单个 V 原子的中尺寸 Si 团簇 VSi n ( n = 14–20 ) 进行了系统的研究。
20）簇：结合实验和密度函数
主要关键词
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