机构名称：
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2. 1 寄生电感 小信号外参数提取方法的关键是简化图 1 中某一特定偏置点处的等效电路。在冷夹断条件下（ V ds =0 ， V gs < - V th ），漏源电流源和输出电导可忽略不计，因此耗尽区可以用三个电容 C ig 、 C id 和 C igd 来表征，如图 2 所示。通常先提取寄生电容，无法消除寄生电感的影响，因此在提取寄生电容之前必须先去嵌入寄生电感 L g 、 L d 和 L s ，这也是本文方法与 Gao 等方法的不同之处
InP HEMT 的分布式小信号等效电路建模方法
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