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i. 施加负栅极电压 (-8 V) 以确保所有器件均已关闭 ii. 将漏极偏压升高至约 10 V iii. 逐渐增加栅极偏压电压,同时监测漏极电流,直到达到工作电流的 20% iv. 将漏极升高至工作偏压 v. 逐渐增加栅极偏压电压,同时监测漏极电流,直到达到工作电流 e. 要安全地对 GaN 器件进行去偏压,请先对输出放大器级进行去偏压(如果适用):
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