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掺杂的砷化镓晶体有多种用途。引入的原子可以通过取代镓或砷原子形成替代溶液，或成对引入以取代晶格中的相邻原子，或位于间隙位置。掺杂晶体的性质在很大程度上取决于掺杂剂与晶体固有缺陷的相互作用。激光二极管、LED、光电阴极和射频发生器中使用的晶体经过高硅掺杂。在微电子应用中，GaAs 大多是非掺杂半绝缘的。[1]
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