制定白皮书和测试计划,用于定义 PIC 技术 (TID、DD、SEE) 中潜在的辐射诱发故障机制 完成 Freedom Photonics PIC TID 和 DD 测试 (使用 50 MeV 质子进行高通量测试) 与 Georgia Tech 合作完成集成硅波导重离子测试。计划测试 GT SiN 波导和分立硅光子器件 (MZM) 计划在商用分立和集成光子器件 (UCSB、NeoPhotonics 等) 调查中进行额外的 TID 和 DD 质子测试 使用 Lumerical 物理建模和贝叶斯分析来分析 PIC 辐射数据的趋势。