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未来的半导体材料和工艺
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横截面 HAADF-STEM 图像和相应的 EDS 图，显示了交替堆叠的 TiO 2 和 SiO 2 层以及单层 Al 2 O 3，全部通过等离子 ALD 在纳米级沟槽结构上生长。

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