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印度理工学院坎普尔分校的磁光成像实验室开发了一种独特的装置，用于对电流分布进行成像，以应用于高级量子材料和设备。该系统的重新设计正在进行中，以期在室温到低温之间以及低到非常高的磁场环境中实现更高的灵敏度。利用这一点，该项目旨在探索新量子材料（如拓扑绝缘体 (TI) 及其异质结构）中的强关联驱动物理学，从而产生意想不到的新量子相和现象。这样的系统可能拥有强大的新拓扑保护量子态，这有助于避免量子信息位的退相干问题。成像技术的发展已经证明了可以将电流成像到几毫安。
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