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我们研究了霍尔斯坦扩展哈伯德模型的电子电子和电子 - phonon介导的配对,并在范霍夫填充物附近的kagome晶格上进行,我们研究了它们对电子配对状态的综合作用。我们发现,它们的组合可以在跨界区域促进异国情调的配对,在该区域中,填充物接近Van Hove的奇异性。尤其是在P型Van Hove填充时,E 1 U(P -Wave)和B 2 U(F Y 3 - 3 - 3 - 3 YX 2 -Wave)配对变得领先,在M -type van Hove flling,E 1 U和A 2 g(I -Wave)配对中得到了促进。此外,我们表明,由于费米表面的sublattice质地,电子 - 光子相互作用获得了显着的动量依赖性,从而可以促进非S波配对。我们对这些配对倾向进行了详细的分析,并讨论了对基于钒的Kagome超导体A V 3 SB 5的含义。

在kagome晶格上的电子电子和电子 - phonon介导的配对之间的交叉

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