在计算选定晶面的总设备用电后,我们将其值与晶圆厂的总电用使用情况进行了比较[9]。差异除以处理为设施值的掩码层处理的掩模层数。然后可以对按过程节点进行电气使用(逻辑显示),请参见图3。利用这种方法,我们发现设备用电量在没有EUV的40%+范围内,而EUV的范围为50%+范围。这与2007年至2011年时间范围的4个FAB的SEMATECH数据一致。设备对总用电的贡献的这些值不同于[6]中使用的60%假设。图3 EUV用电使用持续的30mJ/cm 2剂量(未填充条),并随着节点增加剂量,我们认为更反映实际需求(填充条)。euv在引言的第一个节点上,与DUV相比,DIV> EUV可以一次性减少。这是由于消除了多造影步骤。