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摘要我们提出了对戈斯 - 汉宁转移（GHS）的理论研究，该示波器和光学振动模式反映并从半导体薄膜的表面反映和传播，这些薄膜夹在两个半无限培养基之间。考虑到纵向模式和横向模式之间的耦合，我们的研究集中于入射角对GHS的影响。对于声学振动，我们的发现表明，GHS的幅度可能比薄膜的厚度大7倍，并且比入射波长大20倍。此外，还表明，GHS的这种显着扩增突出了入射角的强大影响和所涉及的模式的频率。在光学振动的情况下，我们观察到更明显的GHS值，超过入射波长的30倍。这证明了GHS在声学系统中的潜力，这为在声学设备设计中应用开辟了可能性。
Goos -hänchen换档，用于半导体结构中的振动模式
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