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极紫外光刻 (EUVL) 技术基础设施的开发仍然需要许多领域达到更高水平的技术就绪状态。需要引进大量新材料。例如，开发 EUV 兼容薄膜以采用经批准的 EUVL 光学光刻方法需要以前没有的全新薄膜。为了支持这些发展，PTB 凭借其在 EUV 计量方面 [1] 的数十年经验 [2]，在带内 EUV 波长和带外提供了广泛的光化和非光化测量。两条专用的、互补的 EUV 光束线 [3] 可用于辐射度 [4,5] 特性分析，分别受益于小发散度或可调光斑尺寸。EUV 光束线 [5] 覆盖的波长范围从低于 1 nm 到 45 nm [6]，如果另外使用 VUV 光束线，则可以覆盖更长的波长。标准光斑尺寸为 1 毫米 x 1 毫米，可选尺寸低至 0.1 毫米至 0.1 毫米。单独的光束线提供曝光设置。过去曾采用 20 W/cm 2 的曝光功率水平，通过衰减或失焦曝光可获得较低的通量。由于差分泵送阶段，样品可以在曝光期间保持在定义的气体条件下。我们介绍了我们用于 EUV 计量的仪器和分析能力的最新概述，并提供了数据以供说明。
PTB 的 EUV 辐射测量更新
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