机构名称：
¥ 14.0
与其他类型的 GMR 材料相比，NVE 的 GMR 材料值得注意的地方在于，NVE 的材料在施加极大磁场时不会受损。其他来源的 GMR 材料通常依赖于保持其中一个磁性层在内部磁化或固定在特定方向上，并允许另一层旋转，从而提供 GMR 效应。在某些此类材料中，小至 200 高斯的外部磁场就会扰乱该固定层，从而永久损坏传感器元件。大多数 NVE 的 GMR 材料都依赖于层之间的反铁磁耦合；因此，它们不受极大磁场的影响，并且在移除大磁场后将恢复正常运行。NVE 最近推出了一种具有固定磁性层的量产 GMR 材料，该固定层使用合成反铁磁体进行固定，在 300ºC 以下的温度下不会发生扰乱。因此，NVE 的固定 GMR 材料不易受到干扰问题的影响。
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