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热光伏技术的进展：材料、器件和系统
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
Michał Parniak-Niedojadło - 量子光学器件
华沙大学量子光学技术中心 华沙，波兰 量子光学器件实验室组长 2020- 主要项目：量子光光谱、量子超分辨率成像和光谱、使用量子存储器的量子通信、里德堡原子和量子非线性光学 哥本哈根大学尼尔斯玻尔研究所 哥本哈根，丹麦 由 ES Polzik 教授领导的 QUANTOP 实验室博士后研究员 2018-2023 主要项目：超相干膜谐振器的机械 Fock 态的生成和原子光机械系统中混合纠缠的建立 ICFO-光子科学研究所 巴塞罗那，西班牙 Morgan W. Mitchell 教授小组的暑期研究员，从事激光相位注入锁定研究 2013 教育
热机械老化对柔性微电子器件材料和界面特性的影响
摘要：从材料和功能耐久性的角度研究并报告了热老化、疲劳和热机械老化对柔性微电子 12 器件的影响。研究了封装材料和基板的降解 13 机制。分析了封装材料和基板 14 材料的性能变化，并确定了它们在柔性器件失效机制中的关系。15 在热老化条件下，树脂的硬化与测试载体中的分层有关，这会导致功能性电气性能的丧失。降解是由于在 120°C 的热氧化过程中发生了突出的交联 17 反应。疲劳 18 应力测试后，树脂会发生适度硬化。虽然后者的硬化同样与交联反应有关，但在这里，硬化 19 不能由树脂的热降解引起，因为所用的应力频率很低。20 相反，热机械耦合发生在两个阶段。在温和条件下，降解 21 机制对应于热老化和疲劳过程的综合效应。在更严酷的热机械条件下，断链机制变得更加有效，并导致树脂软化 23。24
基于 SiC 的辐射探测器前端电子器件
摘要 — 在高剂量脉冲带电粒子束中，所有在线探测器都会因离子复合而饱和。因此，不可能单独计数探测器脉冲。碳化硅由于其高带隙、高热导率和高位移能量而被视为替代品。实时分析波形在带宽、可测量能量范围、传感器尺寸、数据速率方面具有挑战性。在此背景下，设计了一个用于辐射信号处理的模拟前端 (AFE)。它基于跨阻放大器 (TIA) 和电荷敏感放大器 (CSA) 来分析生成信号的形状。描述了用于表征高探测器电容 AFE 的方法。还介绍了从辐射环境中的模拟、实验和测量中提取的结果。
多端忆阻器件实现神经形态硬件中可调突触可塑性：简要回顾
基于脉冲神经网络的神经形态计算有可能显著提高人工智能的在线学习能力和能源效率，特别是对于边缘计算。计算神经科学的最新进展证明了异突触可塑性对于网络活动调节和记忆的重要性。因此，在硬件中实现异突触可塑性是非常可取的，但重要的材料和工程挑战仍然存在，需要在神经形态设备方面取得突破。在这篇小型评论中，我们概述了具有可调突触可塑性的硅基多端忆阻设备的最新进展，从而实现了硬件中的异突触可塑性。讨论了这些设备与工业互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的可扩展性和兼容性。
功能化纳米粒子自组装纳米器件的分子光开关中的高电导率
摘要：自组装功能化纳米粒子是多种潜在应用的焦点，特别是用于分子级电子设备。这里，我们对 10 纳米金纳米粒子 (NPs) 进行了自组装实验，这些粒子由一层致密的偶氮苯-联噻吩 (AzBT) 分子功能化，目的是构建具有忆阻特性的光可切换设备。我们制造了由 NP 自组装网络 (NPSAN) 组成的平面纳米设备，这些纳米电极与纳米电极接触，纳米电极之间的电极间隙从 30 到 100 纳米不等。我们展示了这些 AzBT-NPSAN 中光诱导的电导可逆切换，创下了高达 620 的“开/关”电导比记录，平均值约为。 30，85% 的器件的比例超过 10。对纳米颗粒表面化学吸附的分子单层之间的界面结构和动力学进行了分子动力学模拟，并将其与实验结果进行了比较。结果表明，接触界面的性质与分子构象密切相关，对于 AzBT 分子，可以通过明确定义波长的光照射在顺式和反式之间可逆地切换。与通过导电 c-AFM 尖端接触的平面自组装单层上进行的实验相比，分子动力学模拟为实验观察到的两个异构体之间开/关电流比降低提供了微观解释。
深低温下 FDSOI 器件的 TCAD 模拟
摘要 — 本文证明了在深低温下 FDSOI 器件 TCAD 模拟的可行性。为此，麦克斯韦-玻尔兹曼载流子统计被具有 3D 态密度的费米-狄拉克积分的解析近似所取代。通过求解二维泊松方程来研究器件静电，而使用漂移扩散模型模拟传输。我们探讨了温度对线性和饱和区器件性能的影响以及短沟道效应的影响，这些影响考虑了各种栅极和间隔物长度、室温和深低温。最后，将得到的结果与一些实验数据进行了比较，强调了 TCAD 模拟在提供器件物理和性能见解方面的作用。关键词 — 低温电子学、FDSOI、TCAD 模拟
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。
GIAN 有机电子材料与器件课程
• 有机电子学和有机半导体电子结构的介绍。 • 问题解决环节：有机半导体材料电子能级的确定。 • 有机半导体中的电子传导和电荷传输。 • 问题解决环节：固态有机分子的电导率和迁移率计算。 • 有机场效应晶体管 (OFET) 器件的有机半导体。 • 问题解决环节：确定 OFET 器件特性和有机太阳能电池效率。 • 有机发光器件 - 工作原理和器件。 • 有机光伏：材料开发和器件制造的现状。 • 染料敏化太阳能电池 (DSSC)：理论、制造和当前情景。 • 钙钛矿太阳能电池 (PSC)：概述。