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多功能电致变色器件
电致变色 (Electrochromic, EC) 是材料的光学属 性 ( 透过率、反射率或吸收率 ) 在外加电场作用下发 生稳定、可逆颜色变化的现象 [1] 。 1961 年 , 美国芝 加哥大学 Platt [2] 提出了 “ 电致变色 ” 的概念。到 1969 年 , 美国科学家 Deb [3] 首次报道了非晶态三氧化钨 (Tungsten Trioxide, WO 3 ) 的电致变色效应。随后 , 人 们开始对电致变色材料进行了广泛而深入的研究。 20 世纪 80 年代 , “ 智能窗 ” 概念提出后 [4] , 由于节能环 保、智能可控等优点 , 形成一波新的电致变色技术研究 热点 [5-10] 。随着研究的深入 , 特别是纳米技术的快速 发展 , 器件性能得到了大幅的提升 ( 图 1(a)) [11-13] , 电 致变色器件 (Electrochromic Device, ECD) 也逐渐实现 了产业化应用。 根据材料种类不同 , 电致变色材料可大致分为 有机电致变色材料和无机电致变色材料。相较而言 , 有机电致变色材料具有变色速度快、柔性好、可加 工性强和颜色变化丰富等优点 , 主要包括导电高分 子、紫罗精类小分子和金属有机螯合物等 [14] 。无机 电致变色材料具有光学对比度高、光学记忆性好和 环境稳定性高等优点 , 主要包括过渡金属氧化物以 及普鲁士蓝等 [15] 。目前 , 电致变色器件的结构主要 为类三明治结构 , 由两个透明导电层中间夹一层电 致变色活性层构成。根据电致变色材料种类不同 , 电致变色活性层可分为整体结构和分层结构。整体 结构是电致变色材料与电解质相互混合为一层 , 这 类结构主要针对紫罗精等小分子有机物。这类器件 在外加电场作用下 , 有机小分子扩散到电极表面或 以电解质中氧化还原剂为媒介发生氧化还原反应而 实现颜色变化 [16] 。分层结构是电致变色材料、电解 质和对电极 ( 或叫离子储存层 ) 依靠界面接触分层 ,
半导体分立器件专业制造商
银河是一家专注于分立器件研发、制造和销售的IDM半导体公司，主要产品包括各类二极管、碳化硅、MOSFET、晶体管、模拟IC、光耦、LED等分立半导体器件，可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品和技术解决方案，满足客户一站式采购需求，产品广泛应用于电脑及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通讯、汽车电子、工业控制等诸多领域。
1.1 微电子器件向纳米尺度的进展
2024 年 7 月 6 日 — Gargini，“维持摩尔定律——微电子学、纳米电子学及其他”。ISO focus，第 28-30 页，2007 年。[10] F. F. Sizov，“红外探测器：展望与...
无机全固态电致变色材料与器件研究进展
收稿日期: 2019-06-24; 收到修改稿日期: 2019-11-18 基金项目: 国家自然科学基金 (51572284, 51972328, 51903244); 中国科学院青促会人才支持计划 (2018288); 高性能陶瓷和 超微结构国家重点实验室青年基金 (SKL201703); 上海市浦江人才项目 (18PJD051); 安徽省重点研发计划 (1804a09020061) National Natural Science Foundation of China (51572284, 51972328, 51903244); Youth Innovation Promotion Asso- ciation, Chinese Academy of Sciences (2018288); Science Foundation for Youth Scholar of State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures (SKL201703); Shanghai Pujiang Program (18PJD051); Key Research and Development Plan of Anhui Province (1804a09020061) 作者简介: 贾汉祥 (1993–), 男 , 博士研究生 . E-mail: jiahanxiang@student.sic.ac.cn JIA Hanxiang(1993–), male, PhD candidate. E-mail: jiahanxiang@student.sic.ac.cn 通讯作者: 曹 逊 , 研究员 . E-mail: cxun@mail.sic.ac.cn CAO Xun, professor. E-mail: cxun@mail.sic.ac.cn
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 （ a ） 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 （ b ） Fig. 11 Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases
压电纤维复合材料智能传感器的有限元预测与器件性能研究
将 MFC 看成压电等效体，由于功能相 PZT-5H 为四方相晶体结构 P4mm 点 群，存在 32 31 24 15 11 22 11 22 44 55 13 23 32 、 、 、 、 、 d d d d s s s s s s s ，则式（ 1 ）
压电器件
低温共烧陶瓷技术是生产先进集成压电器件的先决条件，这种器件具有高度紧凑性和超低驱动电压等优点，可用于现代微机电系统。然而，作为最基本的功能电子元件，具有剪切型输出的压电陶瓷结构几十年来从未通过共烧法成功制备成多层形式。平行施加电场和极化技术制造要求在理论上与自然发生的剪切模式中固有的正交取向不相容。在此，受到从相同晶胞构建超材料的理念的启发，设计并制备了一种具有独特图案化电极和阵列式压电陶瓷子单元的人工原型装置，事实证明它可以完美地产生合成面剪切变形。在相同驱动电压下，与之前的 d 15 模式块体元件相比，剪切型位移输出增强了一个数量级以上。基于导波的结构健康监测和力传感的进一步结果证实，该方法消除了艰难的压电技术障碍，并有望从根本上启发集成剪切模式压电装置在增强驱动、传感和传感应用方面的进步。