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World File Search System掺杂
基于软模板合成介孔磷和硼共掺杂 NiFe 基合金以实现高效的氧析出反应
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掺杂通道 SOI pMOS TCAD 描述包括浮体效应
几十年来，人们对 SOI 器件进行了广泛的研究，并将其应用于多种应用：具有厚硅膜（>60nm）的部分耗尽 SOI 器件用于 RF-SOI 应用 [1]，而具有薄 SOI 膜（<10nm）的全耗尽 SOI 器件用于 RF、数字和更多 Moore 应用 [2-4]。已知 PD-SOI 器件中会发生浮体 (FB) 效应 [5-6]，可以通过体接触消除 [7-8]，而 FD-SOI 器件由于具有薄 SOI 膜，因此不受 FB 效应的影响。最近，已经提出了在薄 BOX 上具有相对较薄的薄膜（22nm）的 SOI 器件，以满足 3D 顺序积分的成像器应用要求 [9]，其中 SOI 膜掺杂可用于 Vt 居中。本文的目的是确定这种 SOI 器件的操作，并提出相应的 TCAD 描述，考虑 SOI 膜掺杂。
重新审视 N-DMBI 对 n 型有机材料的掺杂机制及其在热电应用中的应用：光激活、热激活和空气稳定性
图 5：(a) n 型聚合物（区域随机 x+y，其中 x：R 1 =C 12 H 25 ，R 2 =H；y：R 1 =H，R 2 = C 12 H 25 ）和 N-DMBI 的化学结构，用于证明 O 2 消耗。 (b) 掺杂 P（FBDOPV-2T-C 12 ）的 ESR 光谱，在室温下于 t0 搅拌（黑线），在 100°C 下搅拌 5 至 90 分钟，在室温下之后（红线），溶于无水氯苯（ESR 管在充满氩气的手套箱中制备，O 2 < 10 ppm，黑暗条件）。信号（c）线宽和（d）强度（双重积分）随室温下于 t0 搅拌时间的变化
通过... 将 pMUT 性能与 30% Sc 掺杂的 AlN 耦合
摘要 — 如果不是因为其有限的 e 31,f 压电系数，氮化铝 (AlN) 为压电微机械超声换能器 (pMUT) 提供了一种与 CMOS 兼容、稳定且无铅的解决方案。尽管已知增加 ScAlN 中的钪 (Sc) 掺杂含量可以提高机电耦合因子 (K t 2 ) 和整体声学性能，但结果在很大程度上取决于 ScAlN 薄膜的应力，尤其是对于空气耦合 pMUT。本研究旨在比较由于 Sc 含量从 20% 增加到 30% 而导致的 pMUT 性能（以 K t 2 为单位）与应力的关系，并考虑其对频率和膜静态变形的影响。结果表明，30% Sc 器件在 -50 MPa 时实现了平均 K t 2 >6%，与基于 PZT 的 pMUT 相当。与 20% Sc 相比，30% Sc 掺杂的 pMUT 传输压力灵敏度提高了 50%，双向灵敏度总体提高了 6 dB。
通过抑制掺杂诱导无序来增强共轭聚合物的热电性能
掺杂是提升各种有机电子器件性能的重要策略。然而，在许多情况下，共轭聚合物中掺杂剂的随机分布会导致聚合物微结构的破坏，严重限制了电子器件的可实现性能。本文表明，通过离子交换掺杂聚噻吩基 P[(3HT) 1-x -stat-(T) x ]（x = 0（P1）、0.12（P2）、0.24（P3）和 0.36（P4）），无规共聚物 P3 实现了 > 400 S cm − 1 的极高电导率和 > 16 μ W m − 1 K − 2 的功率因数，使其成为有史以来报道的基于未排列的 P3HT 薄膜中最高的电导率之一，明显高于 P1（< 40 S cm − 1 、< 4 μ W m − 1 K − 2）。尽管两种聚合物在原始状态下都表现出相当的场效应晶体管空穴迁移率≈0.1 cm 2 V − 1 s − 1，但掺杂后，霍尔效应测量表明 P3 表现出高达 1.2 cm 2 V − 1 s − 1 的霍尔迁移率，明显优于 P1（0.06 cm 2 V − 1 s − 1）。GIWAXS 测量确定掺杂 P3 的平面内𝝅 – 𝝅堆叠距离为 3.44 Å，明显短于掺杂 P1（3.68 Å）。这些发现有助于解决 P3HT 中长期存在的掺杂剂诱导无序问题，并作为在高掺杂聚合物中实现快速电荷传输以实现高效电子器件的典范。
预测稀土掺杂眼镜中的JO参数
本文介绍了一种机器学习驱动的方法，用于预测稀土（Re）掺杂玻璃系统的光谱特性，重点是DY 3+离子。使用熔融液压技术合成0.25 PBO – 0.2 SIO 2 - （0.55-X）B 2 O 3 –x dy 2 O 3，及其密度，摩尔体积和judd-offelt（jo）参数（ω2，ω4，ω6）进行了实验确定。使用judd-芬芳理论来计算光谱参数，例如振荡器强度，辐射过渡概率和辐射寿命，用于DY 3+掺杂玻璃。此外，开发了一个随机森林（RF）回归模型，以根据玻璃的组成来预测这些参数。该模型显示高精度，在0.1下，R²（确定系数）值高于0.9和根平方误差（RMSE），从而验证了RF的使用以可靠地预测光学性质。结果表明，RF模型可以有效地模拟稀土（RE）载有玻璃的发光特性，从而大大减少了对实验测试的需求。这种方法提供了优化在激光器，光学放大器和温度传感器等应用中使用的光学材料设计的潜力。
碳掺杂二维材料中的人工智能能隙预测：利用 Behler-Parrinello 描述符实现高密度系统
摘要 在本研究中，我们使用机器学习 (ML) 技术探索了碳掺杂六方氮化硼 (h-BN) 薄片的电子特性。六方氮化硼是一种被广泛研究的二维材料，具有出色的机械、热学和电子特性，使其适用于纳米电子学和光电子学应用。通过用碳原子掺杂 h-BN 晶格，我们旨在研究掺杂如何影响其电子结构，特别关注基态能量和 HOMO-LUMO 间隙。我们生成了一个包含 2076 个 h-BN 薄片的数据集，这些薄片被氢饱和并掺杂了随机变化浓度的碳原子。选择了三种典型的掺杂场景——一个、十个和二十个碳原子——进行深入分析。使用密度泛函理论 (DFT) 计算，我们确定了这些配置的基态能量和 HOMO-LUMO 间隙。使用 Behler-Parrinello 原子对称函数从优化结构生成描述符，这些描述符捕获了 ML 模型的关键特征。我们采用了随机森林和梯度提升模型来预测能量和 HOMO-LUMO 间隙，实现了较高的预测准确率，R 平方值分别为 0.84 和 0.87。这项研究证明了 ML 技术在预测掺杂 2D 材料特性方面的潜力，为传统方法提供了一种更快、更经济的替代方案，对纳米电子、储能和传感器领域的材料设计具有广泛的意义。
铝掺杂对ZnO薄膜光学，电气和气体传感特性的影响
这项研究探索了铝掺杂对ZnO薄膜光学和电气性能的影响，以及它们的气感应能力，特别是对血清的响应。薄膜，然后在500°C下退火，其掺杂浓度变化（0％，0.5％，1％，1％，1.5％，2％和2.5％）。结果表明，较高的Al掺杂提高了透射率，这可能是由于结晶度增强和爆发蛋白 - 莫斯效应所致，而2.5％的Al掺杂ZnO表现出最高的透射率约为85％。折射率和灭绝系数分析表明，在较高的掺杂水平下，光吸收和散射降低，反映了膜质量的提高。介电常数的实际和虚部也随掺杂而变化，掺杂的ZnO为0.5％，显示了最高的实际部分，表明更好的介电性能。Al掺杂的ZnO膜的光条间隙随着AL浓度的增加而降低，与先前的研究一致，表明电导率的潜在改善。电性能，尤其是I-V特性，表明较高的Al掺杂降低了电导率，这可能是由于电荷载体散射增加所致。气体传感实验表明，2％掺杂的ZnO对血清表现出更高的敏感性，而耐药性随时间和血清体积而变化，突出了ZnO膜及其环境之间的动态相互作用。该研究的发现表明，Al掺杂增强了ZnO薄膜的光学和传感特性，最佳的掺杂浓度约为2％，以最大程度的灵敏度。
研究CD+2掺杂的结构和电性能...
x cd x x fe 2 o 4（x = 0.00，0.01，0.01，0.03，0.05，0.07，0.09）由共同途径准备。准备后，样品在温度900°C下烧结6小时。不同的表征技术，例如XRD（X射线划分），FTIR（傅立叶转换 - 红外 - 光镜检查），UV-VIS。和IV-特征术用于探索掺杂元件（CD）对纳米粒子的电，结构和光学特性的影响。XRD数据证实了Fe2O3的第二阶段的材料的单相，平均晶体大小在38.09-45.15 nm的范围内。在8.4471Å到8.4763Å中发现的准备材料的平均晶格常数值。在FTIR数据中，在所有样本中都发现了一个突出的频段，在某些样品中，在400-4000cm-1的范围内发现了第二个频段。IV观察性揭示了DC抗药性对温度的依赖性以及在0.1365到0.4332 EV/1000K的范围内的活化能值（∆𝐸𝐸）的依赖性。紫外线。分析证实了平均波长286 nm的所有样品的吸收峰。在此波长吸收下，所有样品的吸收范围为2.8722-3.2956（A.U）。CD浓度负责减少饱和磁性和损耗的降低。由于合适的特性，这些材料在录制媒体，高频应用和电子工程等许多分支等不同领域都有用。（2024年10月16日收到； 2024年12月11日接受）关键词：纳米结构，共凝结法，XRD，晶体大小，电阻率，激活能量1.引言尖晶石铁氧体是一类带有通用式AB 2 O 4的磁性材料，其中A和B代表不同的金属阳离子，O是氧。它们具有称为尖晶石结构的立方晶体结构，以矿物尖晶石的名字命名。尖晶石铁氧体表现出磁性，电气和结构特性的组合，使其在广泛的应用中有用，包括磁性存储，变压器，电感器和生物医学设备[1]。