近年来,各种基于载体的药物输送系统的设计和制造策略已迅速建立并应用于癌症治疗。这些系统对当前的癌症治疗贡献巨大,但需要进一步发展以消除药物负载能力低和严重副作用等障碍。为了实现更好的药物输送,我们提出了一种基于分子结构的易于制造的药物自输送系统的创新策略,该系统可用于共输送姜黄素类化合物和喜树碱的所有含氮衍生物,以更好地靶向癌症治疗并最大限度地减少副作用。形成机制研究表明,喜树碱衍生物和姜黄素类化合物的刚性平面结构以及相关的离去氢使它们能够在适当的条件下组装成纳米颗粒。这些纳米颗粒在不同条件下表现出稳定的粒径(100纳米)和可调的表面电荷,从正常生理条件(pH 7.4)下的约-10 mV增加到酸性肿瘤环境下的+40 mV。此外,小鼠体内实验表明,与伊立替康(喜树碱衍生物)相比,联合给药的伊立替康姜黄素纳米颗粒显著增强了肺和胆囊的靶向性,改善了巨噬细胞清除逃逸,改善了结直肠癌治疗,消除了危及生命的腹泻,为更好的靶向化疗和临床转化带来了希望。最后,基于结构设计的药物自递送系统策略可能会激发更多类似的自递送纳米系统的研究和发现,以用于更广泛的药物应用。
图2。在QFEG上重新掺杂的MOS 2中的8%重掺杂的MOS 2中的rhenium簇和条纹形成:多层重掺杂MOS 2岛的恒定电流STM概述图像。红色和橙色虚线分别表示岛边缘和隔离边界。(b)MOS 2岛的结构模型以快速(稀释浓度)和缓慢(密集的浓度)生长方面表示。(c,d)(a)中插图中显示的岛单层不同区域中的恒定电流STM地形。从浓度和分布的突然变化中鉴定出隔离边界。e)中性(REMO 0)的STM地形和单层Re-MOS 2中的带正电(REMO +)RE原子。(f)STM地形突出了中性(蓝色圆圈)和带正电荷(洋红色圆圈)的分布,以及单层Re-Mos 2膜中的硫位于硫磺位点缺陷(橙色圆圈)。
对离子在半导体中产生的电离径迹的产生和传输进行 TCAD 模拟与可靠性以及辐射探测器的设计息息相关。具体而言,可靠性应用侧重于模拟在测试半导体元件是否易受软错误(逻辑器件、存储器,例如 [1] )和单粒子烧毁(功率器件,例如 [2] )影响时发生的瞬态现象。主要的 TCAD 工具已经包含模型和程序(例如 [3] ),但它们存在一些实际限制,例如仅限于单一类型的离子、有效能量范围的限制以及仅适用于硅的校准。此外,现有模型在数值上比较僵化,不易针对其他类型的离子、半导体和能量范围进行校准。本文提出了一个基于物理导向的 Crystal-Ball 函数 [4] 的半导体中低能离子沉积电荷的统一模型。特别关注能量范围分别为 0 – 10 MeV 和 0 – 160 MeV 的 α 粒子和质子。与常用模型相比,这种选择具有几个优势。特别是,α 粒子和质子使用相同的建模函数。此外,与现有解决方案相比,所提出的模型使用的校准参数更少,数值条件良好,并且其校准参数更透明,因为它们与可测量的物理量相关。最后,所提出的模型可以轻松扩展到不同的半导体和离子类型。
•始于2010年,重点是新兴国家的网格太阳能市场。•我们拥有强大的产品设计和制造业(灯笼,路灯,电荷控制器,家庭照明系统等产品)。我们的运营团队拥有超过10年的经验。•我们专门针对企业和工业客户设计和安装屋顶太阳能解决方案•我们正在开发我们的品牌,因为太阳能包装过渡到B-2-C零售游戏。•对于太阳热应用,我们已经在基本的CSP开发和技术上进行了大量投资。•我们已经在古吉拉特邦Rajkot附近的5MW网格连接的电厂的基础上执行了66 kV的电力撤离系统。
纠缠是量子技术的关键资源,是令人兴奋的多体现象的根源。然而,当现实世界的量子系统与其环境相互作用时,量化其两部分之间的纠缠是一项挑战,因为后者将跨边界的经典关联与量子关联混合在一起。在这里,我们使用混合态的算子空间纠缠谱有效地量化了这种现实开放系统中的量子关联。如果系统具有固定电荷,我们表明谱值的子集编码了不同跨边界电荷配置之间的相干性。这些值的总和,我们称之为“配置相干性”,可用作跨边界相干性的量化器。至关重要的是,我们证明了对于纯度非增映射,例如具有 Hermitian 跳跃算子的 Lindblad 型演化,配置相干性是一种纠缠度量。此外,可以使用状态密度矩阵的张量网络表示有效地计算它。我们展示了在存在失相的情况下在链上移动的无自旋粒子的配置相干性。我们的方法可以量化广泛系统中的相干性和纠缠,并激发有效的纠缠检测。
摘要 — 现代神经调节系统通常提供大量的记录和刺激通道,这降低了每个通道的可用功率和面积预算。为了在面积限制越来越严格的情况下保持必要的输入参考噪声性能,斩波神经前端通常是首选方式,因为斩波稳定可以同时改善(1/f)噪声和面积消耗。现有技术中,通过基于输入电压缓冲器的阻抗增强器解决了输入阻抗大幅降低的问题。这些缓冲器对大型输入电容器进行预充电,减少从电极吸取的电荷并有效提高输入阻抗。这些缓冲器上的偏移直接转化为电荷转移到电极,这会加速电极老化。为了解决这个问题,提出了一种具有超低时间平均偏移的电压缓冲器,它通过定期重新配置来消除偏移,从而最大限度地减少意外的电荷转移。本文详细介绍了背景和电路设计,并介绍了在 180 nm HV CMOS 工艺中实现的原型的测量结果。测量结果证实,发生了与信号无关的缓冲器偏移引起的电荷转移,并且可以通过所提出的缓冲器重新配置来缓解这种电荷转移,而不会对输入阻抗增强器的操作产生不利影响。所提出的神经记录器前端实现了最先进的性能,面积消耗为 0.036 mm2,输入参考噪声为 1.32 µV rms(1 Hz 至 200 Hz)和 3.36 µV rms(0.2 kHz 至 10 kHz),功耗为 13.7 µW(1.8 V 电源),以及 50 Hz 时的 CMRR 和 PSRR ≥ 83 dB。
i介绍了第三代Sun Smart系列MPPT太阳能电荷控制器,这是Systek设计和开发的尖端解决方案。此高级电荷控制器使用了快速,精确的创新最大点跟踪(MPPT)算法。太阳智能太阳能电荷控制器具有无风扇的套管,可抵抗灰尘和水,确保寿命更长。它能够在混合模式操作中控制任何逆变器,即使在没有太阳能的情况下,也可以充电。它还可以为在DC功率上运行的电器提供直流输出,同时保护电池免于过电。最多可以平行连接四个太阳智能太阳能电荷控制器,以增加电流和大电池的当前容量。其可选的WiFi功能允许远程监视其操作。它是最通用,最可靠的太阳能电荷控制器之一,具有许多在其他功能中的功能。
免责声明:这项工作得到了国家科学基金会奖1800893的支持,通过高级技术教育计划。本材料中表达的任何意见,发现,结论或建议都是作者的意见,不一定反映了国家科学基金会的观点。
摘要:二维共轭金属有机框架(2D C-MOF)由于其(半)的导电性能而吸引了对电子的兴趣日益增加。电荷 - 中立2D C-MOF也具有持久的有机自由基,可以看作是自旋浓缩阵列,为Spintronics提供了新的机会。然而,层堆积的2D C-MOF的相邻分子之间的强π相互作用歼灭了活跃的自旋中心,并显着加速了自旋松弛,严重限制了它们作为自旋量子的潜力。在此,我们通过控制层间堆叠来报告2D C -MOF中电荷传输和自旋动力学的精确调整。在共轭配体上引入了笨重的侧基,从而使2D C -MOFS层从锯齿状的堆叠到交错的堆叠量显着脱位,从而在空间上削弱了层间相互作用。因此,2D C -MOF的电导率降低了六个数量级,而旋转密度则增加了30倍以上,并且自旋晶格松弛时间(t 1)增加到〜60 µs,从而使旋转宽松的参考2D C -MOF变得越来越快地占据了旋转的良好。自旋动力学结果还表明,无旋转极化对或双极在这2D C -MOF的电荷传输中起关键作用。我们的策略提供了一种自下而上的方法,可以在2D C-MOF中扩增自旋动力学,从而为开发基于MOF的Spintronics开辟了途径。
几次学习(FSL)的目的是学习如何从少数培训检查中认可图像类别。一个核心挑战是,可用的培训检查通常不足以确定哪些视觉效果是所考虑类别中最具特征的。为了应对这一挑战,我们将这些视觉特征组织成方面,从直观地将相同的特征分组(例如,与形状,颜色或纹理相关的功能)。这是从以下假设中的动机:(i)每个方面的重要性因类别而异,并且(ii)可以从类别名称的预训练的嵌入中预测Facet的重要性。尤其是我们提出了一种自适应的相似性度量,依靠对给定类别的预测的重要性权重。该措施可以与各种现有的基于度量的甲基甲化组合使用。在迷你胶原和CUB上进行的实验表明,我们的方法改善了基于公制的FSL的最新方法。
