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World File Search System薄膜
大面积WTE2薄膜中的可调等离子体
Chaoyu Song 1,2 ,, Fanjie Wang 1,2 ,, Yuangang Xie 1,2 ,, Yuchen Lei 1,2 ,, Zhengzong Sun 3* ,
AlN 和 AlScN 薄膜 ICP 蚀刻微
随着对电子设备成本更低、性能更好、尺寸更小、可持续性更强的需求，微机电系统 (MEMS) 换能器成为受益于小型化的主要下一代技术候选之一 [1-3]。压电 MEMS 谐振器具有高品质因数和大机电耦合度，是射频 (RF) 系统中很有前途的产品 [4-8]。压电 MEMS 谐振器的主要材料是氮化铝 (AlN)、压电陶瓷 (PZT)、氧化锌 (ZnO) 和铌酸锂 (LN) [9-13]。近年来，掺杂 AlN 薄膜，尤其是氮化铝钪 (AlScN)，因其能提高 d 33 和 d 31 压电系数而备受研究 [14]。基于AlN和AlScN薄膜的压电MEMS谐振器凭借单片集成度高、性能优越等特点，受到越来越多的关注。MEMS谐振器种类繁多，如表面声波（SAW）谐振器[15，16]、薄膜体声波谐振器（FBAR）[17-19]。但SAW器件与CMOS工艺不兼容，FBAR的频率主要取决于压电层厚度，因此很难在一个芯片上实现多个工作频率或宽频率可调性。另一方面，基于AlN和AlScN的轮廓模式谐振器（CMR）与CMOS工艺兼容[20-24]。同时，工作频率和谐振频率与CMOS工艺兼容，而基于CMR的器件的工作频率和谐振频率与CMOS工艺不兼容。
退火温度对LA2TI2O7薄膜厚度和粗糙度的影响
在这项工作中，验证了底物退火温度对LA 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度的影响。通过脉冲激光沉积技术（PLD）在各种退火温度下成功地在Si（100）底物上生长了一组LTO薄膜，每脉冲的脉冲和能量恒定。扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）用于研究沉积的La 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度。由于线性退火温度的升高，薄膜的平均厚度降低。当LTO薄膜在500°C下沉积时，发现最大厚度（231 nm）。均方根粗糙度随着底物温度的升高而线性增加。在LTO以（500°C）沉积时，发现最小粗糙度（0.254 nm）。从获得的结果中，其清晰的证据表明退火温度对LTO薄膜的厚度和粗糙度有影响。关键字
无序钨薄膜超导性的起源
最常见的钨andα-W同质量在约11 mk的温度下具有超导过渡。然而，据报道，当合成为薄膜时，温度范围内具有超导的过渡，在温度范围内t c〜2-5 k：晶体β-W和无定形W（A -W）。在这项工作中，我们对使用DC磁控溅射，运输，低频磁屏蔽响应和透射电子显微镜进行了系统研究。我们的结果表明，虽然A -W确实是常规的超导体，但β-W并不是一个超过2.3 K的超导体。在推定的β -W fif中，具有T c> 3 k的超导能力可能起源于在β-W相下形成的无定形相。我们的发现调和了β -W中报道的一些异常，例如非常小的超导间隙和随着纤维厚度的增加而减少T c。
第15部分 薄膜型液化天然气运输船结构规范
该协会制定并发布船舶分类规则，其中包含船体结构和基本工程系统的最低要求。在船舶设计、建造和运营期间，该协会经国家主管部门授权，验证船舶是否符合分类要求和适用的国际法规。运输和装卸设备（包括液化天然气货物围护系统）应受第 7 篇第 5 章的管辖。
YAZ® 20 微克/3 毫克薄膜包衣片
由于即将进入安慰剂阶段，可靠性降低的风险迫在眉睫。但是，通过调整服药时间表，仍然可以防止避孕保护降低。因此，通过遵循以下两种选择中的任一种，无需采取额外的避孕预防措施，前提是女性在漏服第一片药之前的 7 天内已正确服用所有药片。如果不是这种情况，应建议女性遵循这两个选项中的第一种，并在接下来的 7 天也采取额外的预防措施。1. 女性应在记起时立即服用最后一片漏服的药片，即使这意味着同时服用两片药片。然后，她继续在平常的时间服药，直到所有活性药片都用完。最后一排的 4 片白色药片（安慰剂药片）必须丢弃。必须立即开始服用下一包。使用者不太可能在第二包活性药片用完之前出现撤退性出血，但在服药日她可能会出现点滴出血或突破性出血。 2. 还可能建议女性停止服用当前一盒药片。然后她应停药 4 天，包括漏服药的天数，然后继续服用下一盒药片。如果女性漏服药片，随后在第一个正常的停药间隔内没有出现撤药性出血，则应考虑怀孕的可能性。