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World File Search System设备性能
III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
鳍宽度对三门电气参数的影响
三栅连接粉末的非平面3D结构使它们能够缩放到22nm及以后，并且具有更好的性能。但是鳍宽度的变化对设备性能有影响。在本文中，已经评估了各种鳍片宽度对无连接三栅极鳍片的影响。对不同的设备电气参数，例如电流，关闭电流，I ON /I OFF，阈值电压，子阈值斜率，DIBL，跨导率进行了不同的鳍宽度和分析。结果表明，对于长通道设备，以较高的I ON /I OFF和较小的子阈值斜率值，DIBL的较小值获得了更好的性能，而对于短通道长度设备，由于较小的鳍片宽度较小，由于较小的鳍片宽度，由于降低了较小的鳍片宽度，因此较小的下端斜率和DIBL和IN /I ON /I ON /I ON /I ON /I off比例提高。
扭曲的范德华异质结构中的超导量子干扰
摘要：我们证明了约瑟夫森连接和超导量子干扰装置（Squid）的形成，使用干燥转移技术堆叠并确定性地错误地对机械地位，机械地对2的NBSE 2的植物进行了非对齐。发现所得扭曲的NBSE 2-NBSE 2连接的当前 - 电压特性对晶体学轴的未对准角度敏感，打开了一个新的控制参数，以优化设备性能，这在薄纤维 - 模拟式固定的连接处不可用。随后已经实施了单个光刻过程，以将约瑟夫森连接塑造成典型的环形区域约25μm2的鱿鱼几何形状，并且较弱的环节宽约600 nm。在t = 3.75 k时，在应用的磁场中，这些设备分别显示出较大的稳定电流和电压调制深度，分别为δi c〜75％和δv〜1.4 mV。关键字：范德华异质结构，约瑟夫森交界处，超导量子干扰装置，二维材料，NBSE 2 S
Luna TravelPap™ - 用户手册
警告！•此设备仅用于成人使用。•此设备不打算用于生命支持。•本手册中的说明无意取代已建立的医疗协议。•不要将设备或配件带入磁共振（MR）环境，因为它可能会对患者或设备或MR医疗设备造成不可接受的风险。尚未对MR环境中的安全性进行评估。•请勿在环境中使用带有电磁设备的设备或配件，例如CT扫描仪，糖尿病，RFID和电磁安全系统（金属探测器），因为这可能会对患者或对设备的损害造成不可接受的风险。某些电磁源可能并不明显，如果您发现该设备性能的任何无法解释的变化，如果它发出异常或刺耳的声音，请断开电源线，停止使用并与您的家庭护理提供商联系。•不要与氧气一起使用。•与此设备有关的任何严重事件均应报告给您所在国家的制造商和主管当局。
研究了用一系列聚焦离子束源制造的纳米晶
摘要。鱿鱼（超导量子干扰设备）是能够检测和测量具有前所未有灵敏度的各种物理参数的宏观量子设备。基于纳米布里奇弱环节的鱿鱼显示出对量子信息和量子传感应用（例如单个自旋检测）的越来越多的希望。焦点束蚀刻的纳米三旋翼具有可以增强纳米Quid设备性能的性能，但通常在其非迟发性工作温度范围内受到限制。在这里，我们将使用GA，XE或NE ION离子束源制成的单个弱环或纳米Quid中的纤维膜纳米三旋翼的测量值。根据温度，偏置电流，磁场和微波功率的函数，根据一系列超导性模型进行测量和建模，以改善对相关纳米架参数的理解。我们进一步提出了扩展设备的非滞后工作温度范围的技术。
异质结构的相位变化材料和内存
相变内存（PCM）是一种非易失性存储技术，被认为是存储类内存和神经启发设备的最有前途的候选人。通常是根据Gete制造的 - SB 2 TE 3伪二元合金。但是，它具有技术局限性，例如电阻的噪声和漂移以及用于现实世界设备应用的高电流。最近，在记忆细胞中使用功能性（屏障）材料异质化材料的异质结构化PCM（HET-PCM），通过降低此类固有限制，在设备性能中表现出巨大的增强器件性能的增强。从这个角度来看，我们与常规合金型PCM相比，介绍了HET-PCM的最新发展和相关的操作机制。我们还突出了相应的设备增强功能，尤其是它们的热稳定性，耐力，复位电流密度，设定速度和电阻漂移。最后，我们为HET-PCM的有希望的研究方向提供了前景，包括基于PCM的神经形态计算。
基于石墨烯/基于SOI的自动schottky屏障光电二极管阵列
我们已经在基于绝缘体（SOI）的Schottky屏障光电二极管阵列（PDA）上制造了四元素的石墨烯/硅，并研究了其光电设备性能。在我们的设备设计中，单层石墨烯被用作SOI基板上N型SI通道的光刻定义的线性阵列上的常见电极。通过波长解析的光电流光谱测量显示，在自动操作模式下，PDA结构中的每个元素均显示出最大的光谱响应性约为0.1 A/W。时间依赖的光电流光谱测量值分别具有1.36和1.27 L S的升高时间和秋季时间，显示出出色的光电流可逆性。阵列中的每个元素的平均特定检测率约为1.3 10 12琼斯，而从代码上则是0.14 pw/hz 1/2的小噪声等效功率。预计此处提供的研究将在高增值石墨烯/基于SI的PDA设备应用方面提供令人兴奋的机会。
评估无人驾驶飞机的性能...
无人机 (UAS) 的潜在用途已引起建筑行业的关注。然而，其使用仍需要调查，以便更好地了解如何将该技术应用于施工管理任务。本文旨在评估 UAS 在现场安全检查中的应用，重点关注其效用、设备性能以及与使用该技术相关的风险。为此，在巴西进行了两个案例研究。从现场飞行测试中收集数据以收集视觉资产，并定期与项目人员举行会议以征求反馈。安全检查分析基于收集的视觉资产中安全要求的可视化。进行了文件分析和对项目人员和工人的访谈，以支持绩效评估。结果，无人机的应用可以提供 87.2%（项目 A）和 58%（项目 B）所选安全检查项目的可视化，为工地的安全监控提供详细信息。气象因素和飞行员培训等障碍影响安全检查技术的使用。目前正在开展进一步研究，以系统地评估无人机支持下的安全检查的影响。
利用 3d 纳米尺度应变映射技术对卤化物钙钛矿中光诱导位错迁移进行成像
近年来，卤化物钙钛矿材料已用于制造高性能太阳能电池和发光装置。然而，材料缺陷仍然限制了器件的性能和稳定性。在这里，基于同步加速器的布拉格相干衍射成像用于可视化卤化物钙钛矿微晶体中的纳米级应变场，例如缺陷局部的应变场。尽管 MAPbBr 3 (MA = CH 3 NH 3 + ) 晶体具有很高的光电质量，但其内部存在明显的应变异质性，并且通过分析其局部应变场可以识别出〈100〉和〈110〉刃位错。通过在连续照明下对这些缺陷和应变场进行原位成像，发现了数百纳米范围内剧烈的光诱导位错迁移。此外，通过选择性研究被 X 射线束损坏的晶体，较大的位错密度和增加的纳米级应变与材料降解和使用光致发光显微镜测量评估的显著改变的光电特性相关。这些结果证明了卤化物钙钛矿中扩展缺陷和应变的动态性质，这将对设备性能和操作稳定性产生重要影响。
加州大学欧文分校
摘要：外延和晶圆键合系统界面的研究借鉴了材料科学、电气工程和机械工程，涉及先进的材料表征技术。低温晶圆键合已被用来生产各种各样的材料组合，最显著的是绝缘体上硅结构。然而，对外延和键合界面的修改会影响这些界面上的电或热传输。在本演讲中，我们提供了几个半导体和金属基系统的例子，以解决研究和修改不同、技术上重要的界面组合作为处理（如退火）的功能的能力。材料组合范围从 Si|Si 和 Si|Ge 到宽带隙材料组合，包括 GaN|Si 到 b-Ga 2 O 3 | SiC 以及金属|金属热压键合。我们的主要目标是能够研究和设计界面以优化属性并最终优化设备性能。这些研究是 MURI 项目“利用新的理论范式增强宽带隙电力电子中的界面热传输”的一部分。