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带有 Ag/AlOx 钝化背反射器的超薄 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池
摘要：在 Ag/AlO x 堆栈上生长了 550 nm 的超薄 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 吸收层。堆栈的添加使太阳能电池的填充因子、开路电压和短路电流密度得到改善。效率从 7% 提高到近 12%。光致发光 (PL) 和时间分辨 PL 得到改善，这归因于 AlO x 的钝化特性。由于光散射和表面粗糙度增加，测量到的电流增加了近 2 mA/cm 2。利用飞行时间-二次离子质谱法测量了元素分布。发现 Ag 贯穿整个 CIGS 层。Mo 背面的二次电子显微镜图像显示了 Ag/AlO x 堆栈的残留物，这通过能量色散 X 射线光谱测量得到了证实。这被认为是导致表面粗糙度和散射特性增加的原因。在正面，可以看到带有 Ag/AlO x 背接触的电池有大片污渍。因此，在裸露的吸收层上应用了氨硫化物蚀刻步骤，将效率进一步提高到 11.7%。它显示了在背面使用 Ag/AlO x 堆栈来改善超薄 CIGS 太阳能电池的电气和光学特性的潜力。
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。
超薄2D纳米片过渡金属（水电）氧化物作为能量的前瞻性材料
超薄的二维（2D）过渡金属氧化物和氢氧化物（TMO和TMH）纳米片对于由于一组独特的物理和化学性能而产生高性能的储能设备具有吸引力。此类材料的扁平2D结构提供了足够数量的活性吸附中心，并且在几种纳米的订单上，超小的厚度提供了快速电荷传递，从而显着提高了电子电导率。这篇简短的评论总结了基于超薄的2D纳米片的材料合成的最新进展，用于储能应用，包括假能力，锂离子电池和其他可充电设备。该评论还提供了有关各种功率来源基于TMO和TMH的超薄纳米材料合成2D纳米材料的代表性工作的例子。总而言之，本文讨论了可能进一步开发超薄二维过渡金属氧化物和氢氧化物的方法和途径的前景和方向。
高温器件用超薄玻璃基板的直接键合与脱键合方法
sylvain.poulet@cea.fr 摘要 — 超薄基板上柔性薄膜电子设备的出现是由开发与前端和后端工艺完全兼容的替代处理方法的需求所驱动。这项研究的目的是提出一种新的超薄玻璃基板处理方法，该方法基于直接玻璃-玻璃键合和室温剥离脱粘。通过在超薄玻璃基板（<100µm）上实现薄膜电池（<20µm）来评估这一概念。为了键合，将超薄玻璃层压在厚的载体玻璃（>500µm）上，没有中间层。薄膜电池堆栈采用连续物理气相沉积法制造，温度高达 400°C。脱粘过程在室温下通过机械剥离层压在薄膜电池上的封装膜完成。结果，脱粘后超薄玻璃（<100µm）没有任何裂纹的迹象。此外，脱粘过程之前和之后进行的电化学阻抗谱 (EIS) 和恒电流循环表明器件性能略有稳定。
了解界面激基复合物内未掺杂超薄发光纳米层的结构和能量传递过程
有机发光二极管 (OLED) 具有高效率、低功耗和灵活性等突出优势，在显示、照明和近红外 (NIR) 应用方面有着巨大的潜力。最近发现，超薄发光纳米层技术在通过非掺杂制备工艺简化结构的 OLED 中起着关键作用，而激基复合物形成主体可以提高 OLED 的效率和稳定性。然而，超薄发光纳米层在界面激基复合物内能量传递过程的基本结构和机理仍不清楚。因此，迫切需要探索超薄发光纳米层的起源及其在激基复合物内的能量过程。本文对超薄发光纳米层（ < 1 nm）的薄膜生长机理及其在界面激基复合物内的能量传递过程进行了综述和研究。 UEML磷光染料在决定激基复合物和非激基复合物界面之间激子的寿命方面起着关键作用。TCTA和Bphen之间的激基复合物比TCTA和TAPC之间的非激基复合物具有更长的寿命衰减，有利于激子的收集。该发现不仅有利于OLED的进一步发展，也有利于其他相关的有机光电技术。
各向异性第三谐波涡流梁产生与超薄锗砷叉式光栅
光涡流具有通过利用轨道角动量的额外自由度来增加数据容量的巨大潜力。另一方面，各向异性2D材料是对未来综合偏振敏感光子和光电设备的有希望的构建块。在这里，用在超薄2d仙境植物燃料上构图的叉全息图证明了高度各向异性的第三谐波光学涡流束的产生。表明，各向异性非线性涡流束的产生可以独立于叉形方向相对于晶体学方向而实现。此外，2D叉全息图旨在产生具有不同各向异性反应的不同拓扑电荷的多个光学涡旋。这些结果铺平了迈向基于2D材料的各向异性非线性光学设备，用于光子整合电路，光学通信和光学信息处理。
超薄的3D无机纳米结构网络，从交叉连接的纤维素纳米晶型气凝胶
高表面积半导体在电子和能量转换中具有多个应用。[1,2]虽然有规定的光伏设备将阳光直接转化为电力，而光化学（PEC）水分裂为利用这种可再生能源提供了替代途径。在PEC细胞中，水在催化金属氧化物界面处分解，以H 2（G）的形式存储化学能。理想的PEC细胞将具有较大的催化表面积，直接电子传输途径和最佳的阳光聚集。[3]多孔纳米结构的半控导管通过增加设备中吸收材料和光散射的量来满足这些要求。[4]然而，介孔无机3D网的制造能够控制几何和内部形态仍然是一个挑战。与传统使用的湿合成路线相比，原子层沉积（ALD）是一种广泛应用于现代电子产品的简单涂层方法。在ALD中，交替的反应物被沉积在基板上，限制了对其表面层的反应。因此，ALD可以用超高精度沉积薄膜。理想情况下，可以制备每一个ALD循环的薄膜，并且通常每循环的膜生长范围在0.01至0.3 nm之间。[5]可以通过简单地增加ALD循环的数量，以更长的沉积时间来制备较厚的层。基于纤维素的材料作为ALD模板具有吸引力，因为可以使用各种结构和表面化学材料。Kemell等。是第一个通过ALD在纤维素过滤纸上进行光催化应用的ALD模板2的模板。[6] Hyde等。在棉花斑块上表征了ALD涂层，涂上Al 2 O 3涂层来调整润湿性，以及Tino X涂层以促进细胞的粘附和生长。[7,8]对于需要孔隙率和高比表面积的应用，纳米纤维素气凝剂提供了一个具有层次 - 层次多孔结构的模板，其中可以在纳米孔中转移平均孔径到微米范围。[9,10]，例如，Korhonen等。带有TIO 2的涂层纤维素纳米纤维（CNF）气凝胶，并证明了它们作为湿度传感器和油吸收剂的应用。[11]最近，Li等人。使用CNF Aerogels作为TIO 2的ALD模板，为水分拆分细胞制备毛细管光轴。[3]用毛细管湿润的电极
文章
利用三维受限磁控溅射源 (L-3DMS) 在低于 100 C 的温度下成功沉积了超薄锡掺杂结晶氧化铟 (ITO) 薄膜 (≤ 50 nm)。在低处理温度下沉积的超薄 ITO 薄膜的电阻率和迁移率分别约为 ∼ 5 × 10 − 4 · cm 和 > 30 cm 2 /Vs (厚度为 30 nm)。据信，利用 L-3DMS 沉积的超薄 ITO 薄膜的高质量与 L-3DMS 的高密度等离子体和低放电电压改善了 ITO 薄膜的结晶度和氧空位有关，这使得能够在低处理温度下形成晶体结构。关键词：透明导电氧化物 (TCO)、3-D 受限磁控溅射、ITO 薄膜、高等离子体密度、晶体结构、低温。
2023 年第四季度收益报告 - 2024 年 2 月 7 日
• 2μm以下半导体用超薄产品。采用新一代微电路制造方法（MSAP）。 • 应用于DRAM/CPU/GPU半导体芯片等各种IT领域。 • 该产品打破了现有日本厂商在超薄市场的垄断，为先进材料的本土化生产做出了贡献。 • 获得全球半导体厂商的材料/产品认可，为半导体的小型化、集成化和高性能化做出了贡献。
用于静音语音接口的具有深度学习算法的超薄晶体硅基应变计
一种可视化每个区域受分类任务影响程度的方法。图 4d 展示了单词“ABSOLUTELY”和“AFTERNOON”的 R-CAM 结果。对于这两个词，我们的模型都关注 S2 传感器信号（第三行和第四行信号）显示主要特征运动的部分。关于单词“ABSOLUTELY”，我们的模型关注 0.6 秒时传感器 S2 的向下和向上凸起。关于“AFTERNOON”，同样，我们的模型在两种情况下都关注向下凸起的点，“AFTERNOON(i)”大约在 1 秒，“AFTERNOON(ii)”大约在 0.7 秒。结果表明，我们的模型并未过度拟合信号数据，而是关注阻力方差较大的特征信号部分。单词识别性能与 sEMG 的比较