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World File Search System钝化
在高效的 2D 中可视化界面能量偏移和缺陷...
目前，由于钝化方法不完善，载流子复合限制了钙钛矿太阳能电池 (PSC) 的全部潜力。本文量化了由于界面能量偏移和缺陷导致的复合损失机制。结果表明，有利的能量偏移可以减少少数载流子并比化学钝化更有效地抑制界面复合损失。为了获得高效率的 PSC，2D 钙钛矿是有希望的候选材料，它具有强大的场效应，并且只需要在界面处进行适度的化学钝化。 2D/3D 异质结 PSC 的增强钝化和载流子提取功能使其小尺寸器件的功率转换效率提高到 25.32%（经认证为 25.04%），大面积模块（指定面积为 29.0 cm 2）的功率转换效率提高到 21.48%。2D/3D 异质结还抑制了离子迁移，因此未封装的小尺寸器件在最大功率点连续运行 2000 小时后仍能保持其初始效率的 90%。
扫描电化学显微镜表明，模型硅阳极在日历老化期间展示了全局固体电解质中相钝化降解
摘要：硅是一种有希望的下一代阳极，可在商业石墨阳极上增加能量密度，但日历寿命仍然有问题。在这项工作中，使用扫描电化学显微镜来跟踪硅薄膜表面随时间表面的位点特异性反应性，以确定在形成的固体电解质相位相（SEI）（SEI）是否发生了不良的法拉达反应（SEI），在日历中，在四个情况下，在四个情况下，在1.5 v和100 mV之间的形式和1.1的形成（1）。 V和100 mV，随后的休息从（3）0.75 V和（4）100 mV开始。在所有情况下，硅的电钝化在3天的时间内随时间和潜力的增加而降低。随着钝化的减少，在500μm2面积上钝化的均匀性随时间降低。尽管反应性有一些局部“热点”，但钝化的面积均匀性表明全局SEI失败（例如，SEI溶解），而不是局部化（例如，破裂）失败。The silicon delithiated to 1.5 V vs Li/Li + was less passivated than the lithiated silicon (at the beginning of rest, the forward rate constants, k f , for ferrocene redox were 7.19 × 10 − 5 and 3.17 × 10 − 7 m/s, respectively) and was also found to be more reactive than the pristine silicon surface ( k f of 5 × 10 − 5 m/s).这种反应性可能是SEI氧化的结果。仅将细胞与li/li +截然不同时，表面仍在钝化（k f为6.11×10-6 m/s），但仍然比岩性表面（k f的3.03×10-9 m/s）少。这表明阳极的电势应保持在或低于〜0.75 v vs li/li +以防止SEI钝化。此信息将有助于调整电压窗口，以进行SI Half Half细胞和SI完整单元的操作电压以优化日历寿命。所提供的结果应鼓励研究界在日历老化期间研究化学而不是机械的故障模式，并停止使用1.5 V的典型惯例作为半细胞中循环SI的截止潜力。关键字：日历老化，硅，电池，SECM，钝化，SEI■简介
纳米颗粒表面钝化策略，以改善标准碳酸盐电解质中硅阳极的循环和日历寿命
这项工作是由美国能源公司联盟（Alliance for Sustainable Energy，LLC）经营的国家可再生能源实验室为美国能源部（DOE）根据合同编号DE-AC36-08GO28308。这项研究得到了美国能源部的车辆技术办公室的支持，由布莱恩·坎宁安（Brian Cunningham）执导的硅财团项目，由安东尼·伯雷尔（Anthony Burrell）管理。美国政府保留和出版商，通过接受该文章的出版物，承认美国政府保留了不可限制的，有偿的，不可撤销的，全球范围内的许可，以出版或复制这项工作的已发表形式，或允许其他人这样做，以实现美国政府的目的。
ge n通道MOSFET具有ZRO2介电的MOSFET，可实现改善的迁移率
锗（GE）表现出较高的载流子迁移率和较低的加工温度的优势。这些使GE成为超老式CMOS逻辑设备和薄膜晶体管（TFTS）的应用，作为三维集成电路中的顶层[1-3]。在过去的几年中，针对GE P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 局部效果晶体管（MOSFET）的表面钝化，栅极介电和通道工程的巨大努力已有助于显着改善设备的电气性能。但对于GE N-通道MOSFET，低有效载体迁移率（μEFF）极大地限制了晶体管的性能。各种表面钝化技术，包括SI钝化[1]，氧化后血浆[4]和INALP钝化[5]和几种高κ电介质，包括HFO 2，ZRO 2，ZRO 2 [6-8]，Y 2 O 3 [9]和LA 2 O 3 [10]，已在GE NMosfets中探索。证明，与GE通道集成的ZRO 2电介质可以提供强大的界面，因为GEO 2界面层可以反应并与ZRO 2层反应[7]。在GE P通道晶体管中有一个不错的孔μEFF[6-8]，而其对应物仍有很大的改善电子μEFF。
详细规格表 - ASSIST-QuickSearch
外壳 - C、F、G、R、T、W 和 Z 级：冲击挤压或机加工铝合金。H、K、N、S 和 Y 级：耐腐蚀钢。J 和 M 级：符合 MIL-DTL-38999 的高性能树脂。（仅限外壳基材。有关表面处理或表面处理，请参阅 MIL-DTL-38999。）垫圈 - 硅橡胶。环 - 耐腐蚀钢，钝化，最大厚度为 1.020 毫米（0.04 英寸）。绳索 - 绝缘不锈钢，钝化。允许使用 ASTM-A967、实践 D 或同等方法进行钝化或钝化表面处理验证。绝缘层应能承受 200°C 环境温度。紧固件 - 不锈钢，钝化。选项：铝与盖子一体。配合连接器：参见 MIL-DTL-38999，系列 III。垫圈应粘合到盖子上，或机械固定。绳索应在紧固件上自由旋转。紧固件拉伸强度：保护罩和绳索组件应能承受施加在轴向和纵向上的 25 磅自重拉伸载荷。载荷应施加在绳索组件的末端并保持 5 分钟。绳索组件不得与保护罩分离或损坏绳索组件。轴向和纵向均为 25 磅。负载应施加在绳索末端。空气泄漏：测试应符合 EIA-364-02 的规定，但测量的最短时间应为 10 秒。空气泄漏率不得超过每小时 1 大气压立方英寸 (4.55 X 10 -3 cm 3 /s)。保护盖应与已移除触点或插件的连接器配对，以便可以对保护盖或储存容器内部施加 10 lbft/in 2 (.703 Kg/cm 2 ) 的压力。资格认证 (所有类别)。资格认证应符合 MIL-DTL-38999 的规定，但仅需进行以下测试顺序：
修订了Xposat Mission brochure.cdr
通过两次重新启动PS4，在650公里处注入XPOSAT后，PS4阶段将降低至350公里，〜9.6度轨道。PS4中剩下的推进剂将通过主要发动机作为光标处置，以使PS4阶段的安全性在将来计划在大气中重新进入实验。氧化剂将首先以预定的操作序列进行燃料。通过排泄储罐压力来发泄的现有支出阶段钝化方案也将是活跃的。PS4的钝化后，对阶段的控制被转移到诗歌航空电子。
通过多功能两性离子钝化工程实现高性能、稳定的纯蓝色准二维钙钛矿发光二极管
罗云汉 b,d, * 杨仁强 e 和侯林涛 a, * a 暨南大学物理与光学工程学院，广东省真空镀膜技术与新能源材料工程技术研究中心，广州市真空镀膜技术与新能源材料重点实验室，广州，中国 b 暨南大学物理与光学工程学院，广东省光纤传感与通信重点实验室，广州，中国 c 郑州大学物理与微电子学院，材料物理教育部重点实验室，郑州，中国 d 暨南大学，广东普通高校光电信息与传感技术重点实验室，广州，中国 e 江汉大学，光电材料与技术学院，光电化学材料与器件教育部重点实验室，武汉，中国
发射温度对激发接触的APCVD Poly-SI特性的影响
摘要。我们证明了由大气压化学蒸气沉积制造的硼掺杂的多晶 - 硅质（poly-si），以形成驱动的钝化接触。层有关其结晶石尺寸，电阻率和钝化特性的不同层层。从X射线衍射测量值中，定量得出的结论是，较高的射击峰温度会增加poly-SI的结晶石尺寸，最高为10 nm。这种结晶石尺寸的变化与电阻率成反比，这对于更高的发射温度而言大大降低。对于较薄的聚-SI层和较高的射击温度，发现较高的隐含开路电压（IV OC）和较低的饱和电流密度（J 0），这很可能是由于从SIN X：H层到界面氧化物的氢扩散时间差异。尽管没有观察到（p）poly-si的水泡，但在高点火温度下，sin x：h层的水泡> 900°C会损害薄层的钝化。实现了708 mV的最大IV OC和〜12 fa/cm 2的最小J 0。
减轻锌空气电池中氧化锌形成的最新进展：技术评论
锌金属在电化学领域的应用一直具有特定的兴趣，因为它是高能密度电池和牺牲电极的偏爱材料，可保护其他金属组件免受腐蚀。除了高能量密度以外，其他一些因素（例如其低成本，易于处理，无毒性和锌的丰度）使这种金属受到了研究人员的极大关注。在过去的几十年中，已经致力于发现和新兴的电力可充电基于锌的电池，以回应在电子设备快速增长的电子设备和汽车业务中日益增长的能源消耗要求。然而，无论材料科学和细胞设计中的发展如何，都在开发能够替代其他可行的可充电电池的系统中获得了略有突破。钝化是用于商业化的锌空气电池（ZAB）中最具挑战性的障碍之一。最近，已经执行了一些发展，以减轻Zabs中锌阳极的钝化。本综述对该问题的各个方面进行了仔细的调查，以及缓解锌阳极腐蚀和钝化的最新发展。
硅中可编程量子发射器的形成
硅基量子发射器因其单光子发射特性和在长自旋相干时间的自旋光子界面中的潜力而成为大规模量子比特集成的候选者。在这里，我们展示了使用飞秒激光脉冲结合基于氢的缺陷激活和钝化在单中心水平上对选定的发光缺陷进行局部写入和擦除。通过在碳注入硅的热退火过程中选择合成气体（N 2 /H 2 ），我们可以选择形成一系列与氢和碳相关的量子发射器，包括T 和C i 中心，同时钝化更常见的G 中心。C i 中心是一种电信S波段发射器，具有良好的光学和自旋特性，由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度泛函理论计算表明，在氢存在的情况下，C i 中心亮度提高了几个数量级。 Fs 激光脉冲局部影响量子发射器的氢钝化或活化，从而可编程形成选定的量子发射器。