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未来的半导体材料和工艺
横截面 HAADF-STEM 图像和相应的 EDS 图，显示了交替堆叠的 TiO 2 和 SiO 2 层以及单层 Al 2 O 3，全部通过等离子 ALD 在纳米级沟槽结构上生长。
开始旅程
随着代谢功能障碍相关脂肪性肝病 (MASLD) 和酒精相关肝病 (ALD) 患病率及负担的增加，慢性肝病 (CLD) 及其相关并发症，包括肝硬化和肝癌的负担正在增加。1 全球 MASLD 患病率估计约为 30%，从 1990–2006 年 (25.26%) 到 2016–2019 年 (38%) 增长了 50% 以上。2 ALD 也是广泛流行的 CLD 类型，大约一半与 CLD 相关的死亡被认为是由大量饮酒引起的。3 肝细胞癌 (HCC) 是 CLD 的重要并发症之一，被认为是原发性肝癌的主要类型，是全球第三大癌症死亡原因。4 对 CLD 各个方面的深入了解，包括其危险因素和治疗其的新药理学靶点
原子层沉积结合湿法刻蚀制备亚5nm纳米台阶高度参考材料的研究
摘要：纳米台阶作为经典的纳米几何参考材料，在半导体工业中用于校准测量，因此控制纳米台阶的高度是保证测量准确的关键。为此，本研究采用原子层沉积（ALD）结合湿法刻蚀制备了形貌良好的高度为1，2，3和4nm的纳米台阶。利用三维保形ALD工艺有效控制制备的纳米台阶的粗糙度。此外，使用基于仿真的分析研究了表面粗糙度与高度之间的关系。本质上，粗糙度控制是制备临界尺寸小于5nm的纳米台阶的关键。在本研究中，通过ALD和湿法刻蚀相结合成功实现的纳米台阶的最小高度为1nm。此外，基于1nm纳米台阶样品，分析了标准材料质量保证的前提条件和制备方法的影响因素。最后，利用制备的样品进行时间依赖性实验，验证了纳米台阶作为参考材料的最佳稳定性。这项研究对制备高度在5纳米以内的纳米几何参考材料具有指导意义，并且该方法可以方便地用于制备晶片尺寸台阶高度参考材料，从而实现其在集成电路生产线中大规模工业化在线校准应用。
Cu的铜金属膜的原子层沉积（... 激光能量输入和屏蔽气流对Zn Metal的激光粉床融合期间蒸发烟气的影响 从改善粮食安全的创新中删除政治 现实生活中的自我控制是在偏好决策过程中的顶活动预测的：大脑解码分析 使用可充电海水电池同时存储和海水脱盐：可行性和未来方向
铜金属由于其低电阻率和对电子的高电阻性而高度偏爱微电子的相互作用。[1]微电子设备中最小特征的尺寸计划到2022年达到3 nm限制，[2]设定了越来越严格的需求，以使该技术沉积该设备制造的连续低电阻式CUFILMS。原子层沉积（ALD）是一种基于相互脉冲前体的领先的气相薄膜技术 - 是微电子行业的理想选择，因为它固有地提供了高度的相结合薄膜，而不是复杂的几何形状和高光谱比率结构，并且可以使用高含量比率结构，并且可以覆盖厚度较高。[3] Challenge是为了找到行业，有效和可靠的ALD
通过质谱研究 Al(CH3)3 和 NH3 原子层沉积 AlN 薄膜的表面化学
氮化铝 (AlN) 具有宽带隙 (6.2 eV)、高介电常数 (k B 9)、高电阻率 (r B 10 11 –10 13 O cm) 和高热导率 (2.85 W K 1 cm 1 )1 等特性，是微电子和光电子领域的重要材料。由于 AlN 具有压电特性，因此也可用于微机电系统 (MEMS 设备)。2 非晶态 AlN 有多种用途，例如用作钝化层和介电层。3 AlN 薄膜通常通过反应溅射、4 化学气相沉积 (CVD)、5 反应分子束外延 (MBE) 6 和原子层沉积 (ALD) 沉积。AlN 的 ALD 在需要坚固保护层的应用方面引起了广泛关注，例如开发耐腐蚀、绝缘和保护涂层。7
审查 - 超薄薄的无定形氧化物晶体管
无定形的氧化物半导体晶体管已成为展示面板中的成熟技术，并且最近被认为是用于单片3D应用的有希望的后端兼容通道材料。然而，实现具有与传统晶体半导体相当的性能的高弹性无定形半导体材料一直是一个长期的问题。最近发现，通过原子层沉积（ALD）工艺实现的氧化im氧化物的厚度可以调整其材料特性以实现高迁移率，高驱动电流，高/o效比，并在同一时间超出了传统氧化物半导体材料的功能。在这项工作中，综述了这项工作的历史，导致氧化含量重新出现，其基本材料特性，侧重于ALD的生长技术，最先进的氧化辅助设备研究以及设备的偏置稳定性。
Al2O3 沉积方法对 Parylene C 的影响
摘要：聚对二甲苯 (PC) 因其高机械强度和生物相容性等优异性能在过去几年中引起了极大的关注。当用作柔性基板并与高κ电介质如氧化铝 (Al 2 O 3 ) 结合时，Al 2 O 3 /PC 堆栈在生物医学微系统和微电子等领域的各种应用中变得非常引人注目。对于后者，尤其需要氧化物的原子层沉积，因为它可以沉积高质量和纳米级氧化物厚度。在本文中，实现了在 15 μ m 厚的 PC 层上进行 Al 2 O 3 的原子层沉积 (ALD) 和电子束物理气相沉积 (EBPVD)，并通过 X 射线光电子能谱结合原子力显微镜研究它们对 Al 2 O 3 /PC 所得堆栈的影响。我们发现，基于 ALD 的 Al 2 O 3 /PC 叠层可产生纳米柱状表面，而基于 EBPVD 的 Al 2 O 3 /PC 叠层可产生预期的光滑表面。在这两种情况下，Al 2 O 3 /PC 叠层都可以轻松地从可重复使用的 SiO 2 基板上剥离，从而产生柔性 Al 2 O 3 /PC 薄膜。这些制造工艺经济、产量高，适合大规模生产。尽管 ALD 在半导体行业特别受欢迎，但我们发现 EBPVD 更适合实现用于微电子和纳米电子的 Al 2 O 3 /PC 柔性基板。
表征超薄原子层中沉积的氧化物半导体MOS电容器中的界面和块状陷阱，< /div> < /div>
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体（CMOS）后端（BEOL）兼容设备的兴趣，用于整体3维（3D）集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体，至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积（ALD）氧化二颗粒（在2 O 3中）的性能卓越，例如高驱动电流，高迁移率，陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中，使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT，表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级，可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态（DOS）的高尺寸（DOS），这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
最新研发的锂二硅酸盐玻璃陶瓷 CEREC Tessera 的抗弯强度：体外研究
2021 年，Dentsply Sirona 将 ALD 以 Tessera 品牌推向市场 [11]。该材料专为全覆盖牙冠、嵌体/覆盖体和层压板 [12] 设计，由 90% 的 LDS 晶体和 5% 的 virgilite 组成（按体积计算）[10]。CEREC Tessera 在其块中使用两种主要晶体：virgilite 晶体 (Li0.5 Al0.5 Si2.5 O6)，即锂铝硅酸盐，以及 LDS (Li2 Si2 O5) [13]。据制造商介绍，ALD 具有多种优势，包括快速结晶，仅需四分半钟即可完成，从而加快了制造过程。此外，它还可以加快釉烧速度，同时提供高美观度和抗弯强度。这些优势是通过一种独特的化学反应实现的，该化学反应将两种互补的晶体结构结合在含有 700 MPa 氧化锆的玻璃基质中 [11]。