光伏系统最大功率输出与控制优化分析建立在准确可靠的光伏电池参数辨识基础上,但其高度非线性、多峰性等难题成为传统优化方法获取准确高效结果的障碍。本研究采用一种新型智能优化算法——MA(may fly algorithm,MA)对光伏电池三二极管模型(TDM)进行高效辨识,并以最小均方根误差(RMSE)作为评价指标验证算法的有效性。而且,通过不断调整MA的参数、种群数量和迭代次数来更好地平衡全局发展与局部优化的关系,从而获取更高效、更优的优化结果。研究案例表明MA在光伏电池参数辨识的准确性和稳定性方面优于其他元启发式算法。例如,MA 获得的 RMSE 的最小标准差 (SD) 比其他算法小 1,305 倍。
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中,由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低,在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3],并且遭遇非致命的 ESD 冲击后,ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺,以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ],但由于其高漏电和闩锁的较大回弹,它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中,我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
摘要 - 基于Algan的深紫外线发光二极管(DUV LED)的外部量子效率(EQE)由于电子泄漏的主要问题而远非令人满意阻塞层(P-EBL)可以在该界面附近诱导电子积累和孔耗尽,从而导致电子泄漏并阻碍孔注入。在本文中,我们提出了在LQB和P-EBL之间插入的Al-Composition Increasing Algan层(ACI-ALGAN),以增强DUV LED的载体注入能力,通过调节LQB/EBL界面和下层机制在LQB/EBL界面上调节偏振产生的表电荷产生的床单,并通过数字计算分析。插入结构可以消除LQB的P侧界面处的正电荷,并在P-EBL的N侧界面附近诱导孔积累,这随后可以减少电子泄漏和偏爱孔注射。提出的带有ACI-Algan层的DUV LED结构表现出增强的EQE 45.7%,其正向电压保持不变。此设计方案可以提供另一种方法来促进使用各种应用程序的DUV LED的性能。
2021 年 8 月 8 日,美国国家点火装置 (NIF) 创纪录的实验从内爆氘氚 (DT) 胶囊中释放出 1.35MJ 的能量,显示出 0.7 的聚变增益和强劲燃烧的等离子体。虽然这些实验和 NIF 设施并非旨在开发惯性聚变能 (IFE) 的物理学和工程学,但结果对于 IFE 的氘氚惯性约束聚变 (ICF) 物理平台的风险评估具有变革性意义。开发基于 IFE 的发电厂仍是一项十年的努力,我们面前还有许多技术挑战。但有了这种可行性证明和无碳、地理位置独立的发电厂技术的前景,建立对所有高风险和长期发展支持技术的全面研发工作至关重要。要使 IFE 成为有吸引力的能源,需要开发可靠、经济高效的高功率半导体激光器,作为高能聚变驱动激光器经济和技术上可行的泵浦源。
电视、智能手机和平板电脑等新兴设备正成为人们日常生活的一部分。2012 年,国际电信联盟无线电通信部门 (ITU-R) 为超高清显示器推荐了一种新的色域标准,称为 BT.2020(或 Rec.2020)。[1] 采用 Rec.2020 色域可以精细地再现自然界中的几乎所有颜色,这些颜色基于红、绿、蓝 (RGB) 三原色,国际照明委员会 (CIE) 色度坐标分别为 (0.708, 0.292)、(0.170, 0.797) 和 (0.131, 0.046)。在这种需求的驱动下,开发能够显示具有极窄发射光谱带宽和高效率的单色 RGB 颜色的新型发光材料和装置是一项至关重要的挑战。有机发光二极管 (OLED) 因其广泛的研究和开发目前被视为 UHD 显示器的主流技术。[2–8] 在过去的二十年里,随着新发光机制的出现,OLED 的效率得到了显著提高,特别是磷光 [5,8,9](第二代)和热激活延迟荧光 [7,10,11](TADF,第三代),这些机制使电子到光子转换的内部量子效率达到 ≈ 100%。尽管电致发光 (EL) 效率如此之高,但大多数传统 OLED 都存在宽带发射光谱的问题,半峰全宽 (FWHM) 通常为 > 50 nm 或更宽,从而导致 EL 的色纯度低。因此,在商用 OLED 显示器中,需要使用额外的彩色滤光片来选择性地透射原色,这不可避免地会导致光提取率下降,并导致器件的外部 EL 量子效率 (EQE) 降低。从器件的功耗角度来看,这种情况也是不利的。最近,以稠合多环 π 体系为特征的多共振诱导 TADF (MR-TADF) [12–24] 材料已成为克服传统 OLED 缺点的有机发射体的新范例,引发了研究兴趣的激增。事实上,与最先进的无机 LED 和量子点 LED 的情况一样,采用有机硼 MR-TADF 发射体的 OLED 已经实现了高效的窄带 EL
摘要—本文报告了一项综合研究,该研究优化了使用镍、钛和钼接触金属制成的 3.3 kV 结势垒肖特基 (JBS) 二极管的 OFF 和 ON 状态特性。在此设计中,使用与优化终端区域相同的植入物来形成 JBS 有源区域中的 P 区。P 区的宽度和间距各不相同,以优化器件的 ON 和 OFF 状态。所有测试的二极管均显示出高阻断电压和理想的开启特性,最高额定电流为 2 A。然而,发现漏电流和肖特基势垒高度 (SBH) 与肖特基与 p + 区域的比例成比例。没有 p + 区域的全肖特基和具有非常宽肖特基区域的肖特基具有最低的 SBH(Ni 为 1.61 eV、Mo 为 1.11 eV、Ti 为 0.87 eV)和最高的漏电流。肖特基开口最小(2μm)的二极管具有最低的关断状态漏电,但它们受到周围 p + 区域的严重挤压,从而增加了 SBH。性能最佳的 JBS 二极管是间距最窄的 Ni 和 Mo 器件,p + 植入物/肖特基区域均为 2μm 宽。这些器件提供了最佳的平衡器件设计,具有出色的关断状态性能,而肖特基比保证了相对较低的正向压降。
因为激光培养基(例如激发氧气)是由化学反应产生的。然而,尽管他们在上个世纪进行了深入的研究,但期望很快就会失望,因为可以使这种激光器运行的物流非常繁琐。在21世纪初,纤维激光技术取得了革命性的进步。现在,市售的纤维激光器达到100 kW。军事部门也注视着这一进展,并且已经开发了许多基于纤维激光器的防御激光原型。这些激光器中的一些现在处于部署阶段。但是,在限制限制的输出功率方面,纤维激光器有一个基本限制。Dawson等。 [1]理论上表明单模(Di raction-limimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimim Plaser C BLASER都无法超过36 KW。 现有的防御激光原型束缚了多纤维激光器,其光束质量远非不同的限制。 与高功率纤维激光繁荣同时,出现了一种新的气体激光概念。 它被命名为“二极管泵的碱性激光(DPAL)”。该激光器具有可伸缩性,可与具有差异限制的光束质量的化学激光器相当,但通过高度有效的电驱动激光二极管(LD)泵送。 在本文中,讨论了DPAL的原则,历史,当前情况和拟议的应用。Dawson等。[1]理论上表明单模(Di raction-limimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimimim Plaser C BLASER都无法超过36 KW。现有的防御激光原型束缚了多纤维激光器,其光束质量远非不同的限制。与高功率纤维激光繁荣同时,出现了一种新的气体激光概念。它被命名为“二极管泵的碱性激光(DPAL)”。该激光器具有可伸缩性,可与具有差异限制的光束质量的化学激光器相当,但通过高度有效的电驱动激光二极管(LD)泵送。在本文中,讨论了DPAL的原则,历史,当前情况和拟议的应用。