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第 8 章：单芯片和多芯片集成
第 1 部分：执行摘要和范围简介集成电路发明 60 多年来，一直有人定期预测摩尔定律将终结。虽然设计和工艺技术方面正在进行重大创新，以继续推动向下一个节点的发展，但摩尔定律的经济效益即将终结，先进节点的一些关键性能指标正在趋于稳定，正如商业杂志《经济学人》2016 年 3 月 12 日的一篇文章所描述的“摩尔定律饱和”（图 1.1）。半导体行业正在实施 EUV、FinFET 和 FinFET 后继者。5 纳米节点已处于早期生产阶段，3 纳米节点即将到来。摩尔博士自己对摩尔定律技术终结的预测正在接近目标年份。2016 年 3 月 12 日文章中的信息在今天仍然具有现实意义。
硅岛——爱尔兰的半导体机遇
爱尔兰是欧洲微电子生态系统中的关键参与者，拥有超过 20,000 名员工，是全球 30 家最大半导体公司中的 15 家的所在地。在过去 18 个月中，AMD、Analog Devices、Infineon 和 Qualcomm 等公司宣布了超过 1,100 个制造和研发岗位，在爱尔兰的投资总额接近 10 亿欧元。此外，英特尔在爱尔兰开设了 Fab 34，投资额达 170 亿欧元，将在欧洲最先进的半导体工厂中使用尖端的 EUV 技术。凭借数十年来在制造和研发/设计方面的信誉，加上主要 EDA 和 IP 参与者（如 ARM、Cadence、Siemens Mentor Graphics 和 Synopsys）的运营影响力，爱尔兰可以发展这些活动，并扩大外包装配和测试服务 (OSAT) 和先进封装方面的产品。
立足过去，展望未来
一般成员 Frank E. Abboud，英特尔公司 Uwe FW Behringer，UBC Microelectronics Ingo Bork，西门子 EDA Tom Cecil，Synopsys 公司 Brian Cha，Entegris 韩国 Aki Fujimura，D2S 公司 Emily Gallagher，imec Jon Haines，美光科技公司 Koji Ichimura，大日本印刷株式会社 Bryan Kasprowicz，HOYA Romain J Lallement，IBM 研究 Khalid Makhamreh，应用材料公司 Kent Nakagawa，Toppan Photomasks 公司 Patrick Naulleau，EUV Tech 公司 Jan Hendrik Peters，bmbg consult Steven Renwick，尼康 Douglas J. Resnick，佳能纳米技术公司 Thomas Scheruebl，卡尔蔡司 SMT GmbH Ray Shi，KLA 公司 Thomas Struck，英飞凌科技股份公司 Anthony Vacca，自动视觉检测 Andy Wall，HOYA Michael Watt， Shin-Etsu MicroSi Inc. Larry Zurbrick，是德科技公司
硬化的电子和辐射技术（心）2023教程 - 复杂性，可检验性和单一事件效果（请参阅）：测试和保证考虑
• Atomic Mass Unit (amu) • AWS: Amazon Web Services • Bump Plating Photoresist (BPR) • Chip to Wafer (CtW) • CL: Confidence Level • CMOS: Complementary metal-oxide semiconductor • Commercial Off The Shelf (COTS) • Complementary Field Effect Transistor (CFET) • ConOps: Concept of Operations • continuous wave (CW) • DDD: Displacement Damage Dose •设计技术合作/合成技术合作选择（DTCO/STCO）•动态随机访问记忆（DRAM）•EDAC：错误检测和校正•EEEE•EEEE•EEEE：电气，电子，电子力学和电流和电流和电子光学和电力•嵌入式动态随机访问记忆（EDRAM）晶体管（FEFET）•铁电随机访问存储器（FERAM）•铁电隧道连接（FTJ）•FET：FET：现场效应晶体管•FPGA•FPGA：现场编程的门阵列•完全自我对齐（FSAV）•GrandAccélérateurNational d'ions d'ions d'ions d'Ions d'ions lourds lourds（Ganil）
EMLC 2024 - 在格勒诺布尔举行的“欧洲掩模和光刻会议”
与往常一样，主题演讲概述了半导体行业以及相关微纳米技术领域的发展方向和趋势。去年的重点是限制当前和未来人工智能应用的过度能耗，而 Serge Nicoleau（意法半导体）的主题演讲将这一主题扩展到半导体行业工艺的总体可持续性，即减少资源消耗并日益避免使用有毒或对环境有害的物质，如 PFAS（所谓的永恒化学物质）。Kagawa-san（佳能）、Sebastian Dauvé（CEA-LETI）和 Kurt Ronse（IMEC）的其他主题演讲涉及纳米压印光刻的现状和前景、CEA-LETI 的半导体研究计划（FAMES）和 EUV 光刻。 Kurt Ronse 的贡献尤其预测了到 2040 年纳米技术的预期发展。虽然半导体行业的领先公司即将推出具有技术节点 N2 的高端工艺（例如，最密集布线层的导体轨道宽度约为 11nm），但节点 A1 中只能实现约 6nm（！）的线宽（根据 2040 年的当前路线图）。
2021 年科学报告
我们的差异化技术、开发速度和开发过程中独特的严谨性也为我们在核心半导体市场做出突破性研究贡献并在新领域创造价值提供了机会。多年来，我们与半导体行业的领导者和研究联盟密切合作，推动 EUV 光刻技术从研发流程发展到目前的大批量生产。今天，我们见证了疫苗开发、鉴定和交付方面的重大创新，以抗击全球 COVID-19 大流行。Entegris 开发的清洁、坚固和可靠的解决方案有助于制造和安全分发这些疫苗。我们还见证了地球之外的科学和工程领域取得的令人振奋的成就。Entegris 为 GEMS（地球静止环境监测光谱仪）卫星的技术做出了贡献，该卫星正在部署以监测地球大气层。在离我们更近的地方，我们承诺通过引入能够减少碳足迹的新技术来保护我们的地球。 Entegris 的能力和创新解决方案可以满足对这些技术的需求，特别是在汽车行业向更加电气化和自动化的车队发展的过程中。
2024+IEDM+计划-最终版.pdf
会议于 12 月 7 日星期六拉开帷幕，届时将举办广受欢迎且极为成功的教程。今年是教程的第 14 年，它们针对的是学生、从业者或任何寻求课本级知识与当前前沿研究之间联系的人。2024 年的主题是：“利用晶圆级集成技术进行系统扩展”、“CMOS 技术的进步和单元高度扩展的未来方向”、“用于提高 AI 应用能源效率和性能的共封装光子学”、“栅极电介质击穿可靠性的当前理解和未来挑战”、“适用于 AI 时代的 EUV 光刻技术”和“用于节能和可重构纳米电子学的磁离子学”。周日，将提供两门综合短期课程：“塑造 AI 时代路线图的技术创新”和“AI 系统和下一次飞跃”。短期课程由活跃于这些领域的国际知名工业和学术研究人员和技术专家组织和讲授。课程主题和讲师都经过精心挑选，以吸引 IEDM 参与者，并将包含适合新手和专家的材料。
MNC 2024（11月12日至15日，京都布莱顿酒店，京都，日本）计划
2024年11月13日，星期三，房间P（Hanabusa）（B1F）13p-1：开幕式和全体会议（9：30-12：10）椅子：Koji Asakawa（Kioxia）（Kioxia），Shinya kumagai（Meijo Univ。），Kouichi Takase（Nihon Univ。）和Tomoki Nagai（JSR）13p-1-0 9：30-9：50开幕词：Toshiyuki Tsuchiya（Kyoto Univ。）奖励演示：Toshiyuki Tsuchiya（京都大学）和Koji Asakawa（Kioxia）本地公告：Takahiro Namazu Kyoto Univ。高级Sci。）13P-1-1 9:50-10:30 Japan's Semiconductor Strategy (Plenary) Hisashi Saito, Ministry of Economy, Trade and Industry, Japan Coffee Break 13P-1-2 10:50-11:30 The next step in Moore's Law: High NA EUV is here (Plenary) Jan van Schoot, ASML, Netherlands 13P-1-3 11:30-12:10 Novel 3D Stacking Process Technologies to Evolve CMOS图像传感器（全体）Yoshihisa Kagawa和H. Iwamoto，索尼半导体解决方案公司，日本13-1-4：午餐研讨会主席：Daiyu Kondo（Fujitsu）（富士通）13p-1-4 12：20-13：20-13：10午餐会在技术展览会上
非破坏性地原位探测涉及低 k 材料或聚合物的埋藏固体/固体界面处的分子结构：综述
近年来，半导体技术的不断缩小，极大地受益于三维（3D）集成技术和三维晶体管的快速发展。1 – 7预计未来迫切需要在更复杂的3D器件和3D动态随机存取存储器（3D DRAM）方面取得进一步进展。在此过程中，需要开发和采用许多创新的测量技术来表征3D器件和3D单元，以深入了解新器件和新材料的结构-功能关系，从而辅助设计性能更佳的先进3D器件。随着3D器件变得越来越复杂，涉及更多的埋置固/固界面，而这些埋置界面上的分子相互作用对整个器件的性能起着关键作用，应进行原位研究。极紫外 (EUV) 光刻技术已用于 3D 技术，其通过次数不断增加，可用于 7 纳米和 5 纳米节点逻辑集成电路以及 16/14 纳米节点 DRAM 的批量生产。8 – 10 与 193 纳米浸没式光刻技术相比，
先进光源的校准和标准光束线 6.3.2
该弯曲磁体光束线自 1995 年 2 月开始运行，用于表征光学元件（镜子、光栅、多层、探测器等）能量范围为 50-1000 eV。虽然它主要用于 EUV 投影光刻的多层反射光学元件的精密反射测量，但它具有广泛的测量能力。光学元件由单色仪、反射计和重新聚焦镜组成，以在样品上提供一个小点。单色仪是一种非常紧凑、无入口狭缝、变线距平面光栅设计，其中机械刻划光栅在高放大倍数工作的球面镜的会聚光中运行。镜子的像差通过线间距变化进行校正，因此光谱分辨力 λ / ∆λ 受 ALS 光源尺寸限制，约为 7000。波长通过简单旋转具有固定出口狭缝的光栅进行扫描。反射计能够将样品定位在 10 µ m 以内，并将其角位置设置为 0.002 °。基于 LABVIEW™ 的软件为用户提供了方便的界面。反射计通过差动泵与光束线分开，可在半小时内抽空。辅助实验站可以安装在反射计后面。结果证明了光束线的性能和操作便利性。© 1996 美国物理学会。