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技术项目展览指南
首批 0.55NA 极紫外光刻工具继续朝着生产方向发展，没有出现 0.33NA EUVL 引入后出现的延迟和技术差距。0.33NA 成熟模块和技术的延续在可预测性和进度方面提供了预期的好处，而专注于创新变形光学器件的资源已实现与工具设计和计划应用一致的系统级像差和光刻胶成像性能。同时，在大批量生产中大量使用 0.33NA EUVL 所维持的健康生态系统支持了在英特尔 14A 工艺节点上引入 0.55NA EUVL 所需的掩模、光刻胶、底层、蚀刻、检测和计量方面的逐步增强。在此节点引入可避免使用 0.33NA EUV 进行过多的多重图案化，并且在正面金属间距与背面功率输送共同优化时尤其有益。随着初始引入的生态系统的建立，我们已经开始着手改进，例如 6x12 掩模格式，以充分利用高 NA 平台的生产力潜力，同时通过消除考虑大型芯片平面图中芯片拼接位置的需要来简化设计。最后，人们越来越乐观地认为，远远超过 0.55NA 的数值孔径在技术上是可行的，尽管仍在继续努力为开发“超 NA”生产工具提供商业依据。
半导体行业 2023 年第 22 页
人工智能将影响我们生活的各个方面。它在半导体制造中也发挥着越来越重要的作用。今年 5 月，在比利时安特卫普举行的由 imec 主办的 ITF World 大会上，NVIDIA 总裁、首席执行官兼董事会成员黄仁勋介绍了 NVIDIA 如何与台积电、ASML、应用材料 (AMAT)、D2S、IMS Nano Fabri- cation 和新思科技等公司合作，将人工智能引入芯片制造。黄仁勋表示：“第一波人工智能专注于计算机视觉和语音识别，已经实现了超越人类的能力，并在机器人、自动驾驶汽车和制造业开辟了数万亿美元的商机。先进的芯片制造需要一千多个步骤，要生产出生物分子大小的特征。要制造具有数千万亿个特征的芯片，每个步骤都必须近乎完美才能产生任何输出。每个阶段都会执行复杂的计算科学，以计算要图案化的特征并进行缺陷检测以进行在线工艺控制。芯片制造是 NVIDIA 加速计算和 AI 的理想应用。”黄仁勋表示，D2S 和 IMS Nano Fabrication 使用电子束构建掩模写入器，以在掩模上创建光刻胶图案。“Nvidia GPU 进行图案渲染和掩模工艺校正，”他说。台积电和 KLA 使用 EUV 和 DUV 照明进行掩模检查。“NVIDIA GPU 处理经典物理建模，
David Moreno Open Sky Communications 电话：+1-415-519 ...
关于 eBeam 计划 eBeam 计划为基于电子束 (eBeam) 技术的新型半导体制造方法的教育和推广活动提供了一个论坛。该计划的目标是降低采用门槛，使更多的集成电路 (IC) 设计能够启动并加快产品上市时间，同时增加整个半导体生态系统对 eBeam 技术的投资。 成员遍布整个半导体生态系统，包括：aBeam Technologies；Advantest；Alchip Technologies；AMD；AMTC；Applied Materials；Artwork Conversion；ASML；Cadence Design Systems；Canon；CEA-Leti；D 2 S；大日本印刷；EQUIcon Software GmbH Jena；ESOL；EUV Tech；Fractilia；Fraunhofer IPMS；FUJIFILM Corporation；富士通半导体有限公司；GenISys GmbH；GlobalFoundries (GF)；Grenon Consulting；日立高科技公司；HJL Lithography；HOLON CO., LTD；HOYA Corporation；IBM；imec；IMS CHIPS； IMS Nanofabrication AG；JEOL；KIOXIA；KLA；美光科技；Multibeam Corporation；NCS；NuFlare Technology；Petersen Advanced Lithography；Photronics；QY Mask；三星电子；中芯国际制造（上海）有限公司 (SMIC)；西门子 EDA；意法半导体；新思科技；TASMIT；东京电子有限公司 (TEL)；TOOL Corporation；凸版光掩模株式会社；UBC Microelectronics；Vistec Electron Beam GmbH 和蔡司。电子行业的所有公司和机构均可成为会员。如需了解更多信息，请访问 www.ebeam.org。
高精度卫星阻力模型（HASDM）
摘要用于预测低围角颗卫星轨迹的力模型中的主要误差源是大气中的阻力。上部大气密度模型不能充分说明中性密度的动态变化，从而导致预测的卫星位置存在明显的误差。空军空间Battlelab的高精度卫星阻力模型（HASDM）估计值（三天）动态变化的全球密度场。HASDM包括动态校准气氛（DCA）算法，该算法解决了实时大气密度的昼夜和半潮湿变化的相位，从观察到的拖力对低亲属的无效有效载荷和碎屑的拖曳作用来实时，而上层大气密度接近实时。密度校正表示为纬度，局部太阳时间和高度的函数。在HASDM中，时间序列过滤器预测DCA密度校正参数是预测的极紫外线（EUV）能量指数E 10.7的函数，并预测了地磁风暴指数A P，并且是最近（上27天）的密度校正参数的函数。E 10.7索引是由Solar2000模型生成的，Solar2000模型是太阳辐照的第一个完整频谱模型。将在操作上使用估计的密度和预测的密度字段，以显着提高所有低蠕虫卫星的预测轨迹的准确性。
有效载荷系统的设计Cubesat分布式望远镜
具有可重构群（遮阳板）任务的虚拟超分辨率光学器件是一种新颖的立方体形成望远镜任务，旨在研究太阳能电晕中的基本能量释放机制。遮阳板是最初在国家科学基金会（NSF）Cubesat Innovations Ideas Ideas实验室研讨会上构思的任务。该任务将使用两个6u立方体的角度分辨率在极端超紫罗兰（EUV）中观察到电晕，并使用两个6U立方体，它们相距40米，形成分布式望远镜。实现此类任务需要在衍射光学，卫星间通信，立方体推进和相对导航领域的关键技术。这些技术中任何一种的开发都是新颖的，但是所有这些技术结合起来都可以真正地使遮阳板使命。将这些技术巩固到立方体形式中，构成了机械和系统设计的挑战。本文重点介绍了遮阳板的初步有效负载设计，将关键技术组合为6U型的固有的挑战以及使有效负载设计成熟的关键下一步。与10所不同的大学一起工作，并预计在2023年末推出，遮阳板任务将展示Cubesats执行高精度冠状图像的能力，并将为未来的Cobesat群群铺平道路。
即时发表经办代理: David Moreno (大卫穆锐农) Open Sky ...
业界精英调查其它要点（ 2024 年 7 月进行） - 74% 的受访者认为，曲线形状的 逆向 光刻技术（ curvilinear ILT ）对非 EUV 的 193i 前沿节点有 用 —— 其中 29% 的人强烈同意这一说法，而去年这一比例为 24% 。 - 55% 的受访者表示，前沿节点的一些关键层已经在使用 逆向 光刻技术（ ILT ），这一比例较去 年的 46% 和两年前的 35% 有所上升。 - 光罩制造中的软件基础设施仍然是生产曲线形状光罩的最大挑战。 - 对深度学习应用的预测有所延迟，今年有 54% 的受访者预测深度学习将在 2025 年之前成为 光罩制造过程中任何环节的竞争优势，而去年这一预测为 2024 年。 “ 我们期待在 SPIE 光罩技术会议期间度过激动人心的一周，届时 eBeam Initiative 将举办第 15 届年度光罩会议，展示半导体生态系统对这一合作论坛的持续支持， ”eBeam Initiative 的 的主办 管理公司 D2S 的首席执行官 藤村 (Aki Fujimura) 表示。 “ 现在是加入光罩行业的绝佳时机，近年 来该行业取得了强劲增长 —— 这证明了光罩社区内杰出人才的贡献，也彰显了该行业在推动半 导体创新方面的重要性。今年 eBeam Initiative 业界精英 调查的绝大多数参与者 —— 他们代表了 行业内顶尖的商业和技术专家 —— 都认为这一增长趋势将在 2024 年继续，这无疑是个好消息。 ” About The eBeam Initiative 关于 eBeam Initiative （电子束倡议团） eBeam Initiative 是一个致力于推广和倡导电子束技术在半导体制造全新应用的团体；为有关 电 子束技术的教育和促进活动 提供相应的论坛。 eBeam Initiative 的目标是增加电子束技术应用在 半导体制造各领域中的投资；降低电子束技术应用的障碍，能够使更多集成电路设计完成，并 且更快投进市场成为可能。会员公司 , 涵盖整个半导体生态系统，包括 : aBeam Technologies; Advantest; Alchip Technologies; AMD; AMTC; Applied Materials; Artwork Conversion; ASML; Averroes.ai; Cadence Design Systems; Canon; CEA-Leti; D 2 S; Dai Nippon Printing; EQUIcon Software GmbH Jena; ESOL; EUV Tech; Fractilia; Fraunhofer IPMS; FUJIFILM Corporation; Fujitsu Semiconductor Limited; GenISys GmbH; GlobalFoundries (GF); Grenon Consulting; Hitachi High-Tech Corporation; HJL Lithography; HOLON CO., LTD; HOYA Corporation; IBM; imec; IMS CHIPS; IMS Nanofabrication AG; JEOL; KIOXIA; KLA; Micron Technology; Multibeam Corporation; NCS; NuFlare Technology; Petersen Advanced Lithography; Photronics; QY Mask; Samsung Electronics; Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation (SMIC); Siemens EDA; STMicroelectronics; Synopsys; TASMIT; Tokyo Electron Ltd. (TEL); TOOL Corporation; Toppan Photomask Corporation; UBC Microelectronics; Vistec Electron Beam GmbH and ZEISS. eBeam Initiative 面向和欢迎所有电子工业的公司和协会加盟。细节请查看 www.ebeam.org .
Nantero ACE RFI 响应高级计算...
Nantero, Inc. 的 NRAM ® 内存技术是一种非易失性、字节寻址的光纤连接内存层解决方案，可满足对更好的 Optane ™ 替代品的需求。NRAM 是 DRAM 和 NAND Flash 的颠覆性替代品，可以降低成本，具有更好的功率、延迟和性能特性，提供 EMP 保护和 RadHard 功能，并为 2025-2030 年及以后的系统架构和平台增强提供未来保障。NRAM 比传统内存技术消耗更少的能源，从而降低碳排放，同时还支持未来的计算能力变化，例如 CXL、内存处理、分解、边缘计算等。当今内存系统中的大部分电力都用于刷新；NRAM 可以通过兼容 DDR5 的部件消除这一问题，为 DoE、整个 USG 和整个行业带来立竿见影的巨大胜利。 Nantero 需要政府支持资金用于技术创新，并获得使用政府资金为研究人员和小公司建造的新 EUV 晶圆厂的权限，以鼓励像 Nantero 这样的创新。有了这种至关重要的支持，晶圆厂访问和准备就绪之间的差距可以弥合，即 Nantero 等创新者目前需要的东西与大型成熟公司在没有政府参与和监督的情况下定期向创新者提供的有限现实之间的差距。一旦提供这种晶圆厂访问和支持，Nantero 的 NRAM 内存技术将发挥其成本和性能优势，从而颠覆 DRAM 和 NAND 闪存，为能源部、美国政府和行业现在和未来几年提供广泛的功能。
使用 Synopsys Flow 的 ASAP7 补充 PDK
技术缩放已大大增加，并且它改善了 VLSI 芯片的功率、性能和面积。最近，7 纳米 FinFET 技术广泛用于高性能处理器和片上系统。当今的最新工艺，例如 7 纳米技术节点，使用了许多“新”技术来提高其性能和 VLSI 芯片的密度。FinFET 现在是 CMOS 晶体管的常见结构。中段线路 (MOL) 被引入以连接前端线路层和后端线路 (BEOL) 层。MOL 和 BEOL 中的局部互连层使用 EUV 光刻来提高其可布线性和密度。另一方面，半全局互连层使用 193i 自异化双重图案 (SADP) 来平衡制造成本和密度。在开始电路设计之前了解 FinFET 工艺的特点非常重要，因为它与常规平面工艺有许多不同。使用“真实”工艺设计套件 (PDK) 非常昂贵，而且很难获得访问许可。因此，“可预测”的 PDK 对于 VLSI 教育和研究都非常重要。ASAP7 是针对 7 纳米技术节点的“可预测”PDK 之一，由亚利桑那州立大学与 ARM Ltd. 合作提供 [1]。它包括定制设计流程和自动化数字设计流程，因此学习最先进的 FinFET 工艺中的这些设计流程非常有用。但是，他们仅为 Cadence Innovus 提供用于布局布线 (P&R) 的技术文件。Innovus 是一种主要的 P&R EDA，然而，Synopsys IC Compiler 也是另一个主要的 P&R 工具。本文报告了使用 IC Compiler 进行 P&R 的 ASAP7 补充 PDK。此补充 PDK 包括 Synopsys StarRC 技术文件，用于实现寄生感知 P&R。此补充 PDK 旨在添加第二种选择
导航供应链弹性和贸易
半导体行业是全球技术环境的核心支柱，促进了无数的电子设备的功能，这些电子设备已成为现代生活不可或缺的一部分。通常称为集成电路或芯片的关键组件是手机，计算机，医疗保健技术，军事防御技术，AI组件和高级无线网络的各种应用程序的基础。拥有超过1000亿个结合半导体的设备，其无处不在，强调了它们在推动全球价值链和技术进步方面的关键意义（SIA，2023年）。具有高度复杂的网络的半导体供应链功能。供应链始于研发，新技术和设备的开创性是生产较小的芯片和更密集的电路。供应链的第二个要素是设计组件，然后在特殊设施中生产的质量。这些活动包括供应链的前端。供应链的后端涉及芯片的专业组件，包装和测试，然后将其发送到电路板上和用于设备的设备中（Varas等，2021）。供应链中高度专业化的流程也得到了复杂的机械的支持，复杂的机械本身具有庞大的供应商网络和成千上万的组件。可以在最小芯片上进行蚀刻设计的极端紫外线光刻（EUV）机器由“ 100,000个零件，3,000条电缆，40,000杆螺栓和两公里的水管组成”（Thompson，2021年）。更重要的是，它只能由一家公司的ASML在荷兰制造。半导体供应链涉及高水平的复杂性，但至关依赖于生产的特定节点或扼流圈。当大流行造成全球碎屑供应时，决策者意识到他们并没有跟上与这个复杂和全球化网络相关的风险。供应链还面临着美国和中国之间贸易紧张局势的挑战。这两个因素促使对基于风险的供应链重新评估，
金星原始气氛中氢的来源
上下文。了解金星原始大气中的氢含量对于理解塑造其大气进化的流体动力逃生过程至关重要。氢来自两个主要来源：来自太阳星云和水蒸气（H 2 O）的分子氢（H 2）。这些来源的精确比例仍然不确定，从而导致有关金星大气历史的不同假设。但是，尚未对这些来源比例的参数空间进行系统的探索。目标。这项研究旨在通过对早期大气逃生场景进行广泛的数值模拟来限制金星原始大气中的氢含量及其来源。方法。我们开发了一种改进的能量限制的流体动力逃生模型，该模型与1D辐射感染的Equi-Liberium大气模型集成在一起，以模拟金星上的早期大气逃生。使用当前金星大气中的NE和AR的同位素数据，我们限制了星云衍生和脱气的衍生氢的贡献。我们的模拟探索了超过500 000个场景，改变了最初的H 2和H 2 O组成，并考虑了不同的太阳极端紫外线（EUV）辐射条件。结果。我们的结果基于20 ne/ 22 ne，36 Ar/ 38 ar和20 ne/ 36 ar的同位素比在金星的大气中观察到的，这表明原始大气含水量仅限于h 2（0.0004 wt％）的0.01海洋等效物，而小于1.4 h 2 o.4海洋等效于h 2 o. div> div> div> div> div> div> div div> div> div div。这表明，如果维纳斯曾经有富含氢的主要气氛，那么它在形成其次要的H 2 O富含气氛之前大部分都是丢失的。此外，我们的方法可以应用于限制其他陆地行星的原始大气组成，从而为其进化史提供了见解。