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首批 0.55NA 极紫外光刻工具继续朝着生产方向发展，没有出现 0.33NA EUVL 引入后出现的延迟和技术差距。0.33NA 成熟模块和技术的延续在可预测性和进度方面提供了预期的好处，而专注于创新变形光学器件的资源已实现与工具设计和计划应用一致的系统级像差和光刻胶成像性能。同时，在大批量生产中大量使用 0.33NA EUVL 所维持的健康生态系统支持了在英特尔 14A 工艺节点上引入 0.55NA EUVL 所需的掩模、光刻胶、底层、蚀刻、检测和计量方面的逐步增强。在此节点引入可避免使用 0.33NA EUV 进行过多的多重图案化，并且在正面金属间距与背面功率输送共同优化时尤其有益。随着初始引入的生态系统的建立，我们已经开始着手改进，例如 6x12 掩模格式，以充分利用高 NA 平台的生产力潜力，同时通过消除考虑大型芯片平面图中芯片拼接位置的需要来简化设计。最后，人们越来越乐观地认为，远远超过 0.55NA 的数值孔径在技术上是可行的，尽管仍在继续努力为开发“超 NA”生产工具提供商业依据。
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