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信件 MSIFF：通过交错主从级布局拓扑实现抗辐射触发器
敏感节点对之间的电荷共享。当入射离子撞击敏感晶体管（例如节点 mn2 中的 PMOS 晶体管）时，一列电子-空穴对会沿入射轨道电离。电离载流子扩散到相邻的晶体管，导致相邻敏感节点之间的电荷收集，如图 3 所示。对于传统的 DICE 触发器，敏感节点对将收集足够的电荷并导致 SEU。对于所提出的 MSIFF，增加的节点间距可有效减少由于复合过程引起的扩散收集。此外，从属锁存器的插入组件也有助于收集额外的载流子 [19]。它将显著降低电离载流子密度并阻止扩散收集过程。因此，敏感节点对不会同时收集足够的电荷，并且所提出的 MSIFF 中不会发生 SEU。
倒装芯片底部填充 RF 特性
摘要 为了开发可靠的高速封装，倒装芯片工艺中使用的底部填充材料的特性分析变得越来越重要。底部填充材料通常是一种环氧树脂基材料，可为封装上的集成电路 (IC) 提供热和结构优势。由于如此多的输入和输出 (IO) 彼此靠近，封装上的集成电路可能会出现意外的信号和电源完整性问题。此外，芯片封装只能支持最高频率的信号，在此频率下噪声耦合（例如串扰、开关噪声等）会导致系统故障。垂直互连（例如通孔和焊料凸块）是噪声耦合的主要来源。在每个信号网络之间插入接地参考是不切实际的。对于焊料凸块，噪声耦合取决于底部填充材料的介电常数。因此，表征底部填充材料的介电常数有助于预测信号和电源完整性问题。这种液体或半粘性材料通常通过浸入材料中的开端同轴探针的简单边缘电容模型来表征。但是，开口同轴方法不如基于谐振器的方法准确。需要一种方法来准确提取高频下液体或半粘性材料的介电常数。所提出的方法使用实壁腔体谐振器，其中谐振器用底部填充材料填充并固化。介电特性分析是一个复杂的过程，其中必须了解或准确测量腔体的物理特性。这包括导体的电导率、导体的粗糙度、腔体的尺寸和端口引脚位置。本文讨论了在使用腔体谐振器表征介电体时遇到的一些挑战。这种表征方法也可用于表征其他感兴趣的材料。关键词介电体、倒装芯片、介电常数、谐振器、底部填充。
翻转你的盖子——大脑在你的掌心
你可以用这种方式和孩子们谈论他们的大脑。用你的手作为大脑，谈论大脑的“感觉”部分和“思考”部分。这可以帮助他们在感觉快要发火时告诉你。这有助于他们开始控制自己的情绪，因为第一步是让他们注意到自己的情绪何时变得过于强烈，然后才能谈论它。
防止舷外马达翻转的方法...
这些线和电缆限制了动力头右舷相对于船的向前运动。由于所有线和电缆将动力头的右舷拉向右舷船尾，支柱（螺旋桨连接处）继续在动力头上方旋转，并开始向鲈鱼船的乘客区倾斜。在鲈鱼船上，碰撞的剩余能量继续将螺旋桨向前摆动到乘客座椅顶部颈部支撑区域。（见图 63）此场景代表图 73 右上角的紫色区域。
幻灯片——倒装芯片凸块电迁移可靠性的比较——铜柱、高铅、SnAg 和 SnPb 凸块
倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块） 倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块）
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
GAA：使用光子带隙结构
MMIC的微波包装的主要目标之一是保存所需的RF属性。在放大器MMIC的情况下，相对于包装的最关键属性是向前增益，输入匹配，反向隔离，增益平坦和稳定性。基于LTCC的方法是包装MMIC的有趣选择。陶瓷载体形成了用于电线粘合和翻转芯片的粘合基板，可用于整合高质量的被动剂。集成的阻止电容器可以降低组装成本，并以低额外的成本来实施诸如RF过滤和防止静电放电之类的其他功能[4]。对于模具附着，Flip-Chip由于flip-Chip跃迁的良好发电性和低寄生电感而引起了人们的注意。但是，在实践中可以看出，Flip-Chip还需要处理特定的寄生效应，这些寄生效应将芯片倒挂在金属表面上时，例如在大多数丝网键入方法中完成的金属表面[3] [5]。
