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参数符号最小单位工作温度1）T A -40 +125°C正电源电压2）V DD 1 5.5 V表2 1）通过在初始设备资格下进行采样确认最大工作温度。生产中，所有设备均在 +25°C 2）v dd = 1V = 1V（在 +25°C下保证）（见图14有关更多信息）电气特性t a = +25°C，除非另有指定的参数符号测试条件最小。typ。最大Unit Supply current I DD V DD = 5V, output open 38 50 µ A Threshold voltage V TH C, I, O 2.94 3.02 3.10 V V TH D, J, P 3.62 3.72 3.82 V V TH F, L, R 4.27 4.39 4.51 V Threshold hysteresis V HYS 5 mV RES Output Low Level V OL V DD = 1.6V, I OL = 1mA 200 270 mV V OL V DD = 2.5V, I OL = 2mA 195 250 mV V OL V DD = 3.5V, I OL = 3mA 198 250 mV V OL V DD = 5V, I OL = 4mA 185 250 mV RES Output High Level V OH V DD = 1.6V, I OH = -1mA 1.25 1.36 V V OH V DD = 2.5V, I OH = -1.5mA 2.2 2.3 V V OH V DD = 3.5V，i OH = -2.5mA 3.15 3.15 3.27 v oh v dd = 5V，i OH = -3.5mA 4.65 4.65 4.65 V输出泄漏电流1）I泄漏V DD = 5V 0.005 1 µ A仅适用于版本B，H和N参数符号符号测试条件。typ。最大单位电源电流i dd v dd = 5V，输出打开19 31 µ a阈值电压v t b，h，h，n 2.56 2.65 2.74 V阈值滞后v hys v hys 32 mv
微电子工程
在当今的计算机技术中，降低功耗是一项日益艰巨的挑战。传统的计算架构受到所谓的冯·诺依曼瓶颈 (VNB) 的影响，即需要在内存和处理单元之间不断交换数据和指令，从而导致大量且似乎不可避免的功耗。即使是通常用于运行人工智能 (AI) 算法（例如深度神经网络 (DNN)）的硬件也受到此限制的影响。为了满足对超低功耗、自主和智能系统日益增长的需求，必须改变范式。从这个角度来看，新兴的忆阻非易失性存储器被认为是引领这项技术向下一代硬件平台过渡的良好候选者，它使在同一位置存储和处理信息成为可能，从而绕过 VNB。为了评估当前公共可用设备的状态，本文对商用级封装的自导通道忆阻器进行了彻底研究，以评估其在内存计算框架中的性能。具体而言，确定了允许突触权重的模拟更新和稳定的二进制切换的操作条件以及相关问题。为此，设计并实现了基于 FPGA 控制平台的专用但原型的系统。然后，利用它充分表征创新智能 IMPLY（SIMPLY）逻辑内存（LiM）计算框架的功耗性能，该框架允许可靠地在内存中计算经典布尔运算。将这些结果投影到纳秒范围可以估算出这种计算范式的真正潜力。虽然本文没有进行研究，但所提出的平台也可用于测试基于忆阻器的 SNN 和二值化 DNN（即 BNN），它们可与 LiM 结合以提供异构灵活架构，这是无处不在的 AI 的长期目标。
微电子药丸
微电子药丸由经过机械加工的生物相容性（无细胞毒性）、耐化学腐蚀的聚醚醚酮 (PEEK) 胶囊和 PCB 芯片载体组成，后者是传感器、ASIC、发射器和电池连接的通用平台。每个制造的传感器都通过引线键合连接到定制的芯片载体上，该载体由 10 针、0.5 间距聚酰亚胺带状连接器制成。传感器芯片通过单独的 FCP 插座连接到 PCB 的两侧，传感器芯片 1 面向顶面，传感器芯片 2 朝下。因此，芯片 2 上的氧气传感器必须通过焊接到电路板上的 3,200 nm 铜引线连接到顶面。发射器集成在 PCB 中，PCB 还包含电源轨、传感器连接点以及发射器和 ASIC 以及载体所在的胶囊的支撑槽。胶囊被加工成两个独立的螺丝装配隔间。PCB 芯片载体连接到胶囊的前部。传感器芯片通过接入端口暴露在周围环境中。
微电子电路
Multisim 和 National Instruments 是 National Instruments 的商标。Sedra/Smith 微电子电路第七版一书是牛津大学出版社的产品，而非 National Instruments Corporation 或其任何附属公司的产品，牛津大学出版社对 Sedra/Smith 一书及其内容负全部责任。牛津大学出版社、Sedra/Smith 一书以及牛津大学出版社提供的任何书籍和其他商品和服务均非 National Instruments Corporation 或其任何附属公司的官方出版物，它们与 National Instruments Corporation 或其任何附属公司无任何关联、认可或赞助。
微电子工程
将通过区域选择性气相渗透 (VPI) 将三甲基铝渗透到聚（2-乙烯基吡啶）中制备的 5 纳米氧化铝薄膜的生长化学和电性能与传统的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 工艺进行了比较。通过能量色散 X 射线光谱和硬 X 射线光电子能谱测量评估了化学性质，同时进行了电流 - 电压电介质击穿和电容 - 电压分析，首次提供了这些薄膜的电信息。评估了通过聚合物 VPI 形成电介质的成功和挑战、吡啶在这种角色中的兼容性以及独特快速的接枝聚合物刷方法在形成相干金属氧化物方面的能力。结果发现，在 200 到 250 ◦ C 之间的温度下制备的 VPI 氧化铝具有一致的击穿电场，性能最佳的器件的 к 值为 5.9。结果表明，VPI 方法可以生成具有与传统 PEALD 生长薄膜相当的介电性能的氧化铝薄膜。
EEU44C02 微电子电路
本模块将帮助学生了解如何实现包含数十亿个晶体管的数字电路的超大规模集成 (VLSI)。该模块的结构分为两部分：理论部分，它解决了如何有效地模拟晶体管和互连操作背后的复杂非线性现象；软件工具部分，它描述了电子设计自动化 (EDA) 背后的算法。理论部分每周分配两次讲座，涵盖 MOS 晶体管器件的物理特性，重点关注非理想晶体管行为、电路和线路延迟模型以及 VLSI 电路复杂性的数学模型。软件工具部分涵盖电子设计自动化 (EDA) 工具流程，基于六个讲座和三个实验室的组合。
微电子封装用胶粘剂
所提供的数据和信息基于在实验室条件下进行的测试。无法由此得出有关产品在实际条件下的行为及其对特定用途的适用性的可靠信息。客户有责任通过考虑所有特定要求并应用客户认为合适的标准（例如 DIN 2304-1）来测试产品是否适用于预期用途。与产品一起加工的材料的类型、物理和化学特性以及运输、储存、加工和使用过程中发生的所有实际影响都可能导致产品的行为与实验室条件下的行为不同。所提供的所有数据都是在实验室条件下测量的典型平均值或唯一确定的参数。因此，所提供的数据和信息不能保证特定的产品特性或产品对特定用途的适用性。未经本专利所有者许可，本文所包含的任何内容均不得解释为表明不存在任何相关专利，或构成对任何专利所涵盖的开发的许可、鼓励或建议。 DELO 提供的所有产品均受 DELO 的一般业务条款约束。口头附属协议不予适用。
EE5M02 微电子电路
该模块将使学生深入了解电路和系统的超大规模集成 (VLSI)。该模块的最终目标是让学生掌握足够的知识，能够将大型数字电路的功能描述（硬件描述语言 (HDL) 级别）转换为物理布局描述（通常使用 GDSII 格式），适合在代工厂进行制造（流片）。该模块的结构分为两部分。VLSI 电路组件每周分配两次讲座，涵盖设备物理特性，重点关注非理想晶体管行为、电路和线路延迟模型、VLSI 电路复杂性的数学模型和产量估算。VLSI 系统组件每周分配一次讲座，涵盖用于实现电子设计自动化 (EDA) 流程的复杂软件工具链中使用的算法和数据格式。这两个实验室都基于 VLSI 系统讲座。
微电子药丸 - ijrpr
微电子平板电脑主要用于医疗诊断和监测。通过不断收集体内数据，它们可以实时洞察患者的健康状况，从而及早发现医疗问题并提供更加个性化的治疗方案。它们可用于监测胃肠道问题、管理药物依从性，甚至评估心率和血压等生命指标。此外，微电子平板电脑在药物输送方法方面显示出巨大的潜力。它们可以被编程为在身体的特定时间或位置输送药物，从而提高治疗效果并减少副作用。这种定制的药物输送策略有可能彻底改变许多疾病的治疗，包括糖尿病等慢性病。
