XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemPUBLISHING
表面辅助2D，DNA二元晶体的自组装
需要控制以定义设备性能的大小参数。第五组元素二晶曲是一种特殊的材料，在III - V材料生长8中既充当表面活性剂，又是许多量子材料中的组成部分。9从第一个原则计算中，众所周知，如果将BI纳入具有诱导非平地拓扑特性的其他III - V化合物频段Invers Invers Invers 10中，则基于III III-BI Alloys的组合。inas作为III - V半导体系统之一，以优于标准的基于SI的技术。这种化合物对于红外探测器，14个低功率电子15和量子计算具有很大的潜力。1 INA通常在锌混合物（ZB）结构中结晶，但也可以在低维结构中生长在Wurtzite（WZ）相。这为基于带隙异质结构16,17的探索和创建新型设备打开了大门，以及较低的临时和大气条件的敏感性。试图将BI纳入INAS晶格时，出现了18个困难。由INBI区域和INAS 10区域之间的较大的混乱差距是由各自的四方和立方晶格结构产生的，在散装材料的生长过程中会产生BI ADATOM的相位分离和群集。19
纸-RSC Publishing
CAS活跃位点中存在的单核离子（Zn 2+）与3个组氨酸残基有关，即His94，His96，His119和一个H 2 O/OH - 配体形成四面体连接。具有Zn 2+的金属中心在动力学上不稳定。，而金属（Zn 2+）碳赤霉素的游离形式，即apo ca是稳定的。因此，通过使用DPA（吡啶-2,6-二羧酸），透析，APO CA相对易于生成。Apo Ca具有2个（热力学独特的）Cu 2+（铜）结合位点，一个是Cu a，另一个是CuB。两个站点在Cu 2+的功能中都有不同的差异。然而，结合位点Cu B是较低的官能部位，称为碳酸酐酶的天然金属结合位点。相反，cu a（高官能部位）的配位和位置几何形状尚不清楚。3
纳米级 - RSC 出版
提高 ITC 的传统策略是 (i) 用热界面材料填充两个接触表面之间的间隙，23 (ii) 提高界面的耦合强度，或 (iii) 增加共价键的密度。24 据报道，使用键合有机纳米分子单层可以使铜和二氧化硅之间的 ITC 增加四倍，这可以提供与金属和电介质材料的强键合相互作用。25 据报道，在金和无定形聚乙烯系统中，通过分子桥也可以类似地增加 ITC。26 然而，即使对于通过强共价键连接的两个理想的光滑界面，由于两种不同材料之间的晶格常数和固有声子性质差异很大，界面热阻仍然存在。27,28 人们已经付出了很多努力来提高具有强共价键的界面的 ITC。例如，Tian 等人。发现原子混合引起的界面粗糙度可以提高声子传输系数和 ITC。29 此外，虽然点缺陷降低了纳米材料的热导率，但它
纳米级 - RSC 出版
物联网的发展要求在几乎每个物体上都连接电子电路，其中一些电路必须非常便宜并且只用很小的电池供电，或者甚至不需要电池，而是使用传感器动态产生的能量。1,2 生成的电子数据需要在传输前加密以避免间谍活动，这需要使用真随机数生成器 (TRNG) 电路。3 最先进的 TRNG 电路采用熵源来生成不可预测的二进制数串，最常见的是电阻的热噪声、环形振荡器的抖动和触发器的亚稳态。4 – 7 虽然这些解决方案提供了高随机性和吞吐量（>1 兆比特/秒），但许多研究仅报告了模拟级别，8,9 并且在某些情况下它们的功耗太大（>0.01 mW），阻碍了它们在许多户外小物体中的应用。 3
纳米级-RSC Publishing
在介电层和Si子层中取出Cu的分化。2作为设备尺寸缩小并出现了更复杂的结构，可用于晶体管水平的铜互连的体积相应地变小，并且必须容纳屏障，衬里和铜。从更一般的角度来看，众所周知，在纳米级，CU将优先汇总为高分辨率3D岛结构。3,4解决这些问题的一种解决方案是用不从这些问题替代的替代金属代替铜。在这方面，早期过渡金属钴（CO）是替代下一代互连中Cu的替代材料的备受关注。CO与半导体设备的缩小尺寸已用于沟渠和VIA。5 - 7
PCCP -RSC Publishing
分子的激发态在各种研究领域高度相关，例如光化学，太阳能转化到化学能转化和光催化。1在这里，分子不仅表现出电子与基态不同的原子结构，从而实现了在基态下不可能的反应。2通常，激发态的化学相互作用对于转化效率或选择性是决定性的。3用电力结构分析方法量化这些相互作用将非常有益，并能够得出趋势并预测实验的新途径。这种键合分析方法将使对反应性的反应性有更全面的了解，包括光化学反应的基础机制。有几种理论方法4用于描述激发态，包括多引用方法5
FeSi2 - RSC 出版
作为化学的核心，具有新颖键合特征的化合物的设计和合成是几十年来人们一直追求的目标。1970年，Ho ffimann等人创造性地提出了通过s-给体和p-受体来稳定平面四配位碳的策略，这一策略违背了碳的经典四面体构型理论，引发了平面超配位碳化合物的探索。1,2这种独特键合模式的发现丰富了我们对化学键的认识，促进了平面超配位分子的探索。受二维材料热潮的刺激，人们尝试将平面超配位键扩展到二维周期性晶格中。3到目前为止，人们预测了大量的二维超配位结构，但只有少数结构被合成出来。4–7例如，由平面六配位的Fe和Si原子组成的FeB2和CaSi单层通过理论计算表现出优异的电子和光学性质。 8,9 Yang 等人提出了一系列非磁性二维六配位单层，如 Ni2Ge、Cu2Si、Cu2Ge、Cu2As、Au 和 Cu，表现出强化学键合和面内刚性。10 – 14 实验上，Feng 等人通过在单晶 Cu (111) 上直接蒸发 Si 原子，合成了具有平面六配位 Cu 和 Si 原子的 Cu2Si 单层。7 尽管取得了上述进展，但在制备二维材料方面仍然存在两个问题
为下一个工业革命提供动力：通过减少CO2的过渡到太阳能燃料纸-RSC Publishing
尽管市场上目前的抗精神病药在精神分裂症的治疗中取得了长足的进步，例如典型的抗精神病药（氯丙嗪和氟哌啶醇，图。1）已被证明是控制正症状的有效治疗方法，它们对多巴胺能传播的强烈和非选择性阻塞会引起多种副作用，例如迟发性运动障碍（TD），肌外锥体症状症状（EPS）（EPS）和超级分泌症和超级分泌症和均匀症状，并均匀症状。2,3非典型抗精神病药，例如氯氮平和利培酮，与多巴胺D 2受体紧密结合。除此之外，它们对各种5-羟色胺（5-HT）受体的官能化意味着，它们在治疗阳性节目中的典型抗精神病药中表现出更大的临床优势，并且在
RSC 出版公司分析师
靶向疗法使用新型药物，专门针对细胞中的一种或多种蛋白质，并根据患者癌症的基因组成进行给药。由于这些药物是针对患者特定癌症而量身定制的，因此它们可能非常有效，并且对正常细胞的毒性比化学疗法要小得多。虽然靶向疗法继续改变癌症治疗的格局，并在许多情况下导致肿瘤缩小，但主要缺点是患者的癌症最终会在药物存在下重新生长，这种现象被称为“获得性耐药性”。不幸的是，这通常发生在一年内，之后的治疗选择有限。1 在某些情况下，导致对靶向抑制剂产生耐药性的二次突变可能在开始治疗之前就存在（通常频率难以检测），2 或者从头出现；3 同样，其他非遗传性耐药机制也可能从头出现，以响应靶向抑制剂的选择压力。4
