机构名称：
¥ 1.0
在介电层和Si子层中取出Cu的分化。2作为设备尺寸缩小并出现了更复杂的结构，可用于晶体管水平的铜互连的体积相应地变小，并且必须容纳屏障，衬里和铜。从更一般的角度来看，众所周知，在纳米级，CU将优先汇总为高分辨率3D岛结构。3,4解决这些问题的一种解决方案是用不从这些问题替代的替代金属代替铜。在这方面，早期过渡金属钴（CO）是替代下一代互连中Cu的替代材料的备受关注。CO与半导体设备的缩小尺寸已用于沟渠和VIA。5 - 7
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