机构名称：
¥ 1.0
需要控制以定义设备性能的大小参数。第五组元素二晶曲是一种特殊的材料，在III - V材料生长8中既充当表面活性剂，又是许多量子材料中的组成部分。9从第一个原则计算中，众所周知，如果将BI纳入具有诱导非平地拓扑特性的其他III - V化合物频段Invers Invers Invers 10中，则基于III III-BI Alloys的组合。inas作为III - V半导体系统之一，以优于标准的基于SI的技术。这种化合物对于红外探测器，14个低功率电子15和量子计算具有很大的潜力。1 INA通常在锌混合物（ZB）结构中结晶，但也可以在低维结构中生长在Wurtzite（WZ）相。这为基于带隙异质结构16,17的探索和创建新型设备打开了大门，以及较低的临时和大气条件的敏感性。试图将BI纳入INAS晶格时，出现了18个困难。由INBI区域和INAS 10区域之间的较大的混乱差距是由各自的四方和立方晶格结构产生的，在散装材料的生长过程中会产生BI ADATOM的相位分离和群集。19
表面辅助2D，DNA二元晶体的自组装
主要关键词
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