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准确解决的平面差异系统...
近年来在二阶非线性普通差方程的研究中取得了迅速的进步。这些方程中的某些方程式特别有趣，因为它们在其他科学领域频繁出现。作为示例，我们可以引用li´enard方程[17，35]，瑞利方程[37]和自治系统，导致这些类型的方程（例如Kukles的系统[5，19]和Kolmogorov System [36]）。然而，在研究这些非线性差方程和系统的研究中，重要的挑战之一是确定哪些是可以集成的。这可以通过研究可集成性来实现，这可以从解决方案中明确收集所有必要的数据，也可以从不变的第一个积分，逆积分因子和不变的代数曲线等中隐含地收集。我们记得，如果n -1独立的第一个积分具有n -1个独立的第一个积分，则维度n的自主差异系统是完全可以集成的，因此可以通过与这些第一个积分的水平集相交（有关更多详细信息，请参见[9，28]）。对于平面差异系统，对第一个积分的知识在研究其动力学行为中至关重要。已经提出了几种分析方法来解决可集成性，每种方法都有其自身的优势和缺点。这些方法包括Noether对称性[34]，Lie对称性[32，6]，Darbouxian的综合性理论[14]，直接方法[21，22]和Painlev´e分析[7，13]。作为最后一种方法的一个特别有趣的例子，Nucci和Leach [31]提出了一种由x = - βxy -µx +γy + µk表达的传染病模型，
2SD1816I 2SD1816 NPN 外延平面硅晶体管
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PLANAR Clarity Matrix LCD 视频墙系统
对于希望在公共场所或协作环境中使用大型交互式显示屏的客户，PLANAR 的 Clarity™ Matrix MultiTouch 视频墙系统可提供超薄外形、高冲击力的交互式视频墙。MultiTouch 利用视频墙边缘的触摸传感器框架，允许多个用户触摸并使用手势与视频墙上的内容进行交互。Clarity Matrix MultiTouch 利用 PLANAR 的 ERO™（扩展耐用性和光学™）技术提供模块化、近乎无缝的触摸表面，以保护 LCD 屏幕。该系统采用最新的触摸技术，可在整个视频墙上同时实现多达 32 个触摸点。这允许单个用户进行多次触摸或常见手势识别，但允许多个人与视频墙交互而不会影响其他用户，使其成为希望在可视化或会议室应用中扩展协作能力的客户的首选解决方案。 Clarity Matrix MultiTouch 不仅提供同时触摸功能，而且还提供了精确度更高的更好触摸体验，可防止误触摸点，并且能够创建对角线长达 350 英寸的大型视频墙。
非对称自旋回波多回波平面成像（...
在血氧水平依赖性 (BOLD) 对比度的功能性磁共振成像 (fMRI) 中，梯度回忆回波 (GRE) 采集具有高灵敏度，但会遭受磁化引起的信号丢失，并且缺乏对微血管的特异性。相反，自旋回波 (SE) 采集以降低灵敏度为代价提供了更高的特异性。本研究引入了非对称自旋回波多回波平面成像 (ASEME-EPI)，该技术旨在结合 GRE 和 SE 的优点，用于高场临床前 fMRI。ASEME-EPI 采用自旋回波读数，然后是两个非对称自旋回波 (ASE) GRE 读数，提供初始 T2 加权 SE 图像和后续 T2 ∗ 加权 ASE 图像。在 9.4 T 临床前 MRI 系统上实施了该技术的可行性研究，并使用北方树鼩的视觉刺激进行了测试。将 ASEME-EPI 与传统 GRE 回波平面成像 (GRE-EPI) 和 SE 回波平面成像 (SE-EPI) 采集进行比较，结果表明，ASEME-EPI 实现了与 GRE-EPI 相当的 BOLD 对比噪声比 (CNR)，同时在激活图中提供了更高的特异性。ASEME-EPI 激活更多地局限于初级视觉皮层 (V1)，而 GRE-EPI 则显示激活超出了解剖边界。此外，ASEME-EPI 还展示了在 GRE-EPI 遭受信号丢失的严重场不均匀区域中恢复信号的能力。ASEME-EPI 的性能归因于其多回波特性，允许 SNR 优化的回波组合，从而有效地对数据进行去噪。初始 SE 的加入也有助于在易受敏感伪影影响的区域恢复信号。这项可行性研究证明了 ASEME-EPI 在高场临床前 fMRI 中的潜力，在解决高场强下 T2 ∗ 衰减的挑战的同时，在 GRE 敏感性和 SE 特异性之间提供了一种有希望的折衷方案。
平面约瑟夫森交界处的相位敏感信息
著名的是，在高温高温超导体中，超导顺序的相位敏感测量[1-7]解决了有关顺序参数对称的正在进行的辩论，这表明了这些关键事实是这些是D-Wave超级导体。当前正在研究的大多数材料系统都在高度分层（即Quasi-Two维度），例如丘比特，或者是明确的二维（2D），例如由Van-der Waals Materi-Materi-Materi-siali-s Materi-siles制成的各种明确的二维铺设结构，尤其是石墨烯。因此，鉴于此类边缘的复杂性质，原始库酸酯实验中使用的类似物的边缘连接通常很难解释，有时很难解释。相反，许多准2D材料相对容易裂解，使得表面的正常（因此“ z”方向）是导向最少的方向。在2D材料的情况下，这种几何考虑仍然更清楚。
新型大平面离子晶体的量子相关性...
存储在射频阱中的线性离子库仑晶体已导致量子信息科学领域的最先进实验，对单个粒子及其之间的相互作用具有出色的控制。这使得线性离子晶体成为量子计算、模拟、计量和传感领域实验的主要平台之一。然而，将这些系统扩展到超过 50 个粒子同时保持对它们的精确实验控制已被证明具有挑战性，但对于执行超出传统计算能力的计算或模拟而言是必需的，这是实验量子信息科学的主要目标。本论文报告了一种新的实验装置的设置，该装置通过摆脱传统的线性离子晶体配置并改为捕获平面离子晶体，实现对射频阱中比以前更大的离子库仑晶体的量子控制。利用第二空间维度的方法开辟了缓解线性离子晶体中遇到的一些与缩放相关的技术限制的方法。另一个好处是可以自然地实现二维粒子的相互作用，特别是用于扩展可在量子模拟中直接研究的模型范围。虽然之前在射频阱中对平面离子库仑晶体的量子控制方面的努力仅限于小系统，但我们的工作标志着首次将这种控制扩展到 100 个离子之外。这篇论文提供了证据，表明可以克服平面离子库仑晶体中出现的已知挑战，例如射频加热、微运动和结构相变，从而为量子模拟应用构建一个强大的实验装置。该装置的功能在表征测量和利用量子关联（尤其是纠缠）的实验中得到证明。
硅辐射探测器技术：从平面到3D
辐射探测器在几种应用中都普遍存在，从文化遗产到环境监测，以及在许多娱乐性和应用研究中，包括少数，包括高能物理学（HEP），光子科学和铜管科学。从最早的设备开始，辐射的检测是基于不同的物理机制，例如热转导，气电离，闪烁等。[1]。与大多数其他传感器技术一样，半导体在辐射检测中也起着特殊的作用，其主要原因是：（i）它们可以直接将辐射转换为电信号，准备通过电子电路处理，并且（ii）通过利用集成电路技术来利用它们，从而带来了多个优势，导致了几个优势，例如小型成本，且可靠地效果，以及2个改善了[2.2 and Scrips and Import and Import and Import and Import and Import Import and Import and Import and Import and Import and Import and Import [2]。其物理特性（例如原子数，密度，电离能，带隙等）使硅特别适合于检测软X射线和带电的颗粒，而对于硬X射线/γ-rays和中子（用于检测应与合适的转化材料偶联的硅）并不有效[1]。但是，由于其制造技术的无与伦比的优势，硅是检测器应用最广泛使用的半导体。尽管硅探测器是相对简单的设备，但它们需要定制的织物技术来优化其电气和功能特性。日本，在该领域运营。直到最近，随着CMOS图像传感器的显着进展，用CMOS Technologies（所谓的单片活性像素）制成的像素探测器已证明可以产生满足的性能[3]。将来，CMOS像素的利用可能会更大，尤其是在X射线成像和带电的粒子跟踪中。但是，仍然希望定制检测器仍然是大多数应用程序的主要选择。硅探测器的市场被认为是微电子领域内的专业探测器，只有一家主要的工业制造商Hamamatsu Photonics K.K.大多数加工设施均由中小型企业（中小型企业）和主要位于欧洲的研究中心拥有。在本文中，我们将回顾硅辐射探测器技术。第2节将回忆起设备的基本原理和主要要求。第3节将被奉献
平面纳米真空发射器的电子发射模式
纳米制造技术的最新进展使得人们能够制造出具有纳米级自由空间间隙的真空电子器件。这些纳米电子器件具有冷场发射和通过自由空间传输的优势，例如高非线性和对温度和电离辐射的相对不敏感性，同时大大减少了占用空间，增加了工作带宽并降低了每个器件的功耗。此外，平面真空纳米电子器件可以很容易地以类似于典型的微纳米级半导体电子器件的规模进行集成。然而，这些器件中不同电子发射机制之间的相互作用尚不清楚，其他人已经注意到它们与纯 Fowler-Nordheim 发射不一致。在这项工作中，我们系统地研究了平面真空纳米二极管的电流-电压特性，这些二极管的曲率半径为几纳米，发射极和集电极之间有自由空间间隙。通过研究由两种不同材料制成的几乎相同的二极管在不同环境条件（如温度和大气压）下的电流-电压特性，我们能够清楚地分离出单个器件中的三种不同发射模式：肖特基、福勒-诺德海姆和饱和。我们的工作将实现对真空纳米电子器件的稳健而准确的建模，这对于需要能够在极端条件下运行的高速、低功耗电子器件的未来应用至关重要。
有向平面图中的多源多源最大流量
他们分别向所有来源和下沉，但这种减少并不能保留平面性。使用Orlin的算法进行稀疏图[21]导致O（n 2 / log N）的运行时间。对于少于u的整数容量，可以使用Goldberg and Rao [9]的算法，它导致O（n1。5 log n log u）。Miller和Naor [19]首先研究了具有多个来源和水槽的平面图中的最大流量。他们为所有水槽和来源都位于单个面边界的情况下给出了一种分裂和争议算法。插入Henzinger等人的线性最短路径算法。[12]产生O（n log n）的运行时间。Borradaile和Harutyunyan具有相同的运行时间的迭代算法[2]。Miller和Naor还为源头和水槽位于K不同面部边界的情况下提供了一种算法。使用O（n log N） - 时源单源单源单源最大流量算法和klein [3]产生O（k 2 n log 2 n）的运行时间。Miller和Naor表明，当知道多少商品在每个来源和每个水槽都产生/消耗时，可以找到一致的流量路由，而尊重ARC容量的一致路由可以降低到最短的最短路径[19]，可以在O（n log 2 N/ log log 2 n/ log log log N n n/ log log N n n n n/ log log n n）时[20]。
高功率循环平面交叉场放大器的设计与开发
摘要 — 使用有限元频域代码 ANSYS HFSS 和粒子单元 (PIC) 代码 MAGIC 设计和模拟了循环平面正交场放大器 (RPCFA)。RPCFA 是一种高功率微波装置，改编自美国密歇根州安娜堡密歇根大学开发的循环平面磁控管。平面、曲折线和慢波结构的电磁 (EM) PIC 模拟显示，1.3 MW、3 GHz 信号可放大 13.5 dB 至约 29 MW。RPCFA 设计为由密歇根电子长束加速器-陶瓷绝缘体的脉冲功率驱动，该加速器目前配置为输出 −300 kV、1-10 kA 的脉冲，脉冲长度为 0.3-1 µ s。 RF 输入驱动信号将由 MG5193 磁控管提供，该磁控管可在 3 GHz 频率下提供高达 2.6 MW 的 5 µ s 脉冲。EM PIC 模拟还展示了设计的零驱动稳定性，并用于评估由于几个实验参数的变化而导致的性能变化。驱动频率的变化表明 RPCFA 的 3 dB 放大带宽预计为 300 MHz 或 10%。